申请/专利权人：昆明理工大学

申请日：2021-08-24

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113666341A

主分类号：C01B17/20(20060101)

分类号：C01B17/20(20060101);C01G9/08(20060101);C01B19/04(20060101);C01G19/00(20060101);C01G21/21(20060101);B82Y40/00(20110101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明涉及一种硫属化合物管状材料的制备方法，属于光电材料制备技术领域。本发明将固体硫族元素原料放置在双温区炉反应器的低温加热区，将金属原料放置在双温区炉反应器的高温硫化反应区，采用惰性气体进行洗气，然后对低温加热区的固体硫族元素原料和高温硫化反应区的金属原料进行加热，低温加热区的固体硫族元素原料释放气态硫族元素与高温硫化反应区的金属原料反应生成气相硫属化合物，气相硫属化合物在基底上冷凝即得硫属化合物管状材料。本发明硫属化合物管状材料的制备工艺简单，可大规模生产，硫属化合物管状材料的比表面积大，能够更好的捕集光子，加速光生载流子的传输速率，适合应用于光电半导体领域。

主权项：1.一种硫属化合物管状材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：将固体硫族元素原料放置在双温区炉反应器的低温加热区，将金属原料放置在双温区炉反应器的高温硫化反应区，采用惰性气体进行洗气，然后对低温加热区的固体硫族元素原料和高温硫化反应区的金属原料进行加热，低温加热区的固体硫族元素原料释放气态硫族元素与高温硫化反应区的金属原料反应生成气相硫属化合物，气相硫属化合物在基底上冷凝即得硫属化合物管状材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆明理工大学 一种硫属化合物管状材料的制备方法

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