申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2021-03-30

公开（公告）日：2021-10-08

公开（公告）号：CN214378354U

主分类号：H01L21/67(20060101)

分类号：H01L21/67(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.10.08#授权

摘要：本实用新型公开了一种用于电化学剥离GaN衬底的装置，包括：盛装电解液的反应槽、直流电源、工作电极、对电极以及欧姆接触电极，其中，所述工作电极包括待处理的样品，所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结构层，且所述欧姆接触电极还与所述牺牲层连接；所述工作电极和对电极均具有相对的设置的第一区域和第二区域，在重力方向上，所述工作电极和对电极的第一区域位于所述第二区域的上方，至少所述工作电极和对电极的第一区域浸没在电解液内。本实用新型提供的装置，结构简单，克服了电化学刻蚀过程中带来的气泡阻塞牺牲层内刻蚀通道的问题，从而提高了分离效率，降低了获得GaN单晶衬底的成本。

主权项：1.一种用于电化学剥离GaN衬底的装置，其特征在于包括：盛装电解液的反应槽、直流电源、工作电极、对电极以及欧姆接触电极，其中，所述工作电极包括待处理的样品，所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结构层，且所述欧姆接触电极还与所述牺牲层连接；所述工作电极和对电极均具有相对的设置的第一区域和第二区域，在重力方向上，所述工作电极和对电极的第一区域位于所述第二区域的上方，所述欧姆接触电极与直流电源的阳极电连接，所述对电极与直流电源的阴极电连接，至少所述工作电极和对电极的第一区域浸没在电解液内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 用于电化学剥离GaN衬底的装置

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