申请/专利权人：格芯新加坡私人有限公司

申请日：2021-05-13

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675231A

主分类号：H01L27/24(20060101)

分类号：H01L27/24(20060101)

优先权：["20200514 US 15/931623"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明涉及存储器件以及形成存储器件的方法。提供了一种存储器件，包括基底层、绝缘层、第一电极、开关元件、帽盖元件和第二电极。绝缘层可以布置在基底层上方并且可以包括具有相对的侧壁的凹槽。第一电极可以至少部分地布置在绝缘层的凹槽内并沿着绝缘层的凹槽的相对的侧壁。开关元件可以至少部分地布置在绝缘层的凹槽内并沿着第一电极。帽盖元件和第二电极可以至少部分地布置在绝缘层的凹槽内。帽盖元件可以布置在第二电极和开关元件之间，并且第二电极的一部分可以跨帽盖元件延伸以接触开关元件。

主权项：1.一种存储器件，包括：基底层；绝缘层，其布置在所述基底层上方，其中所述绝缘层包括具有相对的侧壁的凹槽；第一电极，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内并沿着所述绝缘层的所述凹槽的所述相对的侧壁；开关元件，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内并沿着所述第一电极；帽盖元件，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内；以及第二电极，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内，其中所述帽盖元件布置在所述第二电极和所述开关元件之间，并且所述第二电极的一部分跨所述帽盖元件延伸以接触所述开关元件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯新加坡私人有限公司 存储器件以及形成存储器件的方法

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