申请/专利权人：桂林电器科学研究院有限公司

申请日：2020-11-27

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN112480405B

主分类号：C08G73/10(20060101)

分类号：C08G73/10(20060101);C08J5/18(20060101);C08L79/08(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.10.12#授权;2021.03.30#实质审查的生效;2021.03.12#公开

摘要：本发明公开了一种本征型低介质损耗因数聚酰亚胺薄膜及其制备方法，属于聚酰亚胺材料技术领域。本发明所述聚酰亚胺薄膜在组成上含有占比为5～30mol％的式I表示的重复单元及余量的低极性聚酰亚胺聚合物，其中双酯键单体TAHQ的使用有效降低聚酰亚胺体系的介质损耗因数，而采用式I所示结构的聚合物与低极性聚酰亚胺聚合物通过嵌段聚合而成的聚酰亚胺薄膜无需涂覆热塑性层即可满足行业标准中对剥离强度的要求，且介电损耗因数≤0.006、介电常数≤3.010GHz，满足高频条件下的信号传输要求。其中，所述式I表示的重复单元结构如下：式I中，X为CH3或CF3，n为大于或等于1的整数。

主权项：1.一种本征型低介质损耗因数聚酰亚胺薄膜，其特征是，所述的本征型低介质损耗因数聚酰亚胺薄膜含有占比为5~30mol%的下述式I表示的重复单元，余量为由二胺单体和二酐单体聚合而成的低极性聚酰亚胺聚合物： I；式I中，X为CH3或CF3，n为大于或等于1的整数；所述的二胺单体为选自4,4’-二氨基-2,2’-双三氟甲基联苯、2,2-双[4-4-氨基苯氧基苯基]丙烷、2,2-双4-氨基苯基六氟丙烷、3,4-二氨基二苯醚、2,2-双[4-4-氨基苯氧基苯基]六氟丙烷和双4-3-氨基苯氧基苯基砜中任意一种或两种以上的组合；所述的二酐单体为选自均苯四甲酸二酐、4,4'-六氟异丙烯二酞酸酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐、双酚A型二酐、二苯酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐和1,2,4,5-环己烷四甲酸二酐中的任意一种或两种以上的组合。

全文数据：

权利要求：

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