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【发明公布】磁存储装置及磁存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202110205075.3 

申请/专利权人:铠侠股份有限公司

申请日:2021-02-24

公开(公告)日:2021-10-12

公开(公告)号:CN113496730A

主分类号:G11C11/16(20060101)

分类号:G11C11/16(20060101);H01L27/22(20060101)

优先权:["20200319 JP 2020-048781"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要:实施方式提供可靠性高的磁存储装置。实施方式的磁存储装置包括:层叠体、层叠体的侧面上的第一氮化物、第一氮化物的侧面上的第一层、第一层的侧面上的第二层、层叠体上的第一电极及第二层的侧面上的第二氮化物。层叠体包括:第一铁磁性层、第二铁磁性层及第一铁磁性层与第二铁磁性层之间的绝缘层。第二层在第一层的上表面的上方与第一层相接。

主权项:1.一种磁存储装置,具备:层叠体,其包括第一铁磁性层、第二铁磁性层及所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的绝缘层;所述层叠体的侧面上的第一氮化物;所述第一氮化物的侧面上的第一层;第二层,其位于所述第一层的侧面上且在所述第一层的上表面的上方与所述第一层相接;所述层叠体上的第一电极;以及所述第二层的侧面上的第二氮化物。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 铠侠股份有限公司 磁存储装置及磁存储装置的制造方法

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