申请/专利权人:陛通半导体设备(苏州)有限公司
申请日:2021-08-31
公开(公告)日:2021-11-19
公开(公告)号:CN113667964A
主分类号:C23C16/44(20060101)
分类号:C23C16/44(20060101);C23C16/02(20060101);C23C16/505(20060101);H01L21/02(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.01.20#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开
摘要:本申请公开了一种TEOS膜的制作方法,涉及半导体技术领域。该方法包括在硅晶圆上沉积第一层TEOS薄膜以及在第一层TEOS薄膜上沉积第二层TEOS薄膜,其中第一层TEOS薄膜沉积过程中未采用低频射频电源进行电离,而第二层TEOS薄膜的沉积过程中采用了低频射频电源进行电离。第一层TEOS薄膜的厚度为20~400nm,第二层TEOS薄膜的厚度为2000~6000nm。第一层TEOS薄膜具有较低的压应力,使得其与硅晶圆的粘附力较强而不容易脱膜。第二层TEOS薄膜的具有较佳的致密性,从而降低漏电流。因此,采用本申请提供的制作方法制得的TEOS膜既保持了较好的绝缘性能,同时也不容易从硅晶圆上脱落。
主权项:1.一种TEOS膜的制作方法,其特征在于,包括:采用化学气相沉积法在硅晶圆上沉积第一层TEOS薄膜,在所述第一层TEOS薄膜的沉积过程中不使用低频射频电源进行电离,所述第一层TEOS薄膜的厚度为20~400nm;采用化学气相沉积法在所述第一层TEOS薄膜上沉积第二层TEOS薄膜,在所述第二层TEOS薄膜的沉积过程中使用低频射频电源进行电离,所述第二层TEOS薄膜的厚度为2000~6000nm。
全文数据:
权利要求:
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