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【发明公布】反熔丝单元及反熔丝阵列_长鑫存储技术有限公司_202010268402.5 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2020-04-08

公开(公告)日:2021-10-12

公开(公告)号:CN113496988A

主分类号:H01L23/525(20060101)

分类号:H01L23/525(20060101);H01L27/108(20060101);H01L27/112(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.12.12#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要:本发明涉及一种反熔丝单元,包括:反熔丝器件;第一选择晶体管,与反熔丝器件电连接;第二选择晶体管,第二选择晶体管与第一选择晶体管电连接;反熔丝器件、第一选择晶体管、第二选择晶体管具有相同厚度的栅极氧化层和栅极导电层。在进行反熔丝测试时第一选择晶体管和第二选择晶体管可以分压,因此第一选择晶体管和第二选择晶体管内部的栅极氧化层能够做的薄一些,与反熔丝器件内的栅极氧化层厚度一致,因此三者的栅极氧化层可以在同一步骤中同步生成,同理三者的栅极导电层也能够在同一步工艺中生成,避免了因为栅极氧化层厚度不一样导致的工艺复杂化,在满足反熔丝单元承受较高击穿电压的同时简化了工艺步骤提高了生产效率。

主权项:1.一种反熔丝单元,其特征在于,包括:反熔丝器件;第一选择晶体管,与所述反熔丝器件电连接;第二选择晶体管,所述第二选择晶体管与所述第一选择晶体管电连接;其中,所述反熔丝器件、所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管具有相同厚度的栅极氧化层和栅极导电层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 反熔丝单元及反熔丝阵列

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