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【实用新型】一种激光器外延结构、VCSEL芯片_厦门乾照激光芯片科技有限公司_202023168938.4 

申请/专利权人:厦门乾照激光芯片科技有限公司

申请日:2020-12-25

公开(公告)日:2021-09-21

公开(公告)号:CN214255059U

主分类号:H01S5/183(20060101)

分类号:H01S5/183(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.09.21#授权

摘要:本实用新型提供了一种激光器外延结构、VCSEL芯片,其中激光器外延结构包括:依次堆叠的衬底、缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层;所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层,且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结,可以提高激光器内量子效应,有效提升激光器的性能。

主权项:1.一种激光器外延结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底为导电衬底;沿第一方向依次堆叠在所述衬底表面的缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层;所述第一方向垂直于所述衬底,并由所述衬底指向所述P型欧姆接触层;所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层,且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 厦门乾照激光芯片科技有限公司 一种激光器外延结构、VCSEL芯片

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