申请/专利权人：青岛佳恩半导体科技有限公司

申请日：2021-07-02

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675085A

主分类号：H01L21/331(20060101)

分类号：H01L21/331(20060101);H01L21/306(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/304(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2022.01.11#发明专利申请公布后的撤回;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明涉及集成电路设计制造技术领域，本发明提供了一种适用于IGBT抵消应力的方法，包括沟槽蚀刻、通过干法蚀刻工艺，对晶圆正面进行沟槽和划片槽的制作，通过划片槽将晶圆分割为各晶片区域，使得属于同一晶片内的沟槽方向与相邻的晶片的沟槽方向相互垂直，本发明通过改变晶圆上各晶片的排布方向，通过将两个相邻晶片的沟槽垂直设置，沟槽内结晶过程产生的应力通过两相垂直的沟槽相互抵消，降低晶圆的翘曲度，并通过控制淀积温度并配合RTA快速退火工艺，使得淀积工艺环节以及再结晶后晶体的应力最小化，保证流片的顺畅，提高晶片的成品率和质量；在研磨减薄工艺中利用正性光刻胶的特性，并通过保留划片槽处的正性光刻胶，抵消研磨工艺产生的应力。

主权项：1.一种适用于IGBT抵消应力的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、沟槽300蚀刻、通过干法蚀刻工艺，对晶圆100正面进行沟槽300和划片槽的制作，通过划片槽将晶圆100分割为各晶片200区域，使得属于同一晶片200内的沟槽300方向与相邻的晶片200的沟槽300方向相互垂直；S2、多晶硅填充过程中应力的抵消、通过沟道栅极聚乙烯淀积工艺在淀积温度为600℃的工作环境下将多晶硅填充入沟槽300内部，形成的是无定型硅,然后将无定型硅在大于600℃的温度下进行热处理工艺使得无定型硅再结晶，通过相互垂直的沟槽300设置和各工艺控制抵消多晶硅填充中产生的张应力；S3、研磨减薄工艺中背面应力的抵消、利用正性光刻胶将晶圆100正面覆盖进行加固，并对晶圆100底部进行研磨，当研磨完成后，利用光刻机对正性光刻胶进行曝光处理，并保留划片槽表面的正性光刻胶，以方便后续工艺操作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 青岛佳恩半导体科技有限公司 一种适用于IGBT抵消应力的方法

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