申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2020-04-07

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113496986A

主分类号：H01L23/525(20060101)

分类号：H01L23/525(20060101);H01L27/108(20060101);H01L27/112(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.12#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明涉及一种反熔丝单元结构及反熔丝阵列。所述反熔丝单元结构包括基底、反熔丝器件和选择晶体管。其中所述反熔丝器件形成于所述基底中，包括第一栅极结构、第一源极掺杂区和第一漏极掺杂区，其中所述第一栅极结构与所述第一漏极掺杂区电连接。所述选择晶体管形成于所述基底中，与所述反熔丝器件匹配设置，包括第二栅极结构、第二源极掺杂区和第二漏极掺杂区，其中所述第二漏极掺杂区与所述第一源极掺杂区电连接。

主权项：1.一种反熔丝单元结构，其特征在于，包括：基底；反熔丝器件，形成于所述基底中，包括第一栅极结构、第一源极掺杂区和第一漏极掺杂区，其中所述第一栅极结构与所述第一漏极掺杂区电连接；以及选择晶体管，形成于所述基底中，与所述反熔丝器件匹配设置，包括第二栅极结构、第二源极掺杂区和第二漏极掺杂区，其中所述第二漏极掺杂区与所述第一源极掺杂区电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 反熔丝单元结构及反熔丝阵列

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD