申请/专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司

申请日：2020-03-19

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113497112A

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/739(20060101);H01L21/331(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.05#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明涉及半导体领域，具体涉及提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括栅极结构、N+发射极区、P型体区以及于所述P型体区、N+发射极区的部分相邻接触面上设置的势垒层，其中，所述势垒层覆盖所述N+发射极区的底面和或所述N+发射极区远离所述栅极结构的侧面。通过在所述P型体区、N+发射极区的部分相邻接触面上设置势垒层，使得P型体区流向N+发射区的电子或空穴都被阻挡，防止PN结正偏。在横向、纵向上，从P型体区流动的电子或空穴被势垒层阻挡，远离了N+发射区，进一步防止了PN结正偏。综上可知，本申请能从横向和纵向上阻挡电子或空穴流向N+发射区，有效地增加IGBT的抗闩锁能力，同时保证了IGBT阈值电压和反向耐压基本不变。

主权项：1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括栅极结构、N+发射极区、P型体区以及于所述P型体区、N+发射极区的部分相邻接触面上设置的势垒层，其中，所述势垒层覆盖所述N+发射极区的底面和或所述N+发射极区远离所述栅极结构的侧面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司 绝缘栅双极型晶体管、智能功率器件及电子产品

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