申请/专利权人：东莞理工学院

申请日：2021-07-07

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113497361A

主分类号：H01Q17/00(20060101)

分类号：H01Q17/00(20060101);B82Y30/00(20110101);G01J3/42(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.13#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明涉及一种图案化SiC微细结构及其应用。该图案化SiC微细结构为在6H‑SiC晶片基板上的图案化金膜上生长的SiC纳米针阵列，纳米针垂直于金膜的表面，具有渐缩的竹节状几何形状以及尖锐的尖端。纳米针长为0.1‑100μm，根部直径约为180nm，尖端直径约为10nm。该图案化SiC微细结构作为太赫兹吸波材料。本发明的图案化SiC微细结构太赫兹吸波材料具有增强的吸波性能,且对入射角度不敏感。

主权项：1.一种图案化SiC微细结构，其特征在于，所述SiC微细结构为垂直生长在图案化金膜表面的SiC纳米针阵列，SiC纳米针阵列中的纳米针具有渐缩的竹节状几何形状以及尖端，纳米针长0.1-100μm，直径为10-200nm，尖端的直径为10nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东莞理工学院 一种图案化SiC微细结构及其应用

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