买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明授权】一种基于键合工艺的FD-SOI的背面深沟道隔离工艺_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司_202110769920.X 

申请/专利权人:广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司

申请日:2021-07-08

公开(公告)日:2021-11-16

公开(公告)号:CN113284840B

主分类号:H01L21/762(20060101)

分类号:H01L21/762(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/027(20060101);H01L21/50(20060101);H01L21/60(20060101);H01L25/07(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.11.16#授权;2021.09.07#实质审查的生效;2021.08.20#公开

摘要:本发明涉半导体技术领域,公开了一种基于键合工艺的FD‑SOI的背面深沟道隔离工艺,通过在在第一芯片的最上层的金属连线层制作M个第一键合Pad、在第二芯片的最上层的金属连线层制作M个第二键合Pad,然后将第一芯片和第二芯片对准键合,使第一芯片上的M个第一键合Pad与第二芯片上的M个第二键合Pad一一电连接,可以减小集成第一芯片和第二芯片时所需用的面积,另外第一芯片中的隔离沟槽和第二芯片中的隔离沟槽上下设置,减小隔离沟槽占整体芯片面积的比例,进而能够减小芯片面积;最后第二芯片在制作通孔层时同时制做深沟道隔离,从而大幅降低芯片制造的成本和周期,同时由浅沟道隔离进化到深沟道隔离增强了芯片器件的隔离效果。

主权项:1.一种基于键合工艺的FD-SOI的背面深沟道隔离工艺,其特征在于:包括以下步骤:S1:在第一晶圆上制作第一芯片,在第一芯片的最上层的金属连线层制作M个第一键合Pad,M为正整数,在第一芯片的钨通孔层制作接触Pad;S2:在第二晶圆上制作第二芯片,在第二芯片的最上层的金属连线层制作M个第二键合Pad;S3:将第一芯片和第二芯片对准键合,使第一芯片上的M个第一键合Pad与第二芯片上的M个第二键合Pad一一电连接;S4:先在第二晶圆上对第二芯片的衬底进行减薄,然后在第二芯片的衬底上注入离子形成离子层,所述离子层与第二芯片上的FDSOI晶体管对应设置;S5:先在第二芯片的衬底上生成一层氧化层,然后在所述氧化层上涂抹光刻胶,接着通过曝光和显影工艺在光刻胶上定义背偏压通孔的位置、硅通孔的位置和隔离沟槽的位置;S6:蚀刻定义好的背偏压通孔至第二芯片的衬底处,蚀刻定义好的硅通孔至接触Pad处,蚀刻隔离沟槽直至隔离沟槽穿过第二芯片的顶层硅;S7:在隔离沟槽中填充绝缘介质;S8:在硅通孔和背偏压通孔中填充金属。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司 一种基于键合工艺的FD-SOI的背面深沟道隔离工艺

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。