申请/专利权人:株式会社普利司通
申请日:2020-01-28
公开(公告)日:2021-11-19
公开(公告)号:CN113677714A
主分类号:C08F136/08(20060101)
分类号:C08F136/08(20060101);C08F4/6192(20060101)
优先权:["20190412 JP 2019-076640"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开
摘要:本发明所要解决的问题为提供一种聚异戊二烯的制造方法,其使得可以有效地获得具有大量乙烯基键并且支化度低的聚异戊二烯。解决所述问题的手段为一种聚异戊二烯的制造方法,其特征在于包括在聚合催化剂组合物的存在下使异戊二烯聚合的步骤,该聚合催化剂组合物包含由通式I表示的半茂金属阳离子配合物在式中:M表示镧系元素、钪或钇;CpR'表示取代的环戊二烯基、取代的茚基、或取代的芴基,其各自具有至少一个含Si的取代基;X表示氢原子、卤素原子、烷氧基、烃硫基、胺基、甲硅烷基、或C1‑20单价烃基;L表示中性路易斯碱;w表示0~3范围内的整数;以及[B]‑表示非配位性阴离子。
主权项:1.一种聚异戊二烯的制造方法,其中其包括在聚合催化剂组合物的存在下使异戊二烯聚合的工序,所述聚合催化剂组合物包含由以下通式I表示的半茂金属阳离子配合物 在式I中,M表示镧系元素、钪或钇;CpR’表示取代的环戊二烯基、取代的茚基或取代的芴基;X表示氢原子、卤素原子、烷氧基、烃硫基、胺基、甲硅烷基或C1-20单价烃基;L表示中性路易斯碱;w表示0~3范围内的整数;以及[B]-表示非配位性阴离子,其中在所述通式I中作为CpR’的取代的环戊二烯基、取代的茚基或取代的芴基各自具有至少一个包括Si在其中的取代基。
全文数据:
权利要求:
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