申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2020-04-01

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113496878A

主分类号：H01L21/033(20060101)

分类号：H01L21/033(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本申请公开了一种图案化掩膜层的形成方法，包括：提供基底结构，在所述基底结构上依次形成掩膜材料层，填充层，抗反射层以及光掩膜层；图案化所述光掩膜层，并将所述光掩膜层的图案转移至所述抗反射层以及填充层，形成暴露所述掩膜材料层的开口；沿所述开口对暴露出的掩膜材料层进行离子注入，使离子注入区域的掩膜材料层形成掩膜层，并去除所述光掩膜层；采用干法非等离子体刻蚀工艺去除所述抗反射层；采用湿法刻蚀工艺去除所述填充层；去除所述掩膜材料层。所述方法避免在所述掩膜材料层以及掩膜层表面产生抗反射层以及填充层的残留，以形成无缺陷的图案化掩膜层。

主权项：1.一种图案化掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：提供基底结构，在所述基底结构上依次形成掩膜材料层，填充层，抗反射层以及光掩膜层；图案化所述光掩膜层，并将所述光掩膜层的图案转移至所述抗反射层以及填充层，形成暴露所述掩膜材料层的开口；沿所述开口对暴露出的掩膜材料层进行离子注入，使离子注入区域的掩膜材料层形成掩膜层，并去除所述光掩膜层；采用干法非等离子体刻蚀工艺去除所述抗反射层；采用湿法刻蚀工艺去除所述填充层；去除所述掩膜层以外的所述掩膜材料层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 图案化掩膜层的形成方法

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