申请/专利权人：聚酰亚胺先端材料有限公司

申请日：2020-03-25

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113677531A

主分类号：B32B27/28(20060101)

分类号：B32B27/28(20060101);B32B27/08(20060101);B32B37/15(20060101);B32B15/08(20060101);H05K1/03(20060101);C08L79/08(20060101);C08J5/18(20060101);C08G73/10(20060101)

优先权：["20190412 KR 10-2019-0043004","20200116 KR 10-2020-0005837"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明提供一种多层聚酰亚胺薄膜及其制备方法，所述多层聚酰亚胺薄膜包括至少包含4，4'‑二氨基‑2，2'‑二甲基联苯化合物衍生结构的芯部和表层部，其中，介电损耗因数Df，10GHz为0.0030以下，粘合力为820gf以上。

主权项：1.一种多层聚酰亚胺薄膜，包括：芯部，包含：包括4，4'-二氨基-2，2'-二甲基联苯4，4'-Diamino-2，2'-dimethylbiphenyl；m-Tolidine和对苯二胺p-phenylenediamine；p-PDA的二胺衍生结构、以及包括3，3'，4，4'-联苯四羧酸二酐3，3'，4，4'-Biphenyltetracarboxylicdianhydride；BPDA和均苯四酸二酐pyromelliticdianhydride；PMDA的二酐衍生结构；以及表层部，与所述芯部的一个表面或两个表面接触，并且包含：包括4，4'-二氨基-2，2'-二甲基联苯、对苯二胺和4，4'-氧二苯胺4，4'-oxydianiline；ODA的二胺衍生结构、以及包括均苯四酸二酐和3，3'，4，4'-联苯四羧酸二酐的二酐衍生结构，其中，所述芯部和所述表层部中的任一个以上含有氟基树脂。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 聚酰亚胺先端材料有限公司 粘合力优异且低介电损耗的多层聚酰亚胺薄膜及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD