申请/专利权人：苏州乐琻半导体有限公司

申请日：2016-11-09

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN108352426B

主分类号：H01L33/14(20060101)

分类号：H01L33/14(20060101);H01L33/00(20060101);H01L33/32(20060101);H01L33/48(20060101)

优先权：["20151109 KR 10-2015-0156638"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.10.12#授权;2018.12.07#实质审查的生效;2018.07.31#公开

摘要：实施例涉及一种紫外发光器件、紫外发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明装置。根据实施例的紫外发光器件包括：具有光提取结构的第一导电型第一半导体层；在第一导电型第一半导体层上的蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上的第一导电型第二半导体层；在第一导电型第二半导体层上的有源层；在有源层上的第二导电型半导体层；以及设置在蚀刻阻挡层和有源层之间的电子传播层，其中电子传播层包括第一导电型未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层、未掺杂的AlN、和第一导电型AlGaN基第二半导体层，从而由于第一导电型未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层与未掺杂的AlN之间的晶格常数差异，通过压电产生内部场，从而诱导电子在第一导电型未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层与未掺杂的AlN之间的界面处传播，因而能够改善电子传播。

主权项：1.一种紫外发光器件，包括：支撑构件；位于所述支撑构件上的发光结构；所述发光结构包括：第二导电型半导体层和第一导电型半导体层，设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的有源层；第一电极，设置在所述发光结构下方并电连接到所述第二导电型半导体层；第二电极，设置在所述第一电极下方并电连接到所述第一导电型半导体层；以及其中所述第一导电型半导体层包括：第一导电型第二半导体层，以及位于所述第一导电型第二半导体层上的第一导电型第一半导体层；其中所述发光结构包括将第一导电型第二半导体层暴露到外部的多个凹部，其中凹部的底表面暴露所述第一导电型第一半导体层，其中所述第一导电型第一半导体层包括光提取图案，其中蚀刻阻挡层设置在所述第一导电型第一半导体层与所述第一导电型第二半导体层之间，其中电子传播层设置在所述蚀刻阻挡层与所述第一导电型第二半导体层之间，其中所述电子传播层包括第一导电型AlGaN基第四半导体层、未掺杂AlN层、第一导电型AlGaN基第五半导体层、以及未掺杂的AlGaN基半导体层，其中所述第一导电型AlGaN基第四半导体层设置在所述蚀刻阻挡层与未掺杂AlN层之间，其中所述未掺杂AlN层设置在所述第一导电型AlGaN基第四半导体层与第一导电型AlGaN基第五半导体层之间，所述第一导电型AlGaN基第五半导体层设置在所述未掺杂AlN层与未掺杂的AlGaN基半导体层之间，所述未掺杂的AlGaN基半导体层设置在所述第一导电型AlGaN基第五半导体层与所述第一导电型第二半导体层之间，其中所述未掺杂AlN层的带隙能量比所述第一导电型AlGaN基第四半导体层、所述第一导电型AlGaN基第五半导体层和所述未掺杂的AlGaN基半导体层的带隙能量大。

全文数据：紫外线发光器件和发光器件封装技术领域[0001]实施例涉及一种紫外发光器件、一种用于制造该紫外发光器件的方法、一种发光器件封装以及一种照明器件。背景技术[0002]发光器件LED是具有将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且可以通过混合周期表上的第III-V族元素或第II-VI族元素来形成，并且可以通过调整化合物半导体的组成比来表现各种颜色。[0003]氮化物半导体由于其高的热稳定性和宽的带隙能量而在光学器件和高输出电子器件的发展领域受到极大关注。具体地，使用氮化物半导体的紫外UVLED、蓝色LED、绿色LED、红色LED等被商业化并广泛使用。[0004]UVLED是发射200至400nm波长范围内的光的发光器件。UVLm由短波长和长波长组成，具体取决于应用。短波长用于灭菌或净化，长波长可用于曝光装置或固化装置等。[0005]同时，为了提高光提取效率，UVLED通过诸如光电化学PEC等的方法在n型半导体层上形成光提取图案。[0006]然而，光提取图案的过蚀刻可能发生在n型半导体层中，并且过蚀刻导致短路。即，通常的n型半导体层中通过PEC形成光提取图案由于短路等而具有成品率下降的问题。[0007]同时，通常的UVLH具有电流集中在与电极相邻区域中的问题。发明内容[0008]【技术问题】[0009]实施例可以提供能够改善电子传播spread的紫外发光器件、用于制造紫外发光器件的方法、发光器件封装和照明器件。[0010]此外，实施例可以提供能够改善缺陷的紫外发光器件、用于制造紫外发光器件的方法、发光器件封装和照明器件。[0011]【技术方案】[0012]根据实施例的紫外发光器件包括:具有光提取结构的第一导电型第一半导体层；在第一导电型第一半导体层上的蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上的第一导电型第二半导体层，在第一导电型第二半导体层上的有源层;在有源层上的第二导电型半导体层；以及设置在所述蚀刻阻挡层和所述有源层之间的电子传播层electronspreadinglayer，其中所述电子传播层包括第一导电型或未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层、未掺杂的A1N、和第一导电型AlGaN基第二半导体层，从而由于第一导电型或未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层与未掺杂的A1N之间的晶格常数的差异，通过压电产生内场，并且诱导电子在第一导电型或未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层与未掺杂的A1N之间的界面处传播，可以改善电子传播。[0013]根据实施例的发光器件封装可以包括所述紫外发光器件。[0014]【有益效果】[0015]在实施例的紫外发光器件中，光提取图案的深度受到限制，从而可以改善由短路导致的成品率降低。n'[0016]另外，实施例的紫外发光器件可以改善结晶度。[0017]另外，实施例的紫外发光器件可以改善电子传播。附图说明[0018]图1是示出根据实施例的紫外发光器件的平面图。[0019]图2是沿着图1的线I-r截取的紫外发光器件的截面图。[0020]图3是示出实施例的蚀刻阻挡层和电子传播层的截面图。[0021]图4是示出实施例的蚀刻阻挡层和电子传播层的能带隙图的视图。[0022]图5至图9是不出根据实施例的用于制造紫外发光器件的方法的截面图。[0023]图10是示出根据另一实施例的紫外发光器件的截面图。。[0024]图11是不出根据另一实施例的蚀刻阻挡层和电子传播层的截面图。[0025]图12是不出根据实施例的发光器件封装的截面图。具体实施方式[0026]在实施例的描述中，将理解的是，当层或膜）、区域、图案或结构被称为在另一层或膜）、区域、图案或结构“上方之上”或“之下”时，术语“上方之上”和“之下，，包括“直接”和“通过插入其它层（间接”的含义。此外，关于每个层的“上方之上，，或“之下”的参考将其于附图进行。夕[0027]图1是示出根据实施例的紫外发光器件的平面图，图2是沿着图1中的线1-1，截取的紫外发光器件的截面图，图3是示出实施例的蚀刻阻挡层和电子传播层的截面图，图4是示出实施例的蚀刻阻挡层和电子传播层的能带隙图的图。'[0028]如图1至图4所示，根据实施例的紫外发光器件10呵以包括发光结构n〇。[0029]发光结构110可以包括:第一导电型的AlGaN基第一半导体层112a，蚀刻阻挡层120,电子传播层130,第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b，有源层114,和第二导电型的AlGaN基半导体层116。[0030]第了导电型的AlGaN基第一半导体层112a和第一导电型的△…^^基第二半导体层11¾可以被实现为半导体化合物，例如，诸如n—IV族和m—v族的半导体化合物，并且可以掺杂第一导电型掺杂剂。例如，第一导电型的六“^^基第一半导体层112£1和第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b可以包括具有AlnGai-nN0n彡1的经验公式的半导体材料。当第一导电型的AlGaN基第一半导体层U2a和第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b是n型半导体层时，可以包括31、〇6、811、56和16作为11型掺杂剂，但是本发明不限于此。[0031]第一导电型的A1GaN基第一半导体层112a可以包括用于提高光提取效率的光提取图案|13。光提取图案113可以通过诸如PEC的方法形成，但是不限于此。光提取图案n3可以形成为具有规则的形y和排列，并且可以形成为具有不规则的形状和排列。光提取图案11S可以将从有源层114产生并且从第一导电型的A1GaN基第一半导体层112£1的上表面全反射以被重新吸收的光折射到外部，由此提高光提取效率。[0032]第一导电型AlGaN基第二半导体层11213的厚度可以是15〇〇nm或更大。例如，第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b的厚度可以是1500至2500nm，但是不限于此。[0033]蚀刻阻挡层120可以限制光提取图案113的形成深度。例如，蚀刻阻挡层丨20可以包括AINl2〇a和第一导电型AlGaN基第三半导体层120b。这里，AIN120a可以包括第一导电型掺杂剂，但不限于此。AIN120a的A1具有比第一导电型的AlGaN基第一半导体层U2a的Ga更大的键能。结果，蚀刻阻挡层120的蚀刻速率可以比第一导电型的AlGaN基第一半导体层112a的蚀刻速率慢。因此，在通过蚀刻第一导电型AlGaN基第一半导体层112a而形成光提取图案113时，借助蚀刻阻挡层120的缓慢蚀刻速率，光提取图案113难以具有穿透蚀刻阻挡层120的深度。蚀刻阻挡层120可以形成为使得AIN120a和第一导电型的AlGaN基第三半导体层120b以五对或更多对交替。例如，蚀刻阻挡层120可以形成为使得AIN120a和第一导电型的AlGaN基第三半导体层120b以5到15对交替。当AIN120a和第一导电型的AlGaN基第三半导体层120b以少于五对交替时，蚀刻阻挡层120的蚀刻阻挡效果可能劣化。当A1Nuoa和第一导电型的AlGaN基第三半导体层l2〇b以超过15对交替时，由于晶格常数的差异，蚀刻阻挡层120的结晶度可能劣化。[0034]AIN120a的厚度可以是〇.5nm或更大。例如，AIN120a的厚度可以是〇.5至3nm。当AIN120a的厚度小于〇•5腦时，蚀刻阻挡效果可能劣化。当ain120a的厚度超过3nm时，晶格小的AINl2〇a可能使结晶度劣化，并且载流子注入效率可能劣化。[0035]弟一导电型的AlGaN基第二半导体层120b的厚度可以是lnm或更大。例如，第一导电型的AlGaN基第三半导体层120b的厚度可以是1至5nm。当第一导电型AlGaN基第三半导体层120b的厚度小于lnm时，电子传播效果可能劣化，并且当第一导电型AlGaN基第三半导体层120b的厚度超过5nm时，结晶度可能恶化。第一导电型的AlGaN基第三半导体层120b可以是八1£^31-31'10_40_8。当铝认1组分小于0.4时，蚀刻阻挡效果可能劣化，并且当铝A1组分a超过0.8时，结晶度可能劣化。[0036]蚀刻阻挡层120的总厚度可以是15至25nm。当蚀刻阻挡层120的厚度小于l5nm时，电子传播效果可能劣化，并且当蚀刻阻挡层120的厚度超过25nm时，结晶度可能劣化。[0037]在本实施例的紫外发光器件100中，由于蚀刻阻挡层120形成在第一导电型A1GaN基第一半导体层112a和第一导电型AlGaN基第二半导体层11¾之间以限制光提取图案113的深度，所以可以改善过蚀刻。因此，本实施例的紫外发光器件可以改善由于短路而导致的成品率下降。[0038]另外，本实施例的紫外发光器件1〇〇可以包括由形成为以五对或更多对交替的A1N120a和第一导电型的AlGaN基第三半导体层120b引起的位错阻挡效果。[0039]本实施例的紫外发光器件100可以包括在蚀刻阻挡层丨加下的电子传播层130。电子传播层130可以在比蚀刻阻挡层120更高的温度下形成。电子传播层130可以在比蚀刻阻挡层120更高的温度下生长，以改善蚀刻阻挡层120的缺陷。[0040]电子传播层130可以设置在蚀刻阻挡层120与第一导电型AlGaN基第二半导体层112b之间。电子传播层130可以同时改善晶体缺陷并改善电子传播。例如，电子传播层13〇可以包括:弟一导电型的AlGaN基第四半导体层130a，未掺杂的AIN130b，第一导电型的AlGaN基第五半导体层l3〇c，以及未掺杂的AlGaN基半导体层130d。由于第一导电型AlGaN基第四半导体层130a与未掺杂AIN130b之间的晶格常数的差异，电子传播层130可通过压电产生内场，使得电子传播可被诱发在第一导电型的AlGaN基第四半导体层130a和未掺杂的A1Nl3〇b乙间的界面处。电子传播层丨加可以形成为使得第一导电型的A1GaN基第四半导体层130a、未掺杂的AIN130b、第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c和未掺杂的AlGaN基半导体层l3〇d以两对或更多对交替。例如，电子传播层130可以形成为使得第一导电型的AlGaN基第四半导体层130a、未掺杂的AIN130b、第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c和未掺杂的AlGaN基半导体层I30d以两到四对交替。当电子传播层130被形成为使得第一导电型的AlGaN基第四半导体层i3〇a、未掺杂的AIN130b、第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c和未掺杂的AlGaN基半导体层I30d以少于两对交替时，电子传播效果可能会恶化。当电子传播层130被形成为使得第一导电型的A1GaN基第四半导体层13〇£1、未掺杂的A1N130b、第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c和未掺杂的AlGaN基半导体层130d以大于四对交替时，结晶度可能变差。[0041]第一导电型的AlGaN基第四半导体层l：3〇a可以设置在蚀刻阻挡层12〇和未掺杂的AIN130b之间。第一导电型基第四半导体层13此可以设置在未掺杂的A1GaN基半导体层130d和未掺杂的AIN130b之间。第一导电型AlGaN基第四半导体层130a的厚度可以是5nm或更大。例如，第一导电型的A1GaN基第四半导体层13〇的厚度可以是5M2〇nm。当第一导电型的AlGaN基第四半导体层13〇3的厚度小于5nm时，电子传播效果可能劣化。当第一导电型的AlGaN基第四半导体层13〇的厚度超过2〇nm时，电子传播层130的总厚度可能变厚。这里，在该实施例中，第一导电型的AlGaN基第四半导体层130a可以包括第一导电型的掺杂剂，但是不限于此，第一导电型的AlGaN基第四半导体层130a可以是未掺杂的AlGaN基半导体层。[0042]未掺杂的六以130b可以设置在第一导电型腐痛第四半导体层丨施和第一导电型AlGaN基桌五半导体层130c之间。未掺杂的AIN130b可以具有比第一导电型的AlGaN基第四半导体层130a更大的带隙能量。未掺杂的AINl3〇b的厚度可以是〇.5nm或更大。例如，未掺杂的AIN130b的厚度可以是0.5至1.5nm。当未掺杂的AIN130b的厚度小于〇.5nm时，电子传播效果可能劣化。当未掺杂的AIN130b的厚度超过1.5nm时，结晶度可能劣化。[0043]第一导电型的AlGaN基第五半导体层130：可以设置在未掺杂的A1N13%和未掺杂的AlGaf半导体层I30d之间，并且A1组分可以随着朝向未掺杂的AlGaN基半导体层130d逐渐降低。第一导电型的AlGaN基第五半导体层l3〇c的A1组分从未掺杂的AIN130b朝向未掺杂的AlGaN基半导体层130d逐渐减小，因此可以提高结晶度。第一导电型A1GaN基第五半导体层130c可以是AlbGai-bN0.25彡b0_35。当铝A1组分⑹小于〇.25时，电子传播效果可能劣化。当铝A1组分b超过0•35时，结晶度可能劣化。第一导电型基第五半导体层130c的厚度可以是I5nm或更大。例如，第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c的厚度以是15至25nm。当第一导电型的AlGaN基第五半导体层i30c的厚度小于15咖时，电子传播效果可能劣化。当第一导电型的AlGaN基第五半导体层130C的厚度超过25nm时，结晶度可能劣化。[0044]未掺杂的AlGaN基半导体层130d可以设置在第一导电型第五半导体层130c和第一导电型AlGaN基第四半导体层130a之间。未掺杂的A1GaN基半导体层13〇d可以设置在第一导电型AlGaN基第五半导体层l；3〇c和第一导电型A1GaN基第二半导体层1121?之间。未掺杂的AlGaN基半导体层130d的厚度可以为3nm或更大。例如，未掺杂的AlGaN基半导体层130d的厚度可以是3至l〇nm。当未掺杂的AlGaN基半导体层l3〇d的厚度小于3nm时，电子传播效果可能劣化。当未掺杂的AlGaN基半导体层130d的厚度超过lOnm时，工作电压Vf可能增加。[0045]在实施例的紫外发光器件100中，电子传播层130可以设置在蚀刻阻挡层120和第一导电型AlGaN基第二半导体层U2b之间，因此电子传播效果可以改善。[0046]另外，在实施例的紫外发光器件1〇〇中，由于在形成蚀刻阻挡层120之后形成在比蚀刻阻挡层120高的温度下形成的电子传播层130,所以可以阻止由蚀刻阻挡层120引起的缺陷进入到第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b中，并且因此可以改善发光器件的结晶度。[0047]有源层114可以形成为单量子阱结构、多量子阱MQW结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。[0048]有源层114是通过第一导电型AlGaN基第二半导体层112b注入的电子或空穴遇到通过第二导电型AlGaN基半导体层116注入的空穴或电子）的层，并且通过根据有源层114的形成材料的能带的带隙差来发射光。[0049]有源层114可以由化合物半导体构成。例如，有源层114可以实施为II-IV族和III-V族化合物半导体中的至少一种。[0050]有源层114可以包括量子阱和量子墙。当有源层114被实现为MQW结构时，量子阱和量子墙可以被交替布置。量子阱和量子墙可以分别设置有经验公式为InxAlyGai_x_yN〇彡xl，〇yl，0彡x+y彡1的半导体材料，或者可以形成作为AlGaNGaN、AlGaNAlGaN、InGaNGaN、InGaNInGaN、InAlGaNGaN、GaAsAlGaAs、InGaAsAlGaAs、GaPAlGaP和InGaPAlGaP中的任何一对或多对结构，但不限于此。[0051]第二导电型的AlGaN基半导体层116可以被实现为半导体化合物，例如诸如II-IV族和III-V族的化合物半导体，并且可以被掺杂有第二导电型掺杂剂。例如，第二导电型的AlGaN基半导体层116可以包括具有AlpGai-pNOXpO的经验公式的半导体材料。当第二导电型AlGaN基半导体层116是p型半导体层时，第二导电型掺杂剂可以包括啦、211、^、分、Ba等作为p型掺杂剂。[0052]尽管第一导电型AlGaN基第一半导体层112a和第一导电型AlGaN基第二半导体层11¾被称为n型半导体层并且第二导电型A1GaN基半导体层116被称为p型半导体层，但第一导电型AlGaN基第一半导体层112a和第一导电型AlGaN基第二半导体层112b可以形成为p型半导体层，第二导电型AlGaN基半导体层116可以形成为n型半导体层，并且不限于此。可以在第二导电型AlGaN基半导体层lie上形成具有与第二导电型的极性相反的极性的半导体，例如，n型半导体层未不出）。因此，发光结构11〇可以实施为叩结结构、卯结结构、npn结结构和pnp结结构中的任何一种结构。[00^3]^第一电极17〇可以设置在发光结构110下方。第一电极170可以设置在发光结构110和第二电极160之间。第一电极170可以电连接到第二导电型A1GaN基半导体层116。第一电极170可以与第二电极160电绝缘。第一电极170可以包括接触层171、反射层173、覆盖层175和焊盘177。[0054]接触层171可以设置在第二导电型AlGaN基半导体层116下面。接触层171可以与第二导电型AlGaN基半导体层116直接接触。接触层171可以设置在第二导电型八1};^基半导体层116和反射层173之间。接触层171可以电连接到第二导电型A1GaN基半导体层116。接触层171可以是导电氧化物、导电氮化物、或者金属。例如，接触层171可以包括下列至少之一:铟锡氧化物（ITO，ITO氮化物（ITON，铟锌氧化物（IZO，IZO氮化物（IZON，铝锌氧化物AZO，铝镓锌氧化物AGZO，铟锌锡氧化物（IZTO，铟铝锌氧化物（IAZO，铟镓锌氧化物IGZO，铟镓锡氧化物（IGTO，綈锡氧化物ATO，镓锌氧化物GZ0，IZ0氮化物（IZ0N，ZnO,IrOx，RuOx，NiO,In，Au，W，Al，Pt，Ag和Ti。[0055]反射层173可以设置在接触层171和覆盖层175之间。反射层173可以电连接到接触层171和覆盖层I75。反射层I73可以包括反射从发光结构11〇入射的光的功能。反射层173可以通过将来自发光结构110的光反射到外部来提高光提取效率。反射层173可以是金属。例如，反射层173可以是包括Ag、Ni、A1、1?11、？1、1；1：、1?11、1^、211、？1;、〇11、八11和11;1?中的至少一种的金属或合金。反射层173可以形成为单层或多层，包括金属或合金以及诸如IT〇、IZ〇、IZT〇、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO的透明导电材料。[00¾]覆盖层I75可以设置在反射层173下面。覆盖层1乃可以与反射层173的下表面直接接触。覆盖层I75可以设置在焊盘177下面。覆盖层175可以电连接到焊盘177。覆盖层175可以与焊盘177的下表面直接接触。覆盖层175可以提供从焊盘177供应到发光结构11〇的驱动功率。覆盖层175可以是导电材料。例如，覆盖层175可以包括Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、ff、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种，并且可以形成为单层或多层。覆盖层175的边缘可以比发光结构110的边缘更靠外布置。[0057]焊盘I77可以与发光结构110间隔开。焊盘1了7可以布置在比发光结构11〇更靠外的位置。焊盘177可以布置在覆盖层175上，其位置比发光结构11〇更靠外。焊盘177可以包括〇1、见、1'1、1^-¥、0^、？1:、¥£5和齔中的至少一种，并且可以形成为单层或多层。[0058]第二电极16〇可以设置在第一电极170下方。第二电极160可以电连接到第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b。第二电极160可以包括扩散阻挡层161、接合层163和支撑构件165。第二电极16〇可以选择性地包括扩散阻挡层161、接合层163和支撑构件165中的一个或两个。例如，第二电极160可以去除扩散阻挡层161和接合层163中的至少一个。[0059]在实施例的紫外发光器件100中，扩散阻挡层161的与第一导电型A1GaNg第二半导体层11¾接触的接触部分161a与电子传播层13〇之间的距离D可以是800nm或更多。例如，接触部分16la与电子传播层130之间的距离D可以是800至1200nm，但是不限于此。[0060]扩散阻挡层161可以包括防止包括在接合层163中的材料扩散到第一电极170中的功能。扩散阻挡层161可以电连接到接合层163和支撑构件165。扩散阻挡层161可以包括Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种，并且可以形成为单层或多层。[0061]接合层I63可以设置在扩散阻挡层161下方。接合层163可以设置在扩散阻挡层161与支撑构件ies之间。接合层ie3可以包括阻挡金属或接合金属等。例如，接合层163可以包括1'1、六11、511、犯、〇、0、111、：8：[、：11、六8、他、？1和1中的至少一种，并且可以形成为单层或多层。~[0062]支撑构件165可以是金属或载体衬底。例如，支撑构件165可以形成为其中注入了丁1、、附、六1、卩1:、六11、¥、：11、1〇、〇1-¥或杂质的半导体衬底（例如，51，^，^队^^53,211〇，以：，SiGe等）中的至少任何一种，并且可以形成为单层或多层。t〇〇63]在实施例的紫外发光器件10〇中，蚀刻阻挡层120可以形成在第一导电型AlGaN基第一半导体层112a和第一导电型AlGaN基第二半导体层11213之间，以将光提取图案113的深度限制到蚀刻阻挡层120,并且因此可以改善由于第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b中的短路而导致的成品率下降。[00M]另外，在实施例的紫外发光器件中，可通过由包括以五对或更多对交替地形成的AIN120a和第一导电型AlGaN基第三半导体层120b的蚀刻阻挡层120引起的位错阻挡效果，来改善发光结构110的结晶度。[0065]在实施例的紫外发光器件1〇〇中，电子传播层130可以设置在蚀刻阻挡层120和第一导电型AlGaN基第二半导体层112b之间，因此电子传播效果可以改善。[0066]另外，在实施例的紫外发光器件100中，由于在形成蚀刻阻挡层12〇之后形成在比蚀刻阻挡层12〇高的温度下形成的电子传播层130,所以可以阻止由蚀刻阻挡层120引起的缺陷进入到第一导电型AlGaN基第二半导体层11¾中，并且因此可以改善发光器件的结晶度。[0067]图5至图9是示出根据实施例的用于制造紫外发光器件的方法的截面图。[0068]参照图3和图5,可以在衬底S上形成发光结构11〇、接触层171、反射层173和覆盖层175。[0069]衬底5可以由具有优良导热性的材料形成，并且可以是导电衬底或绝缘衬底。例如，衬底5可以使用蓝宝石Al2〇3、SiC、Si、0々3、6]''}、211〇、6?、111?、66和62〇3中的至少一种。凹凸结构可以形成在衬底5上，但是衬底5不限于此。[0070]发光结构110可以通过金属有机化学气相沉积M0CVD法、化学气相沉积CVD法、等禺子体增强化学气相沉积PECVD法、分子束外延MBE和氢化物气相外延HVPE等形成，但不限于此。[0071]发光结构110可以包括：第一导电型的AlGaN基第一半导体层112a，蚀刻阻挡层12〇,电子传播层130,第一导电型AlGaN基第二半导体层112b，有源层114和第二导电型的AlGaN基半导体层116。[0072]第一导电型的AlGaN基第一半导体层112a和第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b可以被实现为半导体化合物，例如诸如n-IV族和m—v族的半导体化合物，并且可以掺杂第一导电型掺杂剂。例如，第一导电型的AlGaN基第一半导体层112a和第一导电型的AlGaN基第一半导体层112b可以包括具有AlnGai-nNXnl的经验公式的半导体材料。当第一导电型的AlGaN基第一半导体层112a和第一导电型的AlGaN基第二半导体层U2b是n型半导体层时，可以包括31、〇6、511、36和16作为11型掺杂剂，但是本发明不限于此。[0073]第寸电型的AlGaN基弟一半导体层112b的厚度可以是I500nm或更大。例如，第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b的厚度可以是1500至2500nm，但是不限于此。[0074]蚀刻阻挡层12〇可以形成在第一导电型AlGaN基第一半导体层11¾和第—导电型AlGaN基第二半导体层112b之间。蚀刻阻挡层120可以限制在发光器件制造工艺的后处理中形成的第导电型AlGaN基弟一半导体层11¾的光提取图案113的形成深度。例如，蚀刻阻挡层120可以包括AIN120a和弟一导电型的AlGaN基第三半导体层120b。这里，AIN120a可以包括第一导电型掺杂剂，但不限于此。AIN120a的A1具有比第一导电型的AlGaN基第一半导体层112a的Ga更大的键能。结果，蚀刻阻挡层120的蚀刻速率可以比第一导电型的MGaN基第一半导体层11¾的蚀刻速率慢。因此，在通过蚀刻第一导电型A1GaNs第一半导体层112a而形成光提取图案113时，借助蚀刻阻挡层12〇的缓慢蚀刻速率，光提取图案丨丨3难以具有穿透蚀刻阻挡层120的深度。蚀刻阻挡层120可以形成为使得AINl2〇a和第一导电型的AlGaN基第三半导体层l2〇b以五对或更多对交替。例如，蚀刻阻挡层120可以形成为使得A1N120a和第一导电型的AlGaN基第三半导体层120b以5到15对交替。当蚀刻阻挡层120形成为使得AIN120a和第一导电型AlGaN基第三半导体层120b以少于五对交替时，蚀刻阻挡效果可能劣化。当蚀刻阻挡层120被形成为使得AIN120a和第一导电型AlGaN基第三半导体层120b以超过15对交替时，由于晶格常数的差异，结晶度可能劣化。[0075]A1N:20a的厚度可以是0.5nm或更大。例如，AIN120a的厚度可以是0.5至3nm。当AIN120a的厚度小于〇.5nm时，蚀刻阻挡效果可能劣化。当AIN120a的厚度超过3nm时，晶格小的AIN120a可能使结晶度劣化，并且载流子注入效率可能劣化。[0076]第一导电型的AlGaN基第三半导体层120b的厚度可以是lrnn或更大。例如，第一导电型的AlGaN基第三半导体层120b的厚度可以是1至5nm。当第一导电型AlGaN基第三半导体层120b的厚度小于lnm时，电子传播效果可能劣化，并且当第一导电型A1GaN基第三半导体层120b的厚度超过5nm时，结晶度可能恶化。第一导电型的AlGaN基第三半导体层120b可以是AlaGai-aN0.4彡a彡0.8。当铝A1组分a小于0.4时，蚀刻阻挡效果可能劣化，并且当铝A1组分a超过0•8时，结晶度可能劣化。[0077]蚀刻阻挡层120的总厚度可以是15至25nm。当蚀刻阻挡层120的厚度小于l5nm时，电子传播效果可能劣化，并且当蚀刻阻挡层120的厚度超过25nm时，结晶度可能劣化。[0078]在实施例的紫外发光器件中，由于蚀刻阻挡层丨2〇形成在第一导电型AlGaN基第一半导体层11¾和第一导电型AlGaN基第二半导体层112b之间，使得光提取图案的深度受到限制，因此可以改善过蚀刻。因此，实施例的紫外发光器件可以改善由短路导致的成品率下降。[0079]另外，实施例的紫外发光器件可以包括由以五对或更多对交替形成的ain120a和第一导电型AlGaN基第三半导体层12〇b产生的位错阻挡效果。[0080]在实施例的紫外发光器件中，电子传播层130可以形成在蚀刻阻挡层120上。电子传播层130可以与蚀刻阻挡层12〇直接接触。电子传播层130可以在比蚀刻阻挡层12〇高的温度下形成。电子传播层13〇可以在比蚀刻阻挡层12〇高的温度下生长，以改善蚀刻阻挡层12〇的缺陷。[0081]电子传播层13〇可以形成在蚀刻阻挡层120与第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b之间。电子传播层130可以同时改善晶体缺陷并改善电子传播。例如，电子传播层i3〇可以包括:第一导电型的AlGaN基第四半导体层130a，未掺杂的AIN130b，第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c，以及未掺杂的AlGaN基半导体层130d。由于第一导电型AlGaN基第四半导体层130a和未掺杂AIN130b之间的晶格常数差异，电子传播层130可以由于压电而产生内部场，并且可以引起电子在第一导电型A1GaN基第四半导体层13〇!3和未掺杂六以13〇b之间的界面处传播。电子传播层130可以形成为使得第一导电型的A1GaNS第四半导体层130a、未掺杂的AINl3〇b、第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c和未掺杂的AlGaN基半导体层130d以两对或更多对交替。例如，电子传播层13〇可以形成为使得第一导电型的AlGaN基第四半导体层13〇£1、未掺杂的A1N13〇b、第一导电型的MGaN基第五半导体层13此和未掺杂的AlGaN基半导体层130d以两到四对交替。当电子传播层13〇被形成为使得第一导电型的AlGaN基第四半导体层130、未掺杂的A1N130b、第一导电型的A1GaN基第五半导体层l3〇c和未掺杂的AlGaN基半导体层130d以少于两对交替时，电子传播效果可能会劣化。当电子传播层130被形成为使得第一导电型的AlGaN基第四半导体层130a、未掺杂的A1N130b、第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c和未掺杂的AlGaN基半导体层130d以大于四对交替时，结晶度可能变差。[0082]第一导电型的AlGaN基第四半导体层130a可以形成在蚀刻阻挡层120和未掺杂的AIN130b之间。第一导电型的AlGaN基第四半导体层l：3〇a可以形成在未掺杂的A1GaN基半导体层130d和未掺杂的AIN130b之间。第一导电型AlGaN基第四半导体层130a的厚度可以是5nm或更大。例如，第一导电型的A1GaN基第四半导体层以此的厚度可以是5至2〇1通。当第一导电型的AlGaN基第四半导体层130a的厚度小于5nm时，电子传播效果可能劣化。当第一导电型的AlGaN基第四半导体层1鳥的厚度超过2〇nm时，蚀刻阻挡层⑽的总厚度可能变厚。这里，第一导电型AlGaN基第四半导体层130a在本实施例中包括第一导电型掺杂剂，但不限于此，第一导电型AlGaN基第四半导体层130a可以是未掺杂的AlGaN基第四半导体层。[0083]未掺杂的AIN130b可以形成在第一导电型的AlGaN基第四半导体层130a与第一导电型AlGaN基第五半导体层130c之间。未掺杂的AIN130b可以具有比第一导电型的AlGaN基第四半导体层130a更大的带隙能量。未掺杂的AIN130b的厚度可以是〇_5nm或更大。例如，未掺杂的AIN130b的厚度可以是〇_5至1.5nm。当未掺杂的AIN130b的厚度小于〇.5nm时，电子传播效果可能劣化。当未掺杂的AIN130b的厚度超过1•5nm时，结晶度可能劣化。[0084]第一导电型的AlGaN基第五半导体层l3〇c可以形成在未掺杂的A1N130b和未掺杂的AlGaN基半导体层130d之间，并且A1组分可以朝向未掺杂的AlGaN基半导体层130d逐渐降低。第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c的A1组分从未掺杂的AIN130b朝向未掺杂的AlGaN基半导体层130d逐渐减小，因此可以提高结晶度。第一导电型AlGaN基第五半导体层130c可以是AUGai—bN〇Kb彡0.35。当错A1组分⑹小于0.25时，电子传播效果可能劣化。当铝A1组分b超过0.35时，结晶度可能劣化。第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c的厚度可以是15nm或更大。例如，第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c的厚度可以是15至25nm。当第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c的厚度小于15nm时，电子传播效果可能劣化。当第一导电型的AlGaN基第五半导体层130c的厚度超过25nm时，结晶度可能劣化。[0085]未掺杂的AlGaN基半导体层130d可以设置在第一导电型AlGaN基第五半导体层130c和第一导电型AlGaN基第四半导体层130a之间。未掺杂的AlGaN基半导体层130d可以设置在第一导电型AlGaN基第五半导体层130c和第一导电型AlGaN基第二半导体层112b之间。未掺杂的AlGaN基半导体层130d的厚度可以为3nm或更大。例如，未掺杂的AlGaN基半导体层130d的厚度可以是3至l〇nm。当未掺杂的AlGaN基半导体层130d的厚度小于3nm时，电子传播效果可能劣化。当未掺杂的AlGaN基半导体层130d的厚度超过l〇nm时，工作电压Vf可能增加。[0086]在实施例的紫外发光器件中，电子传播层13〇可以设置在蚀刻阻挡层120与第一导电型AlGaN基第二半导体层112b之间，因此电子传播效果可以改善。[0087]另外，在实施例的紫外发光器件中，由于在形成蚀刻阻挡层120之后形成在比蚀刻阻挡层120高的温度下形成的电子传播层130,因此可以阻止由蚀刻阻挡层12〇引起的缺陷进入第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b中，并且因此可以改善发光器件的结晶度。[0088]有源层114可以形成为单量子阱结构、多量子阱MQW结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。[0089]有源层114是通过第一导电型AlGaN基第二半导体层112b注入的电子或空穴遇到通过第二导电型AlGaN基半导体层116注入的空穴或电子）的层，并且根据有源层114的形成材料的能带的带隙差而发射光。[0090]有源层114可以由化合物半导体组成。有源层114可以实施为II-IV族和III-V族化合物半导体中的至少一种。[0091]有源层114可以包括量子阱和量子墙。当有源层114被实现为MQW结构时，量子阱和量子墙可以被交替布置。量子阱和量子墙可以分别设置有经验公式为InxAlyGai-x-yN0彡xl，0y彡l，〇x+y彡1的半导体材料，或者可以形成为AlGaNGaN、A1GaNA1GaN、InGaNGaN、InGaNInGaN、InAlGaNGaN、GaAsAlGaAs、InGaAsAlGaAs、GaPAlGaP和InGaPAlGaP中的任何一对或多对结构，但不限于此。[0092]第二导电型的AlGaN基半导体层lie可以被实现为半导体化合物，例如诸如II-IV族和III-V族的化合物半导体，并且可以被掺杂有第二导电型掺杂剂。例如，第二导电型的AlGaN基半导体层II6可以包括具有AlpGai-PN0彡p彡1的经验公式的半导体材料。当第二导电型的AlGaN基半导体层116是p型半导体层时，第二导电型掺杂剂可以包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba作为p型掺杂剂。[0093]尽管第一导电型的AlGaN基第一半导体层112a和第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b被称为n型半导体层并且第二导电型AlGaN基半导体层116被称为p型半导体层，但第一导电型AlGaN基第一半导体层112a和第一导电型AlGaN基第二半导体层112b可以形成为P型半导体层，第二导电型AlGaN基半导体层II6可以形成为n型半导体层，并且不限于此。在第一导电型的AlGaN基半导体层116上，可以形成具有与第二导电型的极性相反的极性的半导体，例如，n型半导体层未示出）。因此，发光结构i10可以实施为n_p结结构、p_n结结构、n-p-n结结构和p-n-p结结构中的任何一种结构。[0094]接触层171可以形成在发光结构110上。接触层171形成在第二导电型的AlGaN基半导体层116上。接触层m可以与第二导电型AlGaN基半导体层116直接接触。接触层171可以是导电氧化物、导电氮化物或金属。例如，接触层171可以包括下列至少之一:铟锡氧化物ITO，ITO氮化物（ITON，铟锌氧化物（IZO，IZO氮化物（IZON，铝锌氧化物AZO，铝镓锌氧化物AGZO，铟锌锡氧化物IZTO，铟铝锌氧化物IAZO，铟镓锌氧化物IGZO，铟镓锡氧化物（IGTO，锑锡氧化物ATO，镓锌氧化物fcz〇、IZO氮化物（IZON，ZnO，IrOx，RuOx，祖0，111，八11^1，？扒六8和11。[0095]反射层173可以形成在接触层171和覆盖层丨？5之间。反射层丨73可以电连接到接触层171和覆盖层175。反射层173可以包括反射从发光结构110入射的光的功能。反射层173可以通过将从发光结构110入射的光反射到外部来提高光提取效率。反射层173可以是金属。例如，反射层173可以是包括八8、附、六1』11、？1、11'、1?11、1\%、211、？1:、〇1、六11細沖的至少一种的金属或合金。反射层I73可以形成为单层或多层，包括金属或合金以及诸如it〇、iz〇、izt〇、IAZO、IGZO、IGT0、AZ0或AT0的透明导电材料。[00%]覆盖层175可以形成在反射层173上。覆盖层175可以与反射层173的下表面直接接触。覆盖层175可以是导电材料。例如，覆盖层175可以包括Au、Cu、Ni、Ti、Ti_w、Cr、ff、pt、v、Fe和Mo中的至少一种，并且可以形成为单层或多层。覆盖层175的边缘可以比发光结构11的边缘更靠外布置。[0097]参照图6，可以在发光结构110中形成多个凹部141。凹部141可以通过蚀刻工艺形成。凹部141可以将第一导电型的AlGaN基第二半导体层U2b暴露到外部。凹部141可以将覆盖层175、反射层173和接触层171的侧表面暴露到外部，并且可以将第二导电型MGaN基半导体层116、有源层114和第一导电型AlGaN基第二半导体层l12b的侧表面暴露到外部。凹部141的底表面可以是第一导电型的AlGaN基第二半导体层112b。[OO98]参照图7,绝缘层143可以形成在覆盖层175和凹部141上，并且第二电极160可以形成在绝缘层143上。[00"]+绝缘层143可以使第一电极170和第二电极160彼此绝缘。绝缘层143可以使第二电极160和第二导电型AlGaN基半导体层116彼此绝缘。绝缘层143可以形成在凹部丨41的侧部上。即，绝缘层143可以使暴露于凹部141的侧部的覆盖层17；5、反射层1?3、接触层171、第二导电型AlGaN基半导体层116、有源层114以及第一导电型AlGaN基第二半导体层112b绝缘。绝缘层143可以暴露第一导电型AlGaN基第二半导体层U2b的位于凹部141底表面上的一部分。绝缘层143可以是氧化物或氮化物。例如，绝缘层丨43可以由选自由si〇2、six〇y、Si3N4、5^队、51«^12〇3、11〇2^1!^等组成的组中的至少一种形成。[0100]第二电极16〇可以形成在绝缘层143上。第二电极160可以形成到暴露在凹部141底表面上的第一导电型AlGaN基第二半导体层112b。第二电极160可以电连接到第一导电型AlGaN基第二半导体层112b。第二电极160可以包括扩散阻挡层161、接合层163和支撑构件165。第二电极160可以选择性地包括扩散阻挡层161、接合层163和支撑构件165中的一个或两个。例如，第二电极160可以去除扩散阻挡层iei和接合层163中的至少一个。一[0101]扩散阻挡层161可以包括防止包括在接合层丨⑽中的材料扩散到第一电极丨7〇的功能。扩散阻挡层161可以电连接到接合层W3和支撑构件W5。扩散阻挡层161可以包括Cu、犯、11、1^1、0^1：、¥、？6和齓中的至少一种，并且可以形成为单层或多层。[0102]接合层163可以形成在扩散阻挡层161上。接合层163可以布置在扩散阻挡层161和支撑构件I65之间。接合层163可以包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层163可以包括Ti、八11、511、附、0、63、111、81、：11、么8、吣、？1和了中的至少一种，并且可以形成为单层或多层。[0103]支撑构件165可以是金属或载体衬底。例如，支撑构件165可以形成为其中注入了11、、祖、厶1#*、1、〇1、]«〇、〇1-喊杂质的半导体衬底例如，以，；£3，^，}£^，1〇，训，SiGe等）中的至少任何一种，并且可以形成为单层或多层。[0104]参考图8和图9,可以从发光结构11〇移除衬底图7中的5。可以使用化学蚀刻方法来移除衬底图7中的5，但是不限于此。[0105]焊盘177可以形成在从发光结构11〇暴露的覆盖层175上。通过蚀刻工艺，覆盖层175的上表面可以从发光结构110暴露，并且暴露的覆盖层175可以位于发光器件的至少一个边缘区域中，但不限于此。[0106]焊盘177可以与发光结构110间隔开。焊盘177可以比发光结构11〇更靠外布置。焊盘1"77可以布置在覆盖层175上，其位置比发光结构11〇更靠外。焊盘177可以包括Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种，并且可以形成为单层或多层。[0107]在发光结构110上，可以形成被配置为改善光提取效率的光提取图案丨13。光提取图案113可以通过诸如PEC的方法形成，但是不限于此。光提取图案113可以形成为具有规则的形状和排列，也可以形成为具有不规则的形状和排列。[0108]光提取图案113可以将从有源层114产生的光折射到外部，从而可以改善光提取效率。[0109]在实施例的紫外发光器件100中，蚀刻阻挡层120可以形成在第一导电型A1GaN基第一半导体层112a和第一导电型AlGaN基第二半导体层11¾之间，以将光提取图案113的深度限制到蚀刻阻挡层12〇,并且因此可以改善由于第一导电型AlGaN基第二半导体层112b中的短路而导致的成品率下降。[0110]另外，在实施例的紫外发光器件中，通过由包括以五对或更多对交替形成的ainl2〇a和第一导电型AlGaN基第三半导体层120b的蚀刻阻挡层1加产生的位错阻挡效果，可以改善发光结构110的结晶度。[0111]在实施例的紫外发光器件1〇〇中，电子传播层丨3〇可以设置在蚀刻阻挡层120和第一导电型AlGaN基第二半导体层丨^匕之间，因此电子传播效果可以改善。[0112]另外，f实施例的紫外发光器件1〇〇中，由于在形成蚀刻阻挡层12〇之后形成在比蚀刻阻挡层120高的温度下形成的电子传播层130,因此可以阻止由蚀刻阻挡层12〇引起的缺陷进入第一导电型AlGaN基第二半导体层112b中，因此可以改善发光结构的结晶度。[0113]图10是示出根据另一实施例的紫外发光器件的截面图，图11是示出根据另一实施例的蚀刻阻挡层和电子传播层的截面图。[0114]如图10和图11所示，根据另一实施例的紫外发光器件2〇〇可以包括设置在发光结构21〇的上部的第一电极260和设置在发光结构21〇的下部的第二电极270。在根据另一实施例的紫外发光器件200中，电子传播层230可以设置在第一导电型GaN基第二半导体层212b和有源层214之间。[0115]发光结构210可以包括:第一导电型GaN基第一半导体层212a，蚀刻阻挡层22〇,第一导电型GaN基第二半导体层212b，电子传播层230,有源层214,和第二导电型GaN基半导体层216。[0116]第一导电型GaN基第一半导体层21¾和第一导电型GaN基第二半导体层212b可以实现为半导体化合物，例如，诸如II-IV族和III-V族的半导体化合物，并且可以掺杂第一导电型掺杂剂。当第一导电型GaN基第一半导体层212a和第一导电型GaN基第二半导体层212b是n型半导体层时，作为n型掺杂剂，第一导电型GaN基第一半导体层212a和第一导电型GaN基第二半导体层212b可以包括5;^6、311、56和16，但是不限于此。[0117]第一导电型GaN基第一半导体层212a可以包括用于提高光提取效率的光提取图案213。光提取图案213可以通过诸如PEC的方法形成，但不限于此。光提取图案213可以形成为具有规则的p状和排列，也可以形成为具有不规则的形状和排列。光提取图案2丨3可以将从有源层214产生并且从第一导电型GaN基第一半导体层21¾的上表面全反射以被重新吸收的光折射到外部，由此提高光提取效率。[0118]蚀刻阻挡层220可以限制光提取图案213的形成深度。例如，蚀刻阻挡层220可以包括AIN220a和第一导电型AlGaN基第一半导体层220b。这里，AIN220a可以包括第一导电型掺杂剂，但不限于此。AIN22〇a的A1具有比第一导电型GaN基第一半导体层212a的Ga更大的键能。结果，蚀刻阻挡层220的蚀刻速率可以比第一导电型GaN基第一半导体层212a的蚀刻速率慢。因此，在通过蚀刻第一导电型AlGaN基第二半导体层212b而形成光提取图案213时，借助蚀刻阻挡层22〇的缓慢蚀刻速率，光提取图案213难以具有穿透蚀刻阻挡层22〇的深度。蚀刻阻挡层220可以形成为使得AlN220a和第一导电型的AlGaN基第一半导体层22〇b以五对或更多对交替。例如，蚀刻阻挡层220可以被形成为使得AIN220a和第一导电型的A1GaNg第一半导体层220b以5到15对交替。当AIN220a和第一导电型AlGaN基第一半导体层22013以少于5对交替时，蚀刻阻挡效果可能劣化。当AIN220a和第一导电型的AlGaN基第一半导体层220b以超过15对交替时，由于晶格常数的差异，结晶度可能劣化。[0119]AIN220a的厚度可以是0_5nm或更大。例如，AIN220a的厚度可以是〇.5nm至3nm。当AIN220a的厚度小于0.5nm时，蚀刻阻挡效果可能劣化。当AIN220a的厚度超过3nm时，晶格小的AIN22〇a会使结晶度劣化，并且载流子注入效率可能劣化。[0120]第一导电型AlGaN基第一半导体层22〇b的厚度可以是lnm或更大。例如，第一导电型的AlGaN基第一半导体层220b的厚度可以是1至5mn。当第一导电型AlGaN基第一半导体层220b的厚度小于lnm时，电子传播效果可能劣化，并且当第一导电型六1；£^基第一半导体层22〇b的厚度超过5nm时，结晶度可能恶化。第一导电型AlGaN基第一半导体层220b可以是AlcGai-cN0•4«0•8。当铝A1组分c小于〇.4时，蚀刻阻挡效果可能劣化，并且当铝A1组分c超过〇.8时，结晶度可能劣化。[0121]蚀刻阻挡层220的总厚度可以是15至25nm。当蚀刻阻挡层220的厚度小于I5nm时，电子传播效果可能劣化，并且当蚀刻阻挡层220的厚度超过25nm时，结晶度可能劣化。[0122]在另一实施例的紫外发光器件200中，由于蚀刻阻挡层220形成在第一导电型GaN基第一半导体层212a和第一导电型GaN基第二半导体层212b之间以限制光提取图案213的深度，因此可以改善过蚀刻。因此，本实施例的紫外发光器件可以改善由于短路而导致的成品率下降。[0123]另外，另一实施例的紫外发光器件200可以包括由五对或更多对交替地形成的A1N220a和弟一导电型AlGaN基第一半导体层220b产生的位错阻挡效果。[0124]本实施例的紫外发光器件2〇〇可以包括在第一导电型GaN基第二半导体层21此下面的电子传播层230。电子传播层230可以在比蚀刻阻挡层220更高的温度下形成。电子传播层230可以在比蚀刻阻挡层220更高的温度下生长，以改善缺陷。[0125]电子传播层230可以设置在有源层214和第一导电型GaN基第二半导体层212b之间。电子传播层230可以同时改善晶体缺陷并改善电子传播。例如，电子传播层23〇可以包括:第一导电型GaN基第三半导体层23〇a，未掺杂AIN230b，第一导电型AlGaN基第二半导体层230c，和未掺杂GaN基半导体层230d。由于第一导电型的GaN基第三半导体层23〇a和未掺杂的AIN=0b之间的晶格常数的差异，电子传播层23〇可以通过压电产生内场，并且可以引^电子在弟一导电型GaN基第三半导体层23〇a和未掺杂A1N230b之间的界面处传播。电子层23Q^懸为使得第—导幢GaN基第三半导觀23〇a、未掺杂AIN23Gb、第-导第一半导体层幻⑹和未掺杂GaN基半导体层230d以两对或更多对交替。例如，电层230可形成为使得第—导电型⑽基第三半导体层2施、未掺杂趟230b、第基弟二半导体层23〇C和未掺杂GaN基半导体层2301以两到四对交替。当电子为使得第—导电型㈣基第三半导体层2施、未掺杂A1N2施、第一导电型GaN土第一半导体层23〇c和未掺杂_基半导体层謂以少于爾交替时，电子传播效果可此^恶化。当电子传播层23〇形成为使得第一导电型GaN基第三半导体层23〇a、未掺杂MN23〇b、第一导电型AlGaN基第二半导体层23〇c和未掺杂GaN基半导体层230d以大于四对交替时，结晶度可能变差。[0126]第一导电型GaN基第三半导体层230a可以设置在第一导电型GaN基第二半导体层2l2b和未掺杂AIN230b之间。第一导电型GaN基第三半导体层230a的厚度可以是5nm或更列如，第一导电型GaN基第三半导体层230a的厚度可以是5至20nm。当第一导电型GaN基第二半导体层230a的厚度小于5nm时，电子传播效果可能劣化。当第一导电型GaN基第三半导体层230a的厚度超过20nm时，蚀刻阻挡层220的总厚度可能变厚。这里，在该实施例中，第一导电型GaN基第三半导体层2：3〇a可以包括第一导电型掺杂剂，但不限于此，第一导电型GaN基弟二导体层230a可以是未渗杂GaN基半导体层。[0127]未掺杂的AIN230b可以设置在第一导电型GaN基第三半导体层230a和第一导电型AlGaN基第二半导体层230c之间。未掺杂的AIN230b可以具有比第一导电型GaN基第三半导体层230a更大的可隙陡星。未掺杂的AIN230b的厚度可以是〇•5nm或更大。例如，未掺杂的AIN230b的厚度可以是〇_5至1.5nm。当未掺杂的AIN230b的厚度小于〇_5nm时，电子传播效果可能劣化。当未掺杂的AIN230b的厚度超过1.5nm时，结晶度可能劣化。[0128]第一导电型的AlGaN基第二半导体层23〇c可以设置在未掺杂的AIN230b和未掺杂的GaN基半导体层23〇d之间，并且A1组分可以随着朝向未掺杂的GaN基半导体层230d逐渐降低。第一导电型的AlGaN基第二半导体层230c的A1组分随着从未掺杂的AIN230b朝向未掺杂$G^aN基半导体层230d逐渐减小，因此可以包括提高结晶度的功能。第一导电型基第二半导体层230c可以是AldGai-dN0彡d彡0•35。即，第一导电型的AlGaN基第二半导体层230c的A1组分⑻随着朝向未掺杂的GaN基半导体层23〇d逐渐减小，并且在与未掺杂GaN基半导体层23〇d相接触的区域中可以为零。当招A1组分d超过0.35时，结晶度可能变差。第一导电型的AlGaN基第二半导体层230c的厚度可以是l5nm或更大。例如，第一导电型的AlGaN基第二半导体层230c的厚度可以是15至25nm。当第一导电型的AlGaN基第二半导体层230c的厚度小于15nm时，电子传播效果可能劣化。当第一导电型的AlGaN基第二半导体层230c的厚度超过25nm时，结晶度可能劣化。[0129]未掺杂的GaN基半导体层23〇d可以设置在第一导电型AlGaN基第二半导体层230c和第一导电型GaN基第三半导体层23〇a之间。未掺杂的GaN基半导体层23〇d可以设置在第一导电型AlGaN基第二半导体层2：3〇c和有源层214之间。未掺杂的GaN基半导体层230d的厚度可以为3nm或更大。例如，未掺杂的GaN基半导体层230d的厚度可以是3至1〇11111。当未掺杂的GaN基半导体层230d的厚度小于3nm时，电子传播效果可能劣化。当未掺杂的GaN基半导体层230d的厚度大于l〇nm时，工作电压vf可能增加。这里，可以省略未掺杂的GaN基半导体层230d〇[0130]在另一个实施例的紫外发光器件200中，电子传播层230可以设置在有源层214和第一导电型GaN基第二半导体层212b之间，因此可以改善电子传播效果。[0131]另外，另一实施例的紫外发光器件200可通过在比蚀刻阻挡层220更高的温度下形成的电子传播层230来改善由蚀刻阻挡层220引起的缺陷。[0132]有源层214可以形成为单量子阱结构、多量子阱MQW结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。L⑴心」有源层214是通过第一导电型GaN基第二半导体层212b注入的电子或空穴遇到通过第二导电型GaN基半导体层216注入的空穴或电子的层，并且根据有源层214的形成材料的能带的带隙差来发射光。[0134]有源层214可以由化合物半导体组成。例如，有源层214可以实施为n_IV族和m_V族化合物半导体中的至少一种。[0135]有^层214可以包括量子阱和量子墙。当有源层214被实现为MQW结构时，量子阱和量子墙可以交替地设置。量子阱和量子墙可以分别设置有经验公式为InxAlyGai_x_yN〇彡xl，0yl，0x+yl的半导体材料，或者可以形成为A1GaNGaN、A1GaNA1GaN、InGaNGaN、InGaNInGaN，InAlGaNGaN、GaAsAlGaAs、InGaAsAlGaAs、GaPAlGaP和InGaPAlGaP中的任何一对或多对结构，但不限于此。[0136]第一导电型GaN基半导体层216可以被实现为半导体化合物，例如诸如I〗—iv族和m-v族的化合物半导体，并且可以被掺杂有第二导电型掺杂剂。当第二导电型GaN基半导体层216疋p型半导体层时，第一导电型掺杂剂可以包括jy[g、Zn、Ca、Sr、Ba等作为p型掺杂剂。[0137]虽然第一导电型GaN基第一半导体层21此和第一导电型GaN基第二半导体层21此被称为n型半导体层并且第二导电型GaN基半导体层216被称为p型半导体层，但第一导电型GaN基第一半导体层212a和第一导电型GaN基第二半导体层2l2b可以形成为p型半导体层，第二导电型GaN基半导体层216可以形成为n型半导体层，并且不限于此。具有与第二导电型极性相反的极性的半导体，例如,n型半导体层未示出）可以形成在第二导电型GaN基半导体层216上。因此，发光结构210可以实施为np结结构、pn结结构、npn结结构和pnp结结构中的任何一种结构。[0138]第一电极26〇可以设置在第一导电型GaN基第一半导体层212a上。第一电极260可以电连接到第一导电型GaN基第一半导体层212a，可以包括CiuNiUTlTi-WXrUi^A^IMo材料中的至少一种，以及可以形成为单层或多层。[0139]在另一个实施例中，电子阻挡层280可以设置在发光结构210下方。电子阻挡层280可以包括5;[02、3;[0}[、3;1_^^、3;[31^4、41203和1^02中的至少一种，并且至少一个电子阻挡层280可以形成在发光结构210和第二电极270之间。[0140]电子阻挡层280可以沿着发光结构210的厚度方向与设置在发光结构210上的第一电极260相对应。电子阻挡层28〇可以阻挡从第二电极27〇供给的电流，并且将电流扩散到其它路径，以改善集中在第一电极260正下方的电流的集中度。'、[0141]第二电极27〇可以包括:沟道层273，接触层275，反射层277，接合层279和支撑构件201〇[°142]沟道层273沿着第二导电型GaN基半导体层216的底表面形成，并且可以形成为环形、环路形或框形。沟道层273可以包括IT0、IZ0、IZT0、IAZ0、IGZ0、IGT0、AZ0、AT0、Si02、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2〇3和Ti〇2中的至少一种。沟道层273的内侧部分可以设置在第二导电型GaN基半导体层216下方，并且其外侧部分可以设置得比发光结构21〇的侧表面更靠外侧。[0=3]接触层2?5可以通过将单层金属、金属合金、金属氧化物等堆叠为多层来形成，从而高效地执行载流子注入。接触层275可以由与半导体电接触良好的材料形成。例如，接触层2"75可以形成为包括下列至少之一:铟锡氧化物qt〇，铟锌氧化物（IZ〇，铟锌锡氧化物IZT0，铟铝锌氧化物（MZ0，铟镓锌氧化物（IGZ0，铟镓锡氧化物（IGT0，铝锌氧化物AZO，锑锡氧化物ATO，镓锌氧化物GZO，IZO氮化物（IZON，A1-GaZnOAGZO，In-GaZnOIGZO，ZnO，IrOx，RuOx，NiO，RuOxITO，NiIrOxAt^PNiIrOxAuITO，Ag，Ni，Cr，Ti，八1，诎，？111'，此，1^，211，？1:，八11和批，但不限于此。[0144]反射层277可以位于接触层275下方。反射层277可以由具有优异的反射率和优异的电接触的材料形成。例如，反射层277可以由包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Ai^tIHf中的至少一种的金属或合金形成。另外，反射层277可以通过使用金属或合金以及诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGT0、AZ0或AT0的透光导电材料形成为单层或多层，并且例如可以与IZONi、AZ0Ag、IZOAgNi、AZ0AgNi等堆叠。[0145]接合层279可以设置在反射层277下方并且可以用作阻挡金属或接合金属，并且例如其材料例如可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag和Ta以及选择性合金中的至少一种。[0146]支撑构件2〇1可以设置在接合层2乃下面，并且可以由诸如铜（Cu、金Au、镍Ni、钼Mo、铜-钨Cu-W的导电金属以及诸如31、〇6、0六3、211〇和3;[：的载体晶片形成。作为另一个例子，支撑构件201可以被实现为导电片。[0147]在另一实施例的紫外发光器件200中，由于蚀刻阻挡层220形成在第一导电型GaN基第一半导体层212a和第一导电型GaN基第二半导体层212b之间，使得光提取图案213的深度受到限制，因此可以改善过蚀刻。因此，本实施例的紫外发光器件可以改善由短路导致的成品率下降。[0148]此外，根据另一个实施例的紫外发光器件200可以包括由蚀刻阻挡层220产生的位错阻挡效果，在该蚀刻阻挡层220中，AIN220a和第一导电型AlGaN基第一半导体层220b以五对或更多对交替形成。[0149]在另一个实施例的紫外发光器件2〇0中，电子传播层230可以设置在有源层214和第一导电型GaN基第二半导体层212b之间，因此可以改善电子传播效果。[0150]另外，另一实施例的紫外发光器件200可通过在比蚀刻阻挡层220更高的温度下形成的电子传播层230来改善由蚀刻阻挡层220引起的缺陷。[0151]图12是示出根据实施例的发光器件封装的截面图。[0152]根据实施例的发光器件封装300包括:封装体3〇5,设置在封装体305上的第一引线电极313和第二引线电极314,安装在封装体305上并且电连接到第一引线电极313和第二引线电极314的紫外发光器件100,以及包围紫外发光器件1〇〇的模塑molding构件330。[0153]第一引线电极313和第二引线电极314彼此电分离，并且执行向紫外发光器件1〇〇供电的功能。另外，第一引线电极313和第二引线电极314可以包括反射从紫外发光器件1〇〇发射的光以提高光效率的功能，并且可以包括将从紫外发光器件100产生的热量排出到外部的功能。[0154]紫外发光器件100可以以导线方法、倒装芯片方法和管芯键合diebonding方法中的任何一种与第一引线电极313或第二引线电极314电连接。[0155]紫外发光器件100可以是根据一个实施例的紫外发光器件，也可以是根据另一实施例的紫外发光器件。[0156]模塑构件330可以包括荧光体332,以形成白光的发光器件封装，但是不限于此。[0157]模塑构件330的上表面可以是平坦的、凹入的或凸起的，但不限于此。[0158]以上实施例中描述的特征、结构和效果包括在至少一个实施例中，但不限于一个实施例。此外，本领域技术人员可以针对其他实施例组合或修改每个实施例中示出的特征、结构和效果。因此，应该理解，与这种组合和这种修改相关的内容包含在本发明的范围内。[0159]以上主要描述了实施例。然而，它们仅是示例，并不限制本发明。本领域的技术人员可以理解，在不脱离实施例的基本特征的情况下，可以做出以上没有提及的多种变型和应用。例如，在实施例中具体表示的每个组件可以变化。此外，应该理解，与这种变化和这种应用有关的差异包括在下面的权利要求书中限定的本发明的范围内。

权利要求：1.一种紫外发光器件，包括：具有光提取结构的第一导电型第一半导体层；在所述第一导电型第一半导体层上的蚀刻阻挡层；在所述蚀刻阻挡层上的第一导电型第二半导体层，在所述第一导电型第二半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电型半导体层;以及设置在所述蚀刻阻挡层与所述有源层之间的电子传播层，其中所述电子传播层包括未掺杂的A1N和第一导电型AlGaN基第二半导体层。2.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一导电型第一半导体层、所述第一导电型第二半导体层和所述第二导电型半导体层由AlGaN系化合物构成，并且所述电子传播层包括：设置在所述蚀刻阻挡层上的第一导电型AlGaN基第一半导体层或未掺杂的AlGaN基第一半导体层;和设置在所述第一导电型AlGaN基第二半导体层上的未掺杂基半导体层。3.根据权利要求2所述的紫外发光器件，其中所述第一导电型AlGaN基第一半导体层的厚度为5至20nm。4.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述未掺杂的A1N的厚度为0.5至1.5nm。5.根据权利要求2所述的紫外发光器件，其中所述第一导电型AlGaN基第二半导体层具有AUGai-bN0.25彡b彡0.35的组成比，并且A1组分随着朝向所述未掺杂的AlGaN基半导体层而逐渐减小。6.根据权利要求2所述的紫外发光器件，其中所述未掺杂的AlGaN基半导体层的厚度为3至10nm〇7.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述电子传播层与所述蚀刻阻挡层直接接触。8.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一导电型第一半导体层、所述第一导电型第二半导体层和所述第二导电型半导体层由GaN系化合物构成，并且所述电子传播层包括：设置在所述蚀刻阻挡层上的第一导电型GaN基第一半导体层或未掺杂的GaN基第一半导体层;和设置在所述第一导电型AlGaN基第二半导体层上的未掺杂的A1GaN基半导体层。9.根据权利要求8所述的紫外发光器件，其中所述第一导电型GaN基第一半导体层的厚度为5至20nm。10.根据权利要求8所述的紫外发光器件，其中所述第一导电型AlGaN基第二半导体层具有AlbGm-bN0_25彡b彡0•35的组成比，并且A1组分随着朝向所述未掺杂的GaN基半导体层而逐渐减小。11.根据权利要求8所述的紫外发光器件，其中所述未掺杂的GaN基半导体层的厚度为3至lOrnn。12.根据权利要求8所述的紫外发光器件，其中所述电子传播层设置在所述第一导电型第二半导体层与所述有源层之间。13.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述电子传播层在2对和4对之间交替。14.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述蚀刻阻挡层包括在5对和15对之间交替的A1N和第一导电型第三半导体层。15.—种发光器件封装，包括：权利要求1〜14中任一项所述的紫外发光器件。

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