申请/专利权人：森富科技股份有限公司

申请日：2020-04-01

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113496759A

主分类号：G11C29/50(20060101)

分类号：G11C29/50(20060101);G11C29/56(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：一种内存操作条件检查方法，由内存操作条件检查装置来实施，可使主板上中央处理单元（centralprocessingunit,CPU）通过设置在数个待测内存模块（deviceundertest,DUT）的输入电压（VDD、VDDQ与VPP）供应端子的量测单元回馈的电压量测值，能更精确地调整提供给各待测内存模块正确的供应电压，使中央处理单元能发挥最高效率，藉以VDD、VDDQ与VPP三个操作电压解决内存电源电压偏离的问题，从而能在量产测试的时候，可精确地调整输入至各待测内存模块端的正确的供应电压，以达到一致性的校正。

主权项：1.一种内存操作条件检查方法，由内存操作条件检查装置来实施，其特征在于，该方法包含下列步骤：步骤一：经由一电源管理芯片提供数个原始供应电压至数个安装于主板上的待测内存模块，其中，每一待测内存模块包含第一输入电压供应端子、第二输入电压供应端子、及第三输入电压供应端子，各该原始供应电压输入至各该待测内存模块的第一至第三输入电压供应端子，且各该原始供应电压包括VDD、VDDQ与VPP；步骤二：启用耦接至各待测内存模块的第一至第三输入电压供应端子的各该量测单元，其中每一量测单元包含耦接至该第一输入电压供应端子的第一量测组件、耦接至该第二输入电压供应端子的第二量测组件、及耦接至该第三输入电压供应端子的第三量测组件；步骤三：利用各量测单元测量各待测内存模块的第一至第三输入电压供应端子的输入电压与电流，以产生对应的当前供应电压并回馈至中央处理单元；步骤四：该中央处理单元将各量测单元回馈的各当前供应电压，并将该些当前供应电压与对应的各原始供应电压进行比对，并根据比对结果产生对应的补偿电压；步骤五：针对与该补偿电压有关的待测内存模块，该中央处理单元通过该电源管理芯片控制提供该补偿电压给对应的待测内存模块进行补偿，从而能精确地调整输入至各该待测内存模块端的正确的供应电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 森富科技股份有限公司 内存操作条件检查方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD