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【发明公布】超级结绝缘栅双极型晶体管及其制作方法_苏州华太电子技术有限公司_202010264408.5 

申请/专利权人:苏州华太电子技术有限公司

申请日:2020-04-07

公开(公告)日:2021-10-12

公开(公告)号:CN113497132A

主分类号:H01L29/739(20060101)

分类号:H01L29/739(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/331(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要:本发明公开了一种超级结绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。该超级结绝缘栅双极型晶体管包括沿指定方向依次设置的集电区、第一外延层和第二外延层,所述集电区与集电极配合设置,所述第一外延层内分布有间隔设置的多个超级结结构,所述第二外延层内分布有间隔设置的多个沟槽,每一沟槽内设置有一栅极,所述第二外延层包括第一半导体层和形成在第一半导体层上的第二半导体层,所述第二半导体层为阱区,所述阱区内分布有间隔设置的多个发射极,每一发射极与一沟槽配合设置,每一沟槽的局部区域设置于所述阱区内;所述第一外延层的电阻率大于第二外延层的电阻率。本发明超级结绝缘栅双极型晶体管在击穿电压等基本没有变化的情况下,工作能耗显著降低。

主权项:1.一种超级结绝缘栅双极型晶体管,其特征在于包括沿指定方向依次设置的集电区、第一外延层和第二外延层,所述集电区与集电极配合设置,所述第一外延层内分布有间隔设置的多个超级结结构,所述第二外延层内分布有间隔设置的多个沟槽,每一沟槽内设置有一栅极,所述第二外延层包括第一半导体层和形成在第一半导体层上的第二半导体层,所述第二半导体层为阱区,所述阱区内分布有间隔设置的多个发射极,每一发射极与一沟槽配合设置,每一沟槽的局部区域设置于所述阱区内;其中,所述集电区、超级结结构、阱区均为第一导电类型,所述第一外延层、第一半导体层、发射极均为第二导电类型;并且,所述第一外延层的电阻率大于第二外延层的电阻率。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州华太电子技术有限公司 超级结绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

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