申请/专利权人：江苏芯唐微电子有限公司

申请日：2021-09-14

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675264A

主分类号：H01L29/45(20060101)

分类号：H01L29/45(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明公开了一种P型碳化硅欧姆接触结构，涉及半导体技术领域，该P型碳化硅欧姆接触结构使用NiWAl的金属结构，对于P型SiC器件而言，NiAl接触能够在800℃退火后形成欧姆接触，而W金属能够有效抑制欧姆接触形成期间，反应生成的碳团簇留在接触表面造成的接触电阻的问题，从而可以形成低电阻率的欧姆接触，有效提高SiC器件的热稳定性和可靠性。

主权项：1.一种P型碳化硅欧姆接触结构，其特征在于，所述P型碳化硅欧姆接触结构包括：碳化硅衬底以及依次设置于所述碳化硅衬底表面的Ni金属层、W金属层和Al金属层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏芯唐微电子有限公司 一种P型碳化硅欧姆接触结构

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