申请/专利权人:日本碍子株式会社
申请日:2019-09-10
公开(公告)日:2021-11-19
公开(公告)号:CN113677833A
主分类号:C30B29/16(20060101)
分类号:C30B29/16(20060101);C30B29/22(20060101);H01L21/205(20060101)
优先权:["20190424 JP PCT/JP2019/017515"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开
摘要:本发明提供结晶缺陷明显较少的半导体膜。该半导体膜具有由α-Ga2O3或α-Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构,半导体膜的至少一个表面的结晶缺陷密度为1.0×106cm2以下。
主权项:1.一种半导体膜,其具有由α-Ga2O3或α-Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构,所述半导体膜的特征在于,所述半导体膜的至少一个表面的结晶缺陷密度为1.0×106cm2以下。
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