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【发明公布】反向传导绝缘栅双极晶体管的制造方法_万国半导体国际有限合伙公司_202110278151.3 

申请/专利权人:万国半导体国际有限合伙公司

申请日:2021-03-15

公开(公告)日:2021-10-12

公开(公告)号:CN113497135A

主分类号:H01L29/739(20060101)

分类号:H01L29/739(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/423(20060101)

优先权:["20200319 US 16/824,598"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要:本发明公开了一种制备多个反向传导绝缘栅双极晶体管RCIGBT的方法。该工艺包括以下步骤:制备一个晶圆、使用第一研磨工艺、形成掩模图案、使用刻蚀工艺、移除掩模、注入N++型掺杂物、使用形成TAIKO环的第二研磨工艺、注入P+型掺杂物、退火和沉积TiNiAg或TiNiVAg、移除TAIKO环、贴上胶带,并使用分离工艺。掩模可以是软掩模或硬掩模。刻蚀工艺可以仅使用湿刻蚀;湿刻蚀后使用干刻蚀;或仅使用干刻蚀。

主权项:1.一种用于制备多个反向传导绝缘栅双极晶体管RCIGBT的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:制备一个晶圆,包括多个绝缘栅双极晶体管IGBT顶部结构形成在晶圆的第一面上;在晶圆的第二面上,形成一个掩模的图案,晶圆的第二面在晶圆第一面的对面;利用一个刻蚀工艺,在晶圆的第二面上形成多个沟槽;除去掩模;从晶圆的第二面将N++型掺杂物注入到多个沟槽的多个底面中;利用一个研磨工艺,研磨晶圆的第二面到多个沟槽的多个底面,减薄晶圆的厚度;从第二面注入P+型掺杂物,形成多个P+区和多个N+区;在第二面沉积一个金属层,覆盖多个P+区和多个N+区;并且使用分离工艺,将多个IGBT顶部结构分离成多个RCIGBT。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 万国半导体国际有限合伙公司 反向传导绝缘栅双极晶体管的制造方法

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