申请/专利权人：豪威科技股份有限公司

申请日：2021-05-14

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675228A

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101);H04N5/369(20110101)

优先权：["20200515 US 63/025,883","20201008 US 17/066,277"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本申请案涉及双行选择结构的布局设计。像素阵列包含安置在半导体材料中的像素单元。所述像素单元中的每一者包含光电二极管及从所述光电二极管接收图像电荷的浮动扩散区。源极跟随器经耦合到所述浮动扩散区以响应于来自所述光电二极管的图像电荷而生成图像信号。第一及第二行选择晶体管的漏极区经耦合到所述源极跟随器的源极。共同结经安置在所述第一与第二行选择晶体管的栅极之间的所述半导体材料中，使得所述第一及第二行选择晶体管的所述漏极被共享且通过所述共同结的所述半导体材料耦合在一起。所述像素单元经组织成具有位线的行及列。

主权项：1.一种像素阵列，其包括：多个像素单元，其经安置在半导体材料中，其中所述多个像素单元中的所述像素单元中的每一者包含：多个光电二极管，其响应于入射光而生成图像电荷；第一浮动扩散区，其经耦合以接收由所述多个光电二极管生成的所述图像电荷；第一源极跟随器晶体管，其具有耦合到所述第一浮动扩散区以响应于所述第一浮动扩散区中的所述图像电荷而在所述第一源极跟随器晶体管的源极区处生成相应图像信号的栅极；及第一行选择晶体管，其具有耦合到所述第一源极跟随器晶体管的所述源极区的漏极区；第二行选择晶体管，其具有耦合到所述第一源极跟随器晶体管的所述源极区的漏极区；及共同结，其经安置在所述第一行选择晶体管的栅极与所述第二行选择晶体管的栅极之间的所述半导体材料中，其中所述第一行选择晶体管的所述漏极区及所述第二行选择晶体管的所述漏极区被共享且通过所述共同结的所述半导体材料耦合在一起；及多个列位线，其经耦合到所述多个像素单元，其中所述多个像素单元经组织成像素单元的多个列及像素单元的多个行，其中所述多个列位线中的每一者对应于像素单元的所述多个列中的相应一者。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 豪威科技股份有限公司 双行选择结构的布局设计

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