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【发明公布】集成电路及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202110140986.2 

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2021-02-02

公开(公告)日:2021-10-12

公开(公告)号:CN113497088A

主分类号:H01L27/24(20060101)

分类号:H01L27/24(20060101)

优先权:["20200623 US 16/908,896"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要:本发明的实施例涉及一种集成电路。该集成电路具有布置在衬底上方并分别包括多个相互堆叠的位线的多个位线堆叠件。数据存储结构位于多个位线堆叠件上方,选择器位于数据存储结构上方。字线位于选择器上方。该选择器配置为选择性地允许电流通过多个位线和字线之间。该多个位线堆叠件包括第一位线堆叠件、第二位线堆叠件和第三位线堆叠件。第一和第三位线堆叠件是离第二位线堆叠件的相对侧最近的位线堆叠件。第二位线堆叠件与第一位线堆叠件相隔第一距离并且进一步与第三位线堆叠件相隔第二距离,第二距离大于第一距离。本发明的实施例还涉及一种形成集成电路的方法。

主权项:1.一种集成电路,包括:多个位线堆叠件,布置在衬底上方并分别包括相互堆叠的多个位线;数据存储结构,位于所述多个位线堆叠件上方;选择器,位于所述数据存储结构上方;字线,位于所述选择器上方,其中所述选择器配置为选择性地允许电流通过所述多个位线和字线之间;其中,所述多个位线堆叠件包括第一位线堆叠件、第二位线堆叠件和第三位线堆叠件,所述第一位线堆叠件和所述第三位线堆叠件是离所述第二位线堆叠件的相对侧最近的位线堆叠件;以及其中,所述第二位线堆叠件与所述第一位线堆叠件相隔第一距离并且进一步与所述第三位线堆叠件相隔第二距离,所述第二距离大于所述第一距离。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路及其形成方法

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