申请/专利权人：株式会社钟化

申请日：2020-03-16

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113678265A

主分类号：H01L31/0747(20060101)

分类号：H01L31/0747(20060101)

优先权：["20190329 JP 2019-068106"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.03.29#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明提供一种与现有技术相比易于大量生产且成品率良好的太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板和太阳能电池。该方法包含：在半导体基板5的第1主面侧上形成逆导电型半导体层16的第1半导体层形成工序，在逆导电型半导体层16上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层50的剥离层形成工序，以俯视半导体基板5时具有与剥离层50重叠的部分的方式来形成一导电型半导体层11的第2半导体层形成工序，用剥离液溶解剥离层50，从而除去一导电型半导体层11的重叠的部分的剥离工序；在剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度下，吹入第1反应气体而制膜剥离层50。

主权项：1.一种太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池在半导体基板的第1主面侧具备一导电型半导体层、逆导电型半导体层、第1电极层和第2电极层，所述一导电型半导体层介于所述半导体基板与所述第1电极层之间，而且所述逆导电型半导体层介于所述半导体基板与所述第2电极层之间；所述制造方法包含：在所述半导体基板的第1主面侧形成所述逆导电型半导体层的第1半导体层形成工序，在所述逆导电型半导体层上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层的剥离层形成工序，以俯视所述半导体基板时所述一导电型半导体层的一部分与所述剥离层具有重叠部分的方式，形成所述一导电型半导体层的第2半导体层形成工序，以及用剥离液溶解所述剥离层，从而除去所述一导电型半导体层的所述重叠部分的剥离工序；在所述剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度吹入第1反应气体而对所述剥离层进行制膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社钟化 太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板及太阳能电池

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