申请/专利权人：恩特格里斯公司

申请日：2018-09-06

公开（公告）日：2021-10-08

公开（公告）号：CN111108176B

主分类号：C09K13/08(20060101)

分类号：C09K13/08(20060101);C09K13/06(20060101)

优先权：["20170906 US 62/554,772"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.10.08#授权;2020.05.29#实质审查的生效;2020.05.05#公开

摘要：本发明描述适用于湿式蚀刻包含氮化硅的微电子装置衬底的组合物及方法；所述组合物包含磷酸、六氟硅酸及氨基烷氧基硅烷及任选地一或多种额外任选的成分；使用如所描述的组合物进行的包含氮化硅及氧化硅的衬底的湿式蚀刻方法可实现适用或改进的氮化硅蚀刻速率、适用或改进的氮化硅选择性、这些功能的组合以及任选地在蚀刻之后存在于衬底表面处的颗粒的减少。

主权项：1.一种用于蚀刻具有包括氮化硅SiN及氧化硅的表面的衬底的组合物，其具有相对于所述氧化硅蚀刻所述SiN的选择性，所述蚀刻组合物包括：按所述蚀刻组合物的总重量计，至少60重量％的量的浓磷酸，六氟硅酸HFSA，及氨基烷氧基硅烷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩特格里斯公司 用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法

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