申请/专利权人:芯盟科技有限公司
申请日:2021-08-18
公开(公告)日:2021-11-19
公开(公告)号:CN113675104A
主分类号:H01L21/60(20060101)
分类号:H01L21/60(20060101);H01L21/768(20060101);H01L23/48(20060101);H01L23/485(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开
摘要:一种半导体结构的形成方法,包括:提供第一衬底,第一衬底具有相对的第一面和第二面;在第一衬底的第一面上形成第一介质层,第一介质层内具有第一开口;在第一开口内形成第一导电层,第一导电层表面低于第一介质层顶部表面;在第一导电层表面形成第二导电层,第二导电层的构成材料与第一导电层不同;提供第二衬底,第二衬底具有相对的第三面和第四面,第三面上形成有第二介质层,第二介质层内具有导电结构,第二介质层表面暴露出导电结构;将第一衬底的第一面朝向第二衬底的第三面进行键合,使第一介质层和第二介质层相固定,在第一导电层与导电结构之间形成合金层。所形成的半导体结构电学稳定性高、工艺灵活性好。
主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供第一衬底,所述第一衬底具有相对的第一面和第二面;在第一衬底的第一面上形成第一介质层,所述第一介质层内具有第一开口;在所述第一开口内形成第一导电层,所述第一导电层表面低于所述第一介质层顶部表面;在所述第一导电层表面形成第二导电层,所述第二导电层的构成材料与第一导电层不同;提供第二衬底,所述第二衬底具有相对的第三面和第四面,所述第三面上形成有第二介质层,所述第二介质层内具有导电结构,所述第二介质层表面暴露出所述导电结构;将所述第一衬底的第一面朝向所述第二衬底的第三面进行键合,使所述第一介质层和第二介质层相固定,在所述第一导电层与导电结构之间形成合金层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 芯盟科技有限公司 半导体结构及其形成方法
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