申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-07-02

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675220A

主分类号：H01L27/12(20060101)

分类号：H01L27/12(20060101);H01L21/762(20060101)

优先权：["20200730 US 63/059,089","20210416 US 17/232,618"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本文公开了用于高压绝缘体上半导体器件的深沟槽隔离结构。示例性深沟槽隔离结构围绕绝缘体上半导体衬底的有源区域。深沟槽隔离结构包括第一绝缘体侧壁间隔件、第二绝缘体侧壁间隔件以及设置在第一绝缘体侧壁间隔件和第二绝缘体侧壁间隔件之间的多层含硅隔离结构。多层含硅隔离结构包括设置在底部硅部分上方的顶部多晶硅部分。底部多晶硅部分由选择性沉积工艺形成，而顶部多晶硅部分由非选择性沉积工艺形成。在一些实施例中，底部硅部分掺杂有硼。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

主权项：1.一种半导体器件，包括：绝缘体上半导体衬底，包括第一半导体层、设置在所述第一半导体层上方的第二半导体层以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的绝缘体层；以及隔离结构，围绕所述绝缘体上半导体衬底的有源区域，其中，所述隔离结构穿过所述绝缘体上半导体衬底的所述第二半导体层和所述绝缘体层延伸至所述绝缘体上半导体衬底的所述第一半导体层，并且其中，所述隔离结构包括：第一绝缘体侧壁间隔件，第二绝缘体侧壁间隔件，和多层含硅隔离结构，设置在所述第一绝缘体侧壁间隔件和所述第二绝缘体侧壁间隔件之间，其中，所述多层含硅隔离结构包括设置在底部硅部分上方的顶部多晶硅部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法

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