申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司

申请日：2021-03-19

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113497136A

主分类号：H01L29/739(20060101)

分类号：H01L29/739(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/331(20060101)

优先权：["20200320 US 16/825122"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.03#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：公开了具有降低的正向恢复电压的反向导通绝缘栅双极晶体管。根据功率半导体器件的实施例，器件包括：半导体衬底，半导体衬底包括具有IGBT的IGBT区和具有二极管的二极管区。IGBT区包括垂直于半导体衬底的第一主表面延伸的多个第一沟槽。二极管区包括垂直于半导体衬底的第一主表面延伸的多个第二沟槽。第二沟槽中的相邻的第二沟槽之间的平均横向间隔大于第一沟槽中的相邻的第一沟槽之间的平均横向间隔。如描述对应的生产方法那样，在此描述了附加的功率半导体器件实施例。

主权项：1.一种功率半导体器件，包括：半导体衬底，其包括IGBT绝缘栅双极晶体管区和二极管区，IGBT区包括IGBT，二极管区包括二极管，IGBT区在顶视图中具有第一区域并且二极管区在顶视图中具有第二区域，其中IGBT区包括多个第一沟槽，所述多个第一沟槽包括第一沟槽电极并且垂直于半导体衬底的第一主表面延伸，其中二极管区包括多个第二沟槽，所述多个第二沟槽具有第二沟槽电极并且垂直于半导体衬底的第一主表面延伸，其中所述多个第一沟槽提供在IGBT区中的第一沟槽电极和半导体衬底之间的第一电容，并且所述多个第二沟槽提供在二极管区中的第二沟槽电极和半导体衬底之间的第二电容，其中第二电容的按第二区域的电容密度小于第一电容的按第一区域的电容密度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 具有降低的正向恢复电压的反向导通绝缘栅双极晶体管

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