申请/专利权人:芯恩(青岛)集成电路有限公司
申请日:2020-03-18
公开(公告)日:2021-10-12
公开(公告)号:CN113497120A
主分类号:H01L29/423(20060101)
分类号:H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/739(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开
摘要:本发明提供了一种分离栅器件结构,包括:衬底;位于所述衬底中的控制栅结构;位于所述控制栅结构下方的分离栅结构;所述分离栅结构包括核心区和包裹所述核心区的隔离结构;所述核心区包括空气间隙层或介质层。本发明通过在功率器件的控制栅结构的下方设置具有核心区和隔离结构的分离栅结构,提供了无需连接至器件发射极或源极的分离栅结构,不但降低了器件中栅极至漏极的密勒电容,也降低了器件的导通电阻,同时简化了工艺流程。此外,还避免了对开关损耗等器件性能的影响,提升了器件击穿电压,增强产品市场竞争力。
主权项:1.一种分离栅器件结构,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底中的控制栅结构;位于所述控制栅结构下方的分离栅结构;所述分离栅结构包括核心区和包裹所述核心区的隔离结构;所述核心区包括空气间隙层或核心区介质层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 芯恩(青岛)集成电路有限公司 分离栅器件结构
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