申请/专利权人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日:2021-03-30
公开(公告)日:2021-10-08
公开(公告)号:CN214378354U
主分类号:H01L21/67(20060101)
分类号:H01L21/67(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.10.08#授权
摘要:本实用新型公开了一种用于电化学剥离GaN衬底的装置,包括:盛装电解液的反应槽、直流电源、工作电极、对电极以及欧姆接触电极,其中,所述工作电极包括待处理的样品,所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结构层,且所述欧姆接触电极还与所述牺牲层连接;所述工作电极和对电极均具有相对的设置的第一区域和第二区域,在重力方向上,所述工作电极和对电极的第一区域位于所述第二区域的上方,至少所述工作电极和对电极的第一区域浸没在电解液内。本实用新型提供的装置,结构简单,克服了电化学刻蚀过程中带来的气泡阻塞牺牲层内刻蚀通道的问题,从而提高了分离效率,降低了获得GaN单晶衬底的成本。
主权项:1.一种用于电化学剥离GaN衬底的装置,其特征在于包括:盛装电解液的反应槽、直流电源、工作电极、对电极以及欧姆接触电极,其中,所述工作电极包括待处理的样品,所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结构层,且所述欧姆接触电极还与所述牺牲层连接;所述工作电极和对电极均具有相对的设置的第一区域和第二区域,在重力方向上,所述工作电极和对电极的第一区域位于所述第二区域的上方,所述欧姆接触电极与直流电源的阳极电连接,所述对电极与直流电源的阴极电连接,至少所述工作电极和对电极的第一区域浸没在电解液内。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 用于电化学剥离GaN衬底的装置
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