申请/专利权人:瑞萨电子株式会社
申请日:2021-05-14
公开(公告)日:2021-11-19
公开(公告)号:CN113674776A
主分类号:G11C7/10(20060101)
分类号:G11C7/10(20060101)
优先权:["20200515 JP 2020-086359"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.04.18#实质审查的生效;2021.11.19#公开
摘要:本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括:包括第一存储器单元和第二存储器单元的非易失性存储器单元;位锁存器;以及保存寄存器。在第一写入操作中,将第一写入数据存储在位锁存器和保存寄存器中,并且基于第一写入数据来执行到多个第一存储器单元的写入。在第一写入操作期间,第一写入操作基于暂停命令被中断,并且第二写入操作被执行。在第二写入操作中,将第二写入数据存储在位锁存器中,并且基于第二写入数据来执行到第二存储器单元的写入。在第二写入操作结束之后,第一写入数据基于恢复命令被重置到位锁存器,并且中断的第一写入操作基于被重置到位锁存器的第一写入数据来被重新开始。
主权项:1.一种半导体器件,包括:非易失性存储器单元,包括多个第一存储器单元和多个第二存储器单元;位锁存器;以及保存寄存器,其中在第一写入操作中,将第一写入数据存储在所述位锁存器和所述保存寄存器中,并且基于在所述位锁存器中存储的所述第一写入数据来执行到所述多个第一存储器单元的写入;在所述第一写入操作期间,所述第一写入操作基于暂停命令被中断,并且第二写入操作被执行;在所述第二写入操作中,将第二写入数据存储在所述位锁存器中,并且基于所述第二写入数据来执行到所述多个第二存储器单元的写入;以及在所述第二写入操作结束之后,所述保存寄存器的所述第一写入数据基于恢复命令来被重置到所述位锁存器,并且中断的所述第一写入操作基于被重置到所述位锁存器的所述第一写入数据来被重新开始。
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