申请/专利权人:广州大学
申请日:2021-07-21
公开(公告)日:2021-11-19
公开(公告)号:CN113670469A
主分类号:G01K11/32(20210101)
分类号:G01K11/32(20210101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开
摘要:本发明公开了一种基于分布式测温光纤的IGBT功率器件及其温度监测方法,IGBT功率器件包括:基板;IGBT芯片和整流二极管芯片,IGBT芯片和整流二极管芯片设置在基板上;测温光纤,铺设在IGBT芯片和整流二极管芯片的表面;封装壳,用于封装基板、IGBT芯片、整流二极管芯片以及测温光纤;光纤端部连接器,光纤端部连接器设置在测温光纤穿出封装壳的一端,光纤端部连接器用于通过OFDR分布式光纤解调设备与监测终端连接。本发明利用OFDR技术对IGBT芯片和整流二极管芯片进行全方位的温度分布监测,提高了芯片温度测量的全面性和准确度,可防止芯片局部温度过高而导致功率器件故障,可广泛应用于半导体封装技术领域。
主权项:1.一种基于分布式测温光纤的IGBT功率器件,其特征在于,包括:基板;IGBT芯片和整流二极管芯片,所述IGBT芯片和所述整流二极管芯片设置在所述基板上;测温光纤,所述测温光纤铺设在所述IGBT芯片和所述整流二极管芯片的表面;封装壳,所述封装壳用于封装所述基板、所述IGBT芯片、所述整流二极管芯片以及所述测温光纤;光纤端部连接器,所述光纤端部连接器设置在所述测温光纤穿出所述封装壳的一端,所述光纤端部连接器用于通过OFDR分布式光纤解调设备与监测终端连接。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 广州大学 基于分布式测温光纤的IGBT功率器件及其温度监测方法
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