申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-08-02

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675268A

主分类号：H01L29/778(20060101)

分类号：H01L29/778(20060101);H01L29/40(20060101);H01L21/335(20060101);H01L21/28(20060101)

优先权：["20200731 US 63/059,431","20210609 US 17/343,153"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明提供了半导体结构。该半导体结构包括：位于衬底上的氮化镓GaN层；设置在GaN层上的氮化铝镓AlGaN层；设置在AlGaN层上的栅极堆叠件；设置在AlGaN层上并且由栅极堆叠件插入的源极部件和漏极部件；介电材料层设置在栅极堆叠件上；以及设置在介电材料层上并且电连接至源极部件的场板，其中，该场板包括阶梯式结构。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

主权项：1.一种半导体结构，包括：氮化镓GaN层，位于衬底上；氮化铝镓AlGaN层，设置在所述氮化镓层上；栅极堆叠件，设置在所述氮化铝镓层上；源极部件和漏极部件，设置在所述氮化铝镓层上并且由所述栅极堆叠件插入；介电材料层，设置在所述栅极堆叠件上；以及场板，设置在所述介电材料层上并且电连接至所述源极部件，其中，所述场板包括阶梯式结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法

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