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【发明公布】共源共栅半导体装置和制造方法_安世有限公司_202011589335.3 

申请/专利权人:安世有限公司

申请日:2020-12-29

公开(公告)日:2021-10-12

公开(公告)号:CN113496977A

主分类号:H01L23/495(20060101)

分类号:H01L23/495(20060101);H01L25/18(20060101);H01L21/50(20060101);H01L21/60(20060101)

优先权:["20200318 EP 20163929.1"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.04.14#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要:本公开涉及共源共栅HEMT半导体装置,包括:引线框;晶片焊盘,其附着到引线框;HEMT晶片,其附着到晶片焊盘,HEMT晶片包括第一侧上的HEMT源极和HEMT漏极、第二侧上的HEMT栅极,其中,该装置还包括MOSFET晶片,该MOSFET晶片附着到HEMT晶片的源极,MOSFET晶片包括MOSFET源极、MOSFET栅极和MOSFET漏极,其中,MOSFET漏极连接到HEMT源极,其中,MOSFET源极包括MOSFET源极夹片,其中,MOSFET源极夹片包括柱状件以将MOSFET源极连接到HEMT栅极,其中,通过导电材料来建立MOSFET源极到HEMT栅极的连接。

主权项:1.一种共源共栅高电子迁移率半导体装置,包括:引线框;晶片焊盘,其附着到所述引线框;高电子迁移率晶片,其附着到所述晶片焊盘,所述高电子迁移率晶片包括:第一侧上的高电子迁移率源极和高电子迁移率漏极,其中,所述高电子迁移率漏极包括高电子迁移率漏极夹片,第二侧上的高电子迁移率栅极;金属氧化物半导体场效应晶体管晶片,其附着到所述高电子迁移率晶片的源极,所述金属氧化物半导体场效应晶体管晶片包括:金属氧化物半导体场效应晶体管源极、金属氧化物半导体场效应晶体管栅极和金属氧化物半导体场效应晶体管漏极,其中,所述金属氧化物半导体场效应晶体管漏极连接到所述高电子迁移率源极,其中,所述金属氧化物半导体场效应晶体管源极包括金属氧化物半导体场效应晶体管源极夹片,其中,所述金属氧化物半导体场效应晶体管源极夹片包括柱状件以将所述金属氧化物半导体场效应晶体管源极连接到所述高电子迁移率栅极,其中,通过导电材料来建立所述金属氧化物半导体场效应晶体管源极到所述高电子迁移率栅极的连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安世有限公司 共源共栅半导体装置和制造方法

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