申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日:2020-04-01
公开(公告)日:2021-10-12
公开(公告)号:CN113496874A
主分类号:H01L21/027(20060101)
分类号:H01L21/027(20060101);H01L21/033(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开
摘要:一种半导体结构及半导体结构的形成方法,其中,方法包括:提供待刻蚀层;在所述待刻蚀层上形成初始第一平坦层,所述初始第一平坦层具有第一厚度;在所述初始第一平坦层上形成初始第一掩膜层,所述初始第一掩膜层具有第二厚度,且所述第二厚度小于所述第一厚度;在所述初始第一掩膜层上形成第二掩膜层,所述第二掩膜层暴露出部分所述初始第一掩膜层表面,所述第二掩膜层具有第三厚度,且所述第三厚度小于所述第一厚度。从而,改善了半导体器件的性能。
主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:待刻蚀层;位于所述待刻蚀层上的初始第一平坦层,所述初始第一平坦层具有第一厚度;位于所述初始第一平坦层上的初始第一掩膜层,所述初始第一掩膜层具有第二厚度,且所述第二厚度小于所述第一厚度;位于所述初始第一掩膜层上的第二掩膜层,所述第二掩膜层暴露出部分所述初始第一掩膜层表面,所述第二掩膜层具有第三厚度,且所述第三厚度小于所述第一厚度。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及半导体结构的形成方法
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