申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-03-02

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113496735A

主分类号：G11C13/00(20060101)

分类号：G11C13/00(20060101)

优先权：["20200623 US 16/908,914"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本申请的各种实施例针对存储器单元、包括存储器单元的集成芯片和操作存储器件的方法。在一些实施例中，存储器单元包括具有可变电阻的数据存储元件和与该数据存储元件串联电耦合的单极性选择器。该存储器单元被配置成通过在数据存储元件和单极性选择器上施加的具有单极性的写入电压来写入。

主权项：1.一种存储器单元，包括：数据存储元件，具有可变电阻；以及单极性选择器，与所述数据存储元件串联电耦合；其中，所述存储器单元被配置成通过在所述数据存储元件和所述单极性选择器上施加的单极性写入电压而从第一数据状态写入至第二数据状态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器单元、集成芯片及操作存储器件的方法

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