申请/专利权人:厦门乾照激光芯片科技有限公司
申请日:2020-12-25
公开(公告)日:2021-09-21
公开(公告)号:CN214255059U
主分类号:H01S5/183(20060101)
分类号:H01S5/183(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.09.21#授权
摘要:本实用新型提供了一种激光器外延结构、VCSEL芯片,其中激光器外延结构包括:依次堆叠的衬底、缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层;所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层,且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结,可以提高激光器内量子效应,有效提升激光器的性能。
主权项:1.一种激光器外延结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底为导电衬底;沿第一方向依次堆叠在所述衬底表面的缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层;所述第一方向垂直于所述衬底,并由所述衬底指向所述P型欧姆接触层;所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层,且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结。
全文数据:
权利要求:
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