申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2020-05-15

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675074A

主分类号：H01L21/027(20060101)

分类号：H01L21/027(20060101);H01L21/82(20060101);H01L23/544(20060101);H01L27/02(20060101);G03F9/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.29#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：半导体版图及其形成方法、形成的半导体结构及方法半导体版图的形成方法，所述半导体版图的方法包括：提供半导体初始版图；所述版图包括需要对准的对准层图形和位于底部多层的底层结构层图形，所述对准层图形中包括位于Device图形区域内的对位标记图形包括一三象限对位子图形和二四象限对位子图形；在多层的底层结构层图形中的至少相邻两层中设置保护层图形组，各保护层图形组包括上层单方向保护层图形和与上层单方向保护层图形正交的下层单方向保护层图形。上述的方案，可以提高所形成的半导体结构的性能。

主权项：1.一种半导体版图的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体初始版图，所述初始版图包括若干个分立的Device图形区域；所述半导体初始版图包括需要对准的对准层图形和位于所述对准层图形底部多层的底层结构层图形，所述对准层图形中包括位于Device图形区域内的对位标记图形，各对位标记图形包括一三象限对位子图形和二四象限对位子图形；在多层的底层结构层图形中的至少相邻两层中设置保护层图形组，各保护层图形组包括上层单方向保护层图形和与上层单方向保护层图形正交的下层单方向保护层图形，上层单方向保护层图形位于一三象限对位子图形的底部且下层单方向保护层图形位于二四象限对位子图形的底部，或者，上层单方向保护层图形位于二四象限对位子图形的底部且下层单方向保护层图形位于一三象限对位子图形的底部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体版图及其形成方法、形成的半导体结构及方法

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