【发明公布】场效应晶体管_三星电子株式会社_202011501211.5 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2020-12-18

公开(公告)日:2021-10-12

公开(公告)号:CN113497138A

主分类号:H01L29/778(20060101)

分类号:H01L29/778(20060101);H01L29/786(20060101)

优先权:["20200318 KR 10-2020-0033310"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.10.12#公开

摘要:本公开提供了场效应晶体管。一种场效应晶体管包括基板、在基板上且在第一方向上彼此间隔开的源电极和漏电极、多个沟道层、围绕所述多个沟道层中的每个的栅绝缘膜、以及围绕栅绝缘膜的栅电极。所述多个沟道层中的每个具有接触源电极和漏电极的端部。所述多个沟道层在远离基板的第二方向上彼此间隔开。所述多个沟道层包括2D半导体材料。

主权项:1.一种场效应晶体管,包括:基板;源电极和漏电极,在所述基板上并在第一方向上彼此间隔开;在所述基板上的多个沟道层,所述多个沟道层中的每个具有分别接触所述源电极和所述漏电极的两端,所述多个沟道层在远离所述基板的第二方向上彼此间隔开,并且所述多个沟道层包括2D半导体材料;栅绝缘膜,围绕所述多个沟道层中的每个;以及栅电极,围绕所述栅绝缘膜。

全文数据:

权利要求:

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