申请/专利权人:成都蓉矽半导体有限公司
申请日:2020-04-01
公开(公告)日:2021-10-12
公开(公告)号:CN113497123A
主分类号:H01L29/423(20060101)
分类号:H01L29/423(20060101);H01L29/739(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/331(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2024.02.13#发明专利申请公布后的驳回;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开
摘要:本发明提供了一种具有更快切换速度的分离绝缘栅双极型晶体管,包括:具有第一导电类型的衬底;具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的缓冲层;具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移层,外延于该衬底上;具有第一导电类型的第一阱区设置于该漂移层上;多个沟槽形成于该第一阱区并垂直延伸至该漂移层中;屏蔽电极形成于每一个沟槽下半部,该屏蔽电极与该第一阱区以及该漂移层由屏蔽介电层作电气隔离;跨电极介电层形成于该屏蔽电极上;栅极设置于该衬底上方相应的每一个该沟槽的上半部内,该栅极与相应该沟槽的侧壁形成一栅极绝缘层。
主权项:1.一种具有更快切换速度的分离绝缘栅双极晶体管,其特征在于,其包括:具有第一导电类型的衬底;具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的缓冲层,设置于该衬底上;具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移层,设置于该衬底上;具有第一导电类型的第一阱区设置于该漂移层上;具有第一导电类型的发射极接触区,设置于该第一阱区;具有第二导电类型的第一接触源极区设置于该第一阱区并且与该发射极接触区相邻但相隔开;具有第二导电类型的第二接触源极区设置于该第一阱区并且与该第一接触源极区相邻但相隔开;发射极电极接触该发射极接触区、该第一接触源极区与该第二接触源极区;多个沟槽形成于该第一阱区并垂直延伸至该漂移层中;屏蔽电极形成于每一个沟槽下半部,该屏蔽电极与该第一阱区以及该漂移层由屏蔽介电层作电气隔离;跨电极介电层形成于该屏蔽电极上;栅极设置于该衬底上方相应的每一个该沟槽的上半部内,该栅极与相应该沟槽的侧壁形成栅极绝缘层,并用多晶硅填充;其中该跨电极介电层隔开该栅极与该屏蔽电极;其中该栅极绝缘层电气隔开该栅极与该第一或第二接触源极区、该栅极与该第一阱区、以及该栅极与该漂移层。
全文数据:
权利要求:
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