申请/专利权人：森富科技股份有限公司

申请日：2020-04-01

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113496758A

主分类号：G11C29/50(20060101)

分类号：G11C29/50(20060101);G11C29/56(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：一种内存操作能力预测方法，可由内存操作能力预测结构来实施，通过快速改变基本输出入系统（BasicInputOutputSystem，BIOS）频率与读写时序的延迟，使本发明的主板测试方式可以量测到精准的电压值与电流值，并且是接近实际上多颗动态随机存取内存（dynamicrandomaccessmemory,DRAM）集成电路（integratedcircuit,IC）芯片一起运用的方式，可在操作模式下量测出每一单颗DRAMIC芯片的操作区间范围，从而可以预测每一DRAMIC芯片的操作能力，进而能有效地进行各种条件下的操作能力测试，提升分类的精准值。

主权项：1.一种内存操作能力预测方法，由内存操作能力预测结构来实施，其特征在于，该方法包含下列步骤：步骤一：将数个待测内存模块插接至主板上；步骤二：启动该主板上一输入模块，将具有内存余裕测试功能的基本输出入系统读入如何测试该待测内存模块，而该内存余裕测试是在特定时序的操作模式下的内存测试模式；步骤三：启动该主板上一切换模块，对每一待测内存模块依照量测电压或量测电流之一而切换量测模式，使每一待测内存模块进行该内存余裕测试；步骤四：启动该主板上一量测模块以在不同量测模式下通过内存余裕测试量测每一待测内存模块的内存特性，该量测模块包括电压量测单元及电流量测单元，在切换于量测电压模式下可经由该电压量测单元量测每一待测内存模块的电力供应电压，而在切换于量测电流模式下可经由该电流量测单元量测流经每一待测内存模块的电流，并将量测到的每一待测内存模块的内存特性发送至该主板上的一处理模块；其中，该内存特性包括内存余裕测试量测所得的电压信息及电流信息；步骤五：处理模块读取该量测模块发送的以内存余裕测试量测每一待测内存模块的内存特性，通过该内存余裕测试与电压及电流量测结合在一起，利用每一该待测内存模块可操作的区间通过不同的BIOS频率设定、不同的读写时序的延迟，记录每一该待测内存模块当前可操作的区间范围，藉此快速筛选、分类，使每一待测内存模块以内存余裕测试能单颗精准的操作，获得每一待测内存模块分类区间的精准值，以预测每一待测内存模块的操作能力。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 森富科技股份有限公司 内存操作能力预测方法

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