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【发明公布】发光装置以及制造发光装置的方法_波音公司_202110284608.1 

申请/专利权人:波音公司

申请日:2021-03-17

公开(公告)日:2021-10-12

公开(公告)号:CN113497166A

主分类号:H01L33/06(20100101)

分类号:H01L33/06(20100101);H01L33/24(20100101);H01L33/00(20100101);A61L2/10(20060101)

优先权:["20200318 US 16/822,512"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.03.03#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要:本发明涉及发光装置以及制造发光装置的方法。用于发射UVC辐射的发光装置。该装置包括基底和图案化层。图案化层包括在基底上的多个掩模区。基底的暴露部分设置在掩模区之间。多个纳米结构设置在基底的暴露部分上和掩模区之上,多个纳米结构是单晶半导体并包括核芯尖端。有源层设置在多个纳米结构之上。有源层为量子阱结构,并包括选自AlN、AlGaN和GaN中的至少一种材料。p掺杂层设置在有源层之上。有源层和p掺杂层两者都与多个纳米结构共形,以便在核芯尖端之上形成发射器尖端。

主权项:1.一种用于发射UVC辐射的发光装置,所述发光装置包括:基底;图案化层,所述图案化层包括在所述基底上的多个掩模区,所述基底的暴露部分设置在所述掩模区之间;多个纳米结构,所述多个纳米结构设置在所述基底的所述暴露部分上和所述掩模区之上,所述多个纳米结构是单晶半导体并且包括核芯尖端;有源层,所述有源层设置在所述多个纳米结构之上,所述有源层为量子阱结构并且包括选自AlN、AlGaN和GaN中的至少一种材料;以及p掺杂层,所述p掺杂层设置在所述有源层之上,所述有源层和所述p掺杂层两者与所述多个纳米结构共形,以便在所述核芯尖端之上形成发射器尖端。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 波音公司 发光装置以及制造发光装置的方法

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