申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-08-25

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113674784A

主分类号：G11C13/00(20060101)

分类号：G11C13/00(20060101)

优先权：["20200826 US 63/070,733","20210603 US 17/337,781"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2024.03.15#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.11.19#公开

摘要：本文揭示一包括可程序化电阻器的记忆体单元与记忆体系统，记忆体单元包括一或更多个可程序化电阻器及控制晶体管。在一态样中，可程序化电阻器包括用于形成晶体管的栅极结构及一或更多个源极漏极结构。可通过对栅极结构施加电压来设定可程序化电阻器的电阻，同时启用控制晶体管。可通过感测通过可程序化电阻器的电流来读取由可程序化电阻器储存的数据，同时禁用控制晶体管。在一态样中，通过相同类型的元件实现一或更多个可程序化电阻器及控制晶体管，使记忆体单元可通过简化的制程以压缩方式形成。

主权项：1.一种记忆体单元，其特征在于，包括：一第一可程序化电阻器，包括：一第一栅极结构，电性耦接至一第一控制线；以及一共享的源极漏极结构；一第二可程序化电阻器，包括：一第二栅极结构，电性耦接至一第二控制线；以及该共享的源极漏极结构；以及一晶体管，包括：一第一源极漏极结构，电性耦接至一位元线；一第三栅极结构，电性耦接至一字元线；以及一第二源极漏极结构，该第二源极漏极结构电性耦接至该第一可程序化电阻器的该共享的源极漏极结构以及该第二可程序化电阻器的该第二源极漏极结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 包括可程序化电阻器的记忆体单元与记忆体系统

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