申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司

申请日：2020-03-18

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113497121A

主分类号：H01L29/423(20060101)

分类号：H01L29/423(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明提供了一种分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成第一沟槽，所述第一沟槽分为位于下部的第一区域和位于上部的第二区域；在所述第一区域形成分离栅结构，所述分离栅结构包括形成于所述第一沟槽在所述第一区域的侧壁及底部的隔离结构和包裹于所述隔离结构中的核心区；所述核心区包括空气间隙层或介质层；在所述第二区域形成控制栅结构。本发明通过形成位于第一沟槽下部侧壁及底部的隔离结构和包裹于所述隔离结构中的核心区，提供了无需连接器件源极或发射极的分离栅结构，不但降低了器件中栅极至漏极的密勒电容，提高器件的开关速度，也简化了工艺流程，减小了器件芯片面积，降低了产品制造成本。

主权项：1.一种分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成第一沟槽，所述第一沟槽分为位于下部的第一区域和位于上部的第二区域；在所述第一区域形成分离栅结构，所述分离栅结构包括形成于所述第一沟槽在所述第一区域的侧壁及底部的隔离结构和包裹于所述隔离结构中的核心区；所述核心区包括空气间隙层或介质层；在所述第二区域形成控制栅结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 分离栅沟槽结构功率器件的形成方法

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