申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2020-04-07

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113497002A

主分类号：H01L23/544(20060101)

分类号：H01L23/544(20060101);H01L21/66(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明涉及一种PID测试结构及半导体测试结构，包括：栅极结构，包括栅极层；覆盖介质层，位于栅极层的表面；金属层结构，位于覆盖介质层的表面；金属层结构包括至少一层金属层；引出电极，经由导电结构与栅极层电连接。上述PID测试结构中以栅极结构顶部的覆盖介质层为测试对象，由于覆盖介质层的厚度不会对器件性能造成影响，可以根据需要设定覆盖介质层的厚度，设计的选择性更多；且覆盖介质层对游离电荷具有较强的捕获能力，可以确保PID测试结构具有较高的灵敏度，可以保证测试的及时性及准确性。

主权项：1.一种PID测试结构，其特征在于，包括：栅极结构，包括栅极层；覆盖介质层，位于所述栅极层的表面；所述覆盖介质层为PID测试对象；金属层结构，位于所述覆盖介质层的表面；所述金属层结构包括至少一层金属层；及引出电极，经由导电结构与所述栅极层电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 PID测试结构及半导体测试结构

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