申请/专利权人：新唐科技股份有限公司

申请日：2021-02-01

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113497117A

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/78(20060101);H01L27/088(20060101)

优先权：["20200319 TW 109109085"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.19#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明提供了一种高压集成电路结构，包括：衬底，具有第一导电类型；外延层设置于衬底上，其中外延层具有与第一导电类型不同的第二导电类型；源极区和漏极区，设置于外延层中，且具有第二导电类型；第一隔离结构和第二隔离结构，设置于外延层上，并分别位于漏极区的相对两侧，其中第一隔离结构位于源极区与漏极区之间；第一导电类型隔离区，位于第二隔离结构下的外延层中，包括：空槽区，设置于第一导电类型隔离区的中心区，且由外延层所构成；以及第一导电类型高压阱区，设置于空槽区的相对两侧。

主权项：1.一种高压集成电路结构，其特征在于，包括：一衬底，具有一第一导电类型；一外延层，设置于该衬底上，其中该外延层具有与该第一导电类型不同的一第二导电类型；一源极区和一漏极区，设置于该外延层中，且具有该第二导电类型；一第一隔离结构和一第二隔离结构，设置于该外延层上，并分别位于该漏极区的相对两侧，其中该第一隔离结构位于该源极区与该漏极区之间；一第一导电类型隔离区，位于该第二隔离结构下的该外延层中，包括：一空槽区，设置于该第一导电类型隔离区的中心区，且由该外延层所构成；以及一第一导电类型高压阱区，设置于该空槽区的相对两侧；一第二导电类型微阱区，其中该第二导电类型微阱区设置于该空槽区上，并邻接该第二隔离结构，且该第二导电类型微井区的掺杂浓度大于该空槽区的掺杂浓度；一第一埋层，设置于该衬底内且具有该第一导电类型，其中该第一埋层位于该第一导电类型隔离区下，并邻接该空槽区；以及一第二埋层，设置于该衬底内且具有该第二导电类型，其中该第二埋层位于该漏极区与该第一导电类型隔离区之间，且该第一埋层与该第二埋层彼此分隔开。

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权利要求：

百度查询： 新唐科技股份有限公司 高压集成电路结构

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