申请/专利权人:南方科技大学
申请日:2021-06-15
公开(公告)日:2021-10-12
公开(公告)号:CN113496946A
主分类号:H01L21/768(20060101)
分类号:H01L21/768(20060101);C09K13/00(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开
摘要:本发明提出了一种单片层间通孔的制备方法。所述单片层间通孔的制备方法包括以下步骤:1掩膜图形的制备:将硅片依次进行旋涂、前烘、曝光、显影和坚膜;2去氧化层预处理:将形成掩膜图形的硅片置于酸溶液中浸泡,除去硅片表面氧化的SiO2薄膜;3生物化学变温刻蚀:将去氧化层的硅片置于生物化学刻蚀液中浸泡,进行生物化学变温刻蚀,形成单片层间通孔;其中,所述生物化学刻蚀液为含产碱厌氧菌的刻蚀液。本发明提出的基于生物化学方式制单片层间通孔的方法可以保证良好的刻蚀效果以及通孔刻蚀质量的前提下,有效的杜绝现有刻蚀方法中出现的各项问题。
主权项:1.一种单片层间通孔的制备方法,其特征在于,所述单片层间通孔的制备方法包括以下步骤:1掩膜图形的制备:将硅片依次进行旋涂、前烘、曝光、显影和坚膜;2去氧化层预处理:将形成掩膜图形的硅片置于酸溶液中浸泡,除去硅片表面氧化的SiO2薄膜;3生物化学变温刻蚀:将去氧化层的硅片置于生物化学刻蚀液中浸泡,进行生物化学变温刻蚀,形成单片层间通孔;其中,所述生物化学刻蚀液为含产碱厌氧菌的刻蚀液。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 南方科技大学 一种单片层间通孔的制备方法
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