买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】半导体结构及其形成方法_芯盟科技有限公司_202110949049.1 

申请/专利权人:芯盟科技有限公司

申请日:2021-08-18

公开(公告)日:2021-11-19

公开(公告)号:CN113675104A

主分类号:H01L21/60(20060101)

分类号:H01L21/60(20060101);H01L21/768(20060101);H01L23/48(20060101);H01L23/485(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要:一种半导体结构的形成方法,包括:提供第一衬底,第一衬底具有相对的第一面和第二面;在第一衬底的第一面上形成第一介质层,第一介质层内具有第一开口;在第一开口内形成第一导电层,第一导电层表面低于第一介质层顶部表面;在第一导电层表面形成第二导电层,第二导电层的构成材料与第一导电层不同;提供第二衬底,第二衬底具有相对的第三面和第四面,第三面上形成有第二介质层,第二介质层内具有导电结构,第二介质层表面暴露出导电结构;将第一衬底的第一面朝向第二衬底的第三面进行键合,使第一介质层和第二介质层相固定,在第一导电层与导电结构之间形成合金层。所形成的半导体结构电学稳定性高、工艺灵活性好。

主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供第一衬底,所述第一衬底具有相对的第一面和第二面;在第一衬底的第一面上形成第一介质层,所述第一介质层内具有第一开口;在所述第一开口内形成第一导电层,所述第一导电层表面低于所述第一介质层顶部表面;在所述第一导电层表面形成第二导电层,所述第二导电层的构成材料与第一导电层不同;提供第二衬底,所述第二衬底具有相对的第三面和第四面,所述第三面上形成有第二介质层,所述第二介质层内具有导电结构,所述第二介质层表面暴露出所述导电结构;将所述第一衬底的第一面朝向所述第二衬底的第三面进行键合,使所述第一介质层和第二介质层相固定,在所述第一导电层与导电结构之间形成合金层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 芯盟科技有限公司 半导体结构及其形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。