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【发明公布】防止阻焊层离子迁移方法_广州美维电子有限公司_202110749504.3 

申请/专利权人:广州美维电子有限公司

申请日:2021-07-02

公开(公告)日:2021-11-19

公开(公告)号:CN113677099A

主分类号:H05K3/06(20060101)

分类号:H05K3/06(20060101);H05K3/28(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.11.08#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要:本发明公开了一种防止阻焊层离子迁移方法,将PCB工件进行前期工序处理,生成待处理工件;将待处理工件水洗处理,清洁表面;将待处理工件微蚀处理,生成蚀后工件;将蚀后工件水洗处理,清洁表面;将蚀后工件进行酸洗处理;在蚀后工件加工抗氧化涂层,水洗处理并烘干;进行阻焊印刷;一次预烤后,生成预烤工件;采用平行光与散射光相结合的复合光照射预烤工件的表面;将工件进行曝光、显影处理,进行后烤,然后进行化学镍金处理;水洗处理并烘干。在蚀后工件加工抗氧化涂层可以有效防止油墨后烤高温时铜面氧化的问题,防止油墨与铜面结合力变差,解决了阻焊层离子迁移失效时间短的问题。

主权项:1.一种防止阻焊层离子迁移方法,其特征在于,包括以下步骤:前期处理步骤:将PCB工件进行前期工序处理,生成待处理工件;初次水洗步骤:将待处理工件水洗处理,清洁表面;微蚀步骤:将待处理工件微蚀处理,生成蚀后工件;二次水洗步骤:将蚀后工件水洗处理,清洁表面;酸洗步骤:将蚀后工件进行酸洗处理;抗氧化步骤:在蚀后工件加工抗氧化涂层,水洗处理并烘干;阻焊印刷步骤:进行阻焊印刷;预烤步骤:一次预烤后,生成预烤工件;复合光处理步骤:采用平行光与散射光相结合的复合光照射预烤工件的表面;显影步骤:将工件进行曝光、显影处理,进行后烤,然后进行化学镍金处理;后续加工步骤:水洗处理并烘干。

全文数据:

权利要求:

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