买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明授权】基板处理装置、基板处理装置的控制方法和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_201710142910.7 

申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

申请日:2017-03-10

公开(公告)日:2021-11-19

公开(公告)号:CN107275254B

主分类号:H01L21/67(20060101)

分类号:H01L21/67(20060101)

优先权:["20160330 JP 2016-068204"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.11.19#授权;2018.10.12#实质审查的生效;2017.10.20#公开

摘要:提供一种基板处理装置、基板处理装置的控制方法和基板处理系统。能够不依赖于要去除的周缘部的膜的种类而迅速地判断是否适当地去除了周缘部的膜。具备:获取工序S502,获取与所述基板W的膜的种类有关的信息;选择工序S503,从预先存储于存储部的测定用设定的表中选择与所获取到的所述膜的种类对应的测定用设定;控制工序S504,进行控制使得所述拍摄部270使用在所述选择工序中选择出的测定用设定来拍摄所述基板的周缘部。

主权项:1.一种基板处理装置的控制方法,该基板处理装置具备:旋转保持部,其保持基板并使该基板旋转;处理液供给部,其供给用于去除基板的周缘部的膜的处理液;以及拍摄部,其拍摄所述基板的周缘部,该基板处理装置的控制方法的特征在于,具备以下工序:获取工序,获取与所述基板的膜的种类有关的信息;选择工序,从预先存储于存储部的测定用设定的表中选择与所获取到的所述膜的种类对应的测定用设定;以及控制工序,进行控制使得所述拍摄部使用在所述选择工序中选择出的测定用设定来拍摄所述基板的周缘部,其中,在所述获取工序中,还获取所述基板的周缘部的膜的去除宽度的设定信息,在所述选择工序中,选择与所述膜的种类及所述去除宽度的设定信息对应的测定用设定。

全文数据:基板处理装置、基板处理装置的控制方法和基板处理系统技术领域[0001]本发明涉及一种通过处理液对半导体晶圆等基板进行处理的基板处理装置。背景技术[0002]公知一种具备单片式基板处理装置的基板处理系统。作为该种系统,存在一种具备具有如下功能的基板处理装置的系统:保持在基板的表面上形成有膜的基板并使该基板绕铅垂轴旋转,从喷嘴向基板的周缘部供给处理液来去除周缘部的膜。在专利文献i中,在基板处理系统内设置拍摄机构来拍摄由基板处理装置处理过的基板的周缘部,基于所拍摄到的图像来判断是否恰当地去除了周缘部的膜。[0003]专利文献1:日本特开2013-168429号公报发明内容_4]发明要解决的问题[0005]然而,在专利文献1的技术中,存在如下担忧:根据要去除的周缘部的膜的种类而拍摄条件等测定用设定花费工夫,调整作业花费长时间。[0006]本发明用于解决上述的问题,能够不依赖于要去除的周缘部的膜的种类而迅速地判断是否适当地去除了周缘部的膜。_7]用于解决问题的方案[000S]为了解决上述问题,本发明的基板处理装置的控制方法的基板处理装置具备:旋转保持部,其保持基板并使该基板旋转;处理液供给部,其供给用于去除基板的周缘部的膜的处理液;以及拍摄部,其拍摄所述基板的周缘部,该控制方法具备:获取工序,获取与所述基板的膜的种类有关的信息;选择工序,从预先存储于存储部的测定用设定的表中选择与所获取到的所述膜的种类对应的测定用设定;以及控制工序,进行控制使得所述拍摄部使用在所述选择工序中选择出的测定用设定来拍摄所述基板的周缘部。[0009]发明的效果[0010]本发明具有不依赖于要去除的周缘部的膜的种类而迅速地判断是否适当地去除了周缘部的膜的效果。附图说明[0011]图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。[0012]图2是本发明的实施方式所涉及的处理单元的纵剖侧视图。[0013]图3是表示处理单元的罩构件、罩构件的升降机构以及处理液供给部的俯视图。[0014]图4是将图2的右侧的晶圆的外周缘附近放大来详细表示的截面图。[0015]图5是表示拍摄装置的详细的结构的截面图。[0016]图6是表示实施方式所涉及的测定处理系统的概要结构的图。[0017]图7是表示在第一实施方式中由基板处理系统和测定处理系统执行的基板处理和测定处理的整体流程的图。[0018]图8是具体说明本实施方式中的整体流程的药液处理的图。[0019]图9是说明本实施方式的药液处理中的晶圆W上的液体状态与拍摄装置的配置之间的关系的图。[0020]图10是表示拍摄装置对于晶圆W的拍摄视角的图。[0021]图11是说明拍摄装置、处理单元以及晶圆W的配置关系的图。[0022]图12是用于说明切除宽度和偏心量的测定动作的流程图。[0023]图13是根据第二拍摄条件所拍摄到的第二拍摄图像的^意图。[0024]图14是根据第一拍摄条件所拍摄到的第一拍摄图像的示意图。[0025]图15说明晶圆W相对于保持部的偏心的状态。[0026]图16是表示与晶圆W的旋转角度相对应的切除宽度的测定结果的曲线图。[0027]图17是表示示出显示装置所显示的测定结果信息的显示画面的一例的图。[0028]图18是说明保持位置调整机构的结构的图。[0029]图19是说明第二实施方式中的整体流程的图。[0030]图20是说明第二实施方式中的保持位置调整处理的流程图。[0031]图21是说明保持位置调整机构的动作的图。[0032]图22是用于说明图像处理制程的图。[0033]图23是说明第三实施方式中的拍摄设定处理的流程图。[0034]图24是表示测定处理结果的信息列表的图。[0035]图25是说明测定处理结果的分析和有效利用方法的图。[0036]图26是说明第四实施方式中的整体流程的图。[0037]图27是说明第四实施方式中的测定结果的分析处理的流程图。[0038]图28是表示第五实施方式中的处理单元的罩构件、罩构件的升降机构以及处理液供给部的俯视图。[0039]图29是说明拍摄装置、晶圆W以及晶圆W上的液体的位置关系的图。[0040]图30是说明拍摄区域中的拍摄装置、处理单元及晶圆W的配置关系以及药液或清洗液的液附着状态的图。[0041]图31是说明伴随第五实施方式中的拍摄而进行的药液处理的流程图。[0042]附图标记说明[0043]4:控制装置;ie:处理单元;25〇A:处理液供给部;250B:处理液供给部;270:拍摄装置;601:测定处理装置;602:信息处理装置。具体实施方式[0044]下面,参照附图来详细地说明本发明所涉及的实施方式。[0045]在本实施方式中,主要说明基板处理系统的结构、测定处理系统的结构以及它们的动作。[0046]图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。以下,为了使位置关系明确,对彼此正交的X轴、Y轴和Z轴进行规定,将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。[0047]如图1所示,基板处理系统1具备输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。[0048]输入输出站2具备承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C,该多个承载件C将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称作晶圆W以水平状态收容。[0049]输送部12与承载件载置部11相邻地设置,在输送部12的内部具备基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具备保持晶圆ff的晶圆保持机构。另外,基板输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转,使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间进行晶圆ff的输送。[0050]处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在输送部15的两侧的方式设置。[0051]输送部15在内部具备基板输送装置17。基板输送装置17具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外,基板输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转,使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的输送。[0052]处理单元16对由基板输送装置17输送来的晶圆W进行规定的基板处理。[0053]另外,基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机,其具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行存储部19中所存储的程序来控制基板处理系统1的动作。[0054]此外,所述程序既可以是记录在可由计算机读取的存储介质中的程序,也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质,例如存在硬盘HD、软盘FD、光盘CD、光磁盘M0以及存储卡等。[0055]在如上述那样构成的基板处理系统1中,首先,输入输出站2的基板输送装置13从载置于承载件载置部11的承载件C取出晶圆W,并将所取出的晶圆W载置于交接部14。通过处理站3的基板输送装置17将被载置于交接部14的晶圆W从交接部14取出并输入到处理单元16中。[0056]在通过处理单元16对被输入到处理单元16中的晶圆ff进行处理之后,通过基板输送装置17将该晶圆W从处理单元16输出并载置于交接部14。然后,通过基板输送装置13将被载置于交接部14的处理完毕的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。[0057]接着,说明本实施方式的处理单元16的详细的结构。处理单元16与本发明的基板处理装置对应,进行如下的基板处理:向供半导体装置形成的圆形的基板即晶圆W的表面供给药液,并将形成于该晶圆W的周缘部的不需要的膜去除。[0058]如图2和图3所示,处理单元16具备:晶圆保持部210,其将晶圆W以水平姿势保持为能够绕铅垂轴旋转;杯体220,其包围被晶圆保持部210保持的晶圆W的周围来接收从晶圆W飞散出的处理液;环状的罩构件230,其覆盖被晶圆保持部210保持的晶圆W的上表面的周缘部;升降机构移动机构240,其使罩构件230升降;以及处理液供给部250A、250B,其向被晶圆保持部210保持的晶圆W供给处理流体。[0059]作为上述的处理单元16的结构构件的杯体220、晶圆保持部210、罩构件230等收容在一个外壳260内。在外壳260的顶部附近设置有从外部取入清洁空气的清洁空气导入单元261。另外,在外壳260的底面附近设置有用于对外壳260内的气氛进行排气的排气口262。由此,在外壳260内形成从外壳260的上部朝向下部流动的清洁空气的下降流。在外壳260的一个侧壁上设置有通过开闭器263而被开闭的输入输出口264。设置在外壳260的外部的未图示的晶圆输送机构的输送臂能够以保持着晶圆W的状态通过输入输出口264。晶圆保持部210构成为圆板形状的真空吸盘,其上表面为晶圆吸附面。晶圆保持部210通过未图示的旋转驱动机构而能够以期望的速度进行旋转。晶圆保持部210与本发明的旋转保持部对应。[0060]如图2所示,杯体220是以包围晶圆保持部210的外周的方式设置的有底圆环形状的构件。杯体220具有以下作用:承接并回收被供给到晶圆W之后向晶圆W的外侧飞散的药液,并将该药液排出到外部。[0061]在由晶圆保持部210所保持的晶圆W的下表面同与该晶圆W的下表面相向的杯体220的内周侧部分211的上表面212之间形成小的(例如高度为2mm〜3mm左右的)间隙。在与晶圆W相向的上表面212上开口有两个气体喷出口213、214。这两个气体喷出口213、214沿着同心的大径的圆周和小径的圆周分别连续地延伸,向径向外侧且斜上方地朝向晶圆W的下表面喷出N2气体被加热后的氮气)。从形成在杯体220的内周侧部分211内的未图示的气体导入线路向圆环状的气体扩散空间215供给N2气体,N2气体在气体扩散空间215内被加热,并且以沿圆周方向扩散的方式流动,进而从气体喷出口213、214被喷出。[0062]在杯体220的外周侧连接有排液路216和排气路217。环状的导向板218从杯体220的内周侧部分211的外周部(晶圆ff的周缘的下方的位置朝向径向外侧延伸。另外,在杯体220的外周侧设置有外周壁219。外周壁219通过其内周面来承接从晶圆W向外侧飞散的流体液滴、气体以及它们的混合物等),并将流体导向下方。流入到比导向板218靠下方的位置的气体和液滴的混合流体各自分离,液滴从排液路216排出,气体从排气路217排出。[0063]罩构件230是被配置为在执行处理时与被晶圆保持部210保持的晶圆W的上表面周缘部相向的环形状的构件。罩构件230对在晶圆W的上表面周缘部的附近流动并被引入到杯体220内的气体进行整流并且使气体的流速增大,来防止从晶圆W飞散出的处理液再次附着于晶圆W的上表面。[0064]罩构件230具有内周面231,内周面231从上方朝向下方沿铅垂方向延伸,随着接近晶圆W而朝向径向外侧倾斜。另外,罩构件230具有与晶圆W相向的水平的下表面232,在水平的下表面232与晶圆W的上表面之间形成有铅垂方向的间隙。罩构件230的外周缘位于比晶圆W的外周端边缘We靠径向外侧的位置参照图3。此外,作为清洁对象的周缘部例如为从外周端起向径向内侧约3mm的区域,是被罩构件230的水平的下表面覆盖的范围。[0065]在作为俯视图的图3中示出晶圆W被晶圆保持部210保持并且罩构件230位于处理位置时的状态。在图3中,由点划线表示被罩构件230覆盖而隐藏起来的晶圆W的外周端We。另外,罩构件230的内周缘由标记5e表示。[0066]如图2和图3所示,使罩构件230升降的升降机构240具有安装在支承罩构件230的支承体233上的多个本例中为四个滑块241以及贯穿各滑块241而沿铅垂方向延伸的引导支柱242。各滑块241上连结有气缸式电动机未图示),通过对气缸式电动机进行驱动,滑块241沿引导支柱2似上下运动,由此能够使罩构件230升降。杯体220被构成杯升降机构未图示)的一部分的升降机243支承,当使升降机243从图2所示的状态下降时,杯体220下降,能够进行图1所示的基板输送装置17与晶圆保持部210之间的晶圆W的交接。[0067]接着,参照图2、图3以及图4来说明处理液供给部250A、250B。如图3所示,处理液供给部250A具有喷出氨、过氧化氢及纯水的混合溶液即SC-1液的药液喷嘴251以及喷出清洗液在本例中为DIW纯水)的清洗喷嘴252。另外,处理液供给部250A具有喷出干燥用气体在本例中为N2气体的气体喷嘴253。处理液供给部250B具有喷出HF液的药液喷嘴254和喷出清洗液的清洗喷嘴255,还具有喷出干燥用气体的气体喷嘴256。[0068]处理液供给部250A与本发明的第一处理液供给部对应,从药液喷嘴251和清洗喷嘴252喷出的液体与本发明的第一处理液对应。另外,处理液供给部250B与本发明的第二处理液供给部对应,从药液喷嘴254和清洗喷嘴255喷出的液体与本发明的第二处理液对应。此外,第一处理液和第二处理液的种类并不限定为本实施方式所公开的种类,第一处理液供给部与第二处理液供给部的位置关系也可以反过来。[0069]如图3和图4的a所示,处理液供给部250A的喷嘴251〜253收容于在罩构件230的内周面上形成的凹处234。各喷嘴251〜253如在图4的b中箭头A所示那样朝向斜下方并且以箭头A所示的喷出方向具有晶圆W的旋转方向Rw的分量的方式喷出处理流体。此外,处理液供给部250A具有未图示的驱动机构,各喷嘴2H〜253能够在箭头B的方向上进退来进行位置调整,使得液体在被喷出时附着在晶圆W上的最佳的位置。处理液供给部250B也具有与处理液供给部250A相同的结构。[0070]图2所示的控制装置4对处理单元16的所有的功能部件例如未图示的旋转驱动机构、升降机构240、晶圆保持部210、各种处理流体供给机构等的动作进行控制。[0071]拍摄装置270与本发明的拍摄部对应,用于进行后述的关于晶圆W的测定处理等。拍摄装置270固定于罩构件230,该拍摄装置270以用于进行拍摄的开口位于晶圆W的周缘部的铅垂上方Z轴方向)的方式进行配置。[0072]使用图5所示的截面图来说明本实施方式中的拍摄装置270的结构。拍摄装置27〇包括拍摄功能部501和光引导部502。拍摄功能部501用于借助光引导部502来拍摄晶圆W。光引导部502用于将照明光引导至晶圆W的表面并且将晶圆W的对于照明光的反射光(以下称作光学像)引导至拍摄功能部501。光引导部502借助安装面AA安装在罩构件230的侧面上。罩构件230具有图2所示的截面形状,但圆周方向的与光引导部502的安装面AA相当于的区域被切掉了。但是,形成为罩构件230与光引导部502合在一起而成的整体的截面形状的轮廓与图2所示的罩构件230的截面形状的轮廓一致。[0073]拍摄功能部501具备拍摄传感器503。在本实施方式中,拍摄传感器5〇3是具备由1600像素X1200行构成的约200万像素的有效像素区域的CCD传感器,根据受光水平只生成与亮度信号对应的信号。在拍摄传感器503的表面前方具备至少具有焦点调整的功能的拍摄光学机构504。拍摄光学机构504包含透镜组,能够使透镜的位置变化以进行焦点调整。在本实施方式中,设置有用于供使用者直接手动地调整透镜位置来进行焦点调整的调整构件505。调整构件505设置在比罩构件230和拍摄功能部501的位置高的位置处,因此装置的使用者能够容易地进行手动操作。[0074]在拍摄光学机构504的光轴方向的前方设置有镜506。拍摄装置270中设置有朝向晶圆w的铅垂上方Z轴方向)的开口,因此作为拍摄对象物的晶圆w的表面的光学像朝向铅垂上方LZ。镜506将光学像的方向变换为水平方向LX,使得光学像的方向与拍摄传感器503及拍摄光学机构504的光轴一致。[0075]照明室507用于形成向晶圆W照射的照射光,在照明室507的内部设置有LED照明部508和镜5091ED照明部508产生用于照射晶圆W的照射光。镜509使来自LED照明部508的照射光铅垂向下地反射,另一方面,使朝向LZ的光学像透过。开口510具有矩形的截面形状,将在照明室507的镜509处被反射的照射光向下方引导。此外,开口510的截面也可以形成为圆形。[0076]玻璃窗511在上端具有与开口510相同的截面形状,将从开口510射入的照射光引导至作为拍摄对象的晶圆W的表面。另外,将来自晶圆W的表面的反射光作为光学像向LZ方向引导。玻璃窗511的下表面512为拍摄装置270的下端,具有与晶圆W的上表面的周缘部相向的平面,该平面的高度与图2的罩构件230的下表面232的高度相同。另外,如上述的那样,为了与罩构件230的形状一致,玻璃窗511的外侧侧面513在罩构件230的外侧底面的高度位置处从外侧侧面513的上方进一步凹陷。因此,玻璃窗511形成为在截面观察时整体呈L字形。[0077]在处理液供给部250A、250B将药液、清洗液供给到晶圆W时,包括药液、水分的气氛通过拍摄装置270的开口510的下方区域。玻璃窗511具有为了防止这样的气氛进入拍摄装置270的壳体内腐蚀内部构造而切断气氛向开口510进入的功能。玻璃窗511为透明的构件,因此虽然切断气氛,但使照射光、来自晶圆表面的反射光通过。[0078]内侧罩构件514用于防止液体附着于玻璃窗511,具有与图2所示的罩构件230的内周面231的形状相同的形状。像这样,通过玻璃窗511的下表面512、外侧侧面513、内侧罩构件514来形成与罩构件230的截面相同的轮廓形状,由此抑制在进行药液处理、清洗处理时想要从罩构件230向杯体220通过的气流由于拍摄装置270的形状而发生紊乱。[0079]在拍摄功能部501中,拍摄控制部515进行拍摄装置270的拍摄动作的控制和对于拍摄图像的图像处理等。由拍摄传感器503接收到的光学像被进行光电转换,在转换为与亮度信号对应的模拟信号后被发送到拍摄控制部515。拍摄控制部515对所接收到的模拟信号进行AD转换来生成表示亮度的数字信号,进行规定的图像处理来形成1帧的拍摄图像。此夕卜,拍摄控制部515也能够通过连续地获取静止图像帧来形成运动图像。线缆516用于与外部装置进行控制信号的交换,并且将拍摄图像发送到外部装置。[0080]使用图6来说明本实施方式中的测定处理系统600。本系统包括拍摄装置270、测定处理装置601、信息处理装置602、控制装置4。[0081]如使用图5所说明的那样,拍摄装置270具有拍摄传感器5〇3、拍摄光学机构5〇4、LED照明部508以及拍摄控制部515、线缆516等。如后述的那样,拍摄控制部515能够基于经由线缆516从测定处理装置601接收到的控制信号来变更拍摄条件地进行拍摄。[0082]测定处理装置601是对由拍摄装置270得到的拍摄图像进行处理来测定后述的切除宽度、偏心量等的装置。测定处理装置601在其壳体内至少具有控制部6〇3、存储部6〇4。[0083]控制部603对测定处理装置601的各块进行控制并且对拍摄装置270的动作进行控制。另外,通过执行后述的测定处理程序,来进行关于切除宽度、偏心量的运算。存储部6〇4存储由控制部603执行的后述的测定处理程序、后述的图像处理制程。另外,存储部6〇4暂时存储从拍摄装置270经由线缆516接收到的拍摄图像,并存储由控制部6〇3计算出的测定结果。测定处理装置601能够经由通信线605而与信息处理装置㈤2、控制装置4之间进行各种信息的发送接收。[0084]信息处理装置602能够蓄积从测定处理装置601发送来的拍摄图像、测定结果,并且能够将这些信息发送到控制装置4。信息处理装置602在其壳体内至少具有控制部606、存储部6〇7。控制部6〇6能够对信息处理装置602的各块进行控制,并且还能够对测定处理装置601发送各种指令。另外,控制部606还具有对测定结果进彳丁分析的功能。存储部6〇7蓄积从测定处理装置601发送来的拍摄图像、测定结果。信息处理装置602能够经由通信线605而与测定处理装置601、控制装置4之间进行各种信息的发送接收。[0085]控制装置4如图1所示那样对基板处理系统1的整体进行控制,还能够与测定处理装置601、信息处理装置602协作地进行动作。控制装置4能够经由通信线605而与测定处理装置601、信息处理装置602之间进行各种信息的发送接收。另外,在控制装置4上连接有操作装置608和显示装置609。显示装置609进行从信息处理装置6〇2接收到的拍摄图像、结果图像的显示。操作装置608例如包括键盘、鼠标、触摸面板等输入设备,能够进行记述有应该对作为测定处理的对象的晶圆W实施的处理的晶圆处理制程的选择。[0086]在本实施方式中,构成测定处理系统600的各装置收容在基板处理系统1的壳体内部。但是,不限于该例,也可以是,将一个或多个装置构成在另外的壳体内,通过有线或无线的网络来构成通信线605。作为一例,也能够以如下方式构成系统:将信息处理装置602构成在与基板处理系统1相分别的壳体内,能够远程地对基板处理系统1进行管理。[0087]接着,使用图7来说明由本实施方式的基板处理系统1和测定处理系统600执行的基板处理和测定处理的整体流程。该处理动作将25张晶圆W作为一组来执行,本流程图表示一组内的一张晶圆W的处理动作。[0088]首先,向处理单元16进行晶圆W的输入(S101。在此,通过升降机构240使罩构件230位于退避位置(比图2中的位置靠上方的位置),并且通过杯升降机构的升降机243使杯体220下降。接着,打开外壳260的开闭器263并使图1所示的基板输送装置17的输送臂进入到外壳260内,使由基板输送装置17的输送臂所保持的晶圆W位于晶圆保持部210的正上方。接着,使输送臂下降到比晶圆保持部210的上表面低的位置,来将晶圆W载置于晶圆保持部210的上表面。接着,通过晶圆保持部210来吸附晶圆W。之后,使空的基板输送装置17从外壳260内退出。接着,使杯体220上升并返回到图2所示的位置,并且使罩构件230下降到图2所示的处理位置。通过以上的过程,晶圆的输入完成,成为图2所示的状态。[0089]接着,使用药液等进行晶圆处理S102。在后面叙述本实施方式中的晶圆处理的详情。[0090]接着,进行对晶圆W的测定处理S103。在后面叙述本实施方式中的测定处理的详情。[0091]最后,从处理单元16进行晶圆W的输出(S104。在此,使罩构件230上升并位于退避位置,并且使杯体220下降。接着,打开外壳260的开闭器263并使基板输送装置17的输送臂进入到外壳260内,使空的输送臂位于被晶圆保持部210保持的晶圆W的下方之后使输送臂上升,输送臂从停止了晶圆W的吸附的状态的晶圆保持部21〇接收晶圆W。之后,保持着晶圆W的输送臂从外壳260内退出。通过以上,对一张晶圆W的一系列的液体处理结束。[0092]接着,使用图8的流程图来具体地说明在本实施方式中的步骤S102中进行的晶圆处理。[0093]首先,进行第一药液处理S201。在此,使晶圆W旋转,并且从杯体220的气体喷出口213、214喷出N2气体,来将晶圆W尤其是晶圆W的作为被处理区域的周缘部加热到适于药液处理的温度例如60°C左右)。晶圆W被充分加热后,在使晶圆W保持旋转的状态下从处理液供给部250A的药液喷嘴251将药液(SCI供给到晶圆W的上表面装置形成面)的周缘部,来去除位于晶圆上表面周缘部的不需要的膜。[0094]接着,进行第一清洗处理(S202。在此,在进行规定时间的药液处理之后,停止从药液喷嘴251喷出药液,从处理液供给部250A的清洗喷嘴252将清洗液DIW供给到晶圆W的周缘部来进行清洗处理。通过该清洗处理来冲掉残存在晶圆W的上下表面的药液和反应生成物等。此外,在此,也可以进行与后述的步骤S205同样的干燥处理。[0095]然后,进行第二药液处理(S203。在此,对晶圆W进行用于去除在第一药液处理中无法去除的废弃物的药液处理。与第一药液处理同样地使晶圆W旋转并且加热晶圆W,从处理液供给部250B的药液喷嘴254将药液HF供给到晶圆W的上表面装置形成面的周缘部,来去除位于晶圆上表面周缘部的不需要的膜。[0096]接着,进行第二清洗处理S204。在此,在进行规定时间的药液处理之后,继续进行晶圆W的旋转以及从气体喷出口213、214进行N2气体的喷出,停止从药液喷嘴254喷出药液,从处理液供给部250B的清洗喷嘴255将清洗液DIW供给到晶圆W的周缘部来进行清洗处理。通过该清洗处理来冲掉残存在晶圆W的上下表面的药液和反应生成物等。[0097]最后,进行千燥处理(S205。在进行规定时间的清洗处理之后,继续进行晶圆W的旋转以及从气体喷出口213、214进行N2气体的喷出,停止从清洗喷嘴255喷出清洗液,从气体喷嘴256将干燥用气体N2气体供给到晶圆W的周缘部来进行干燥处理。[0098]接着,参照图9来说明在步骤S102中进行的药液处理中的晶圆W上的液体状态与拍摄装置270的配置之间的关系。[0099]首先,说明步骤S201中的朝向晶圆W喷出第一药液SC-1液的第一药液处理。[0100]如图9的(a所示,使晶圆W向第一旋转方向R1旋转。转速例如为2000rptn〜3000rpm,从药液喷嘴251向晶圆W的上表面的周缘部供给第一药液。在图9的a中,用标记901表示存在于(附于晶圆W的上表面的第一药液。这样,被供给到正在向第一旋转方向R1旋转的晶圆W的周缘部的到达区域902的第一药液通过基于旋转的离心力而向晶圆W的外侧移动,然后从晶圆W被甩出而向外侧飞散。向晶圆W的外侧飞散出的第一药液经由杯体220的外周壁219的内周面而从排液路216被排出到外部。[0101]在晶圆W上第一药液全部从晶圆W被甩出的位置903依赖于从药液喷嘴251喷出的第一药液的速度、晶圆W的旋转速度以及从上述的第一药液到达区域902到晶圆W的侧端部的距离等参数。例如,当减少转速时,药液不易通过离心力被甩出,因此如虚线所示那样,存在药液的区域增加。[0102]在步骤S202中,清洗喷嘴252和被喷出而到达晶圆W上的清洗液也同样地动作。但是,来自清洗喷嘴252的清洗液的到达区域虽为与第一药液的到达区域902大致相同的位置,但位于稍微偏向旋转方向上游侧且晶圆W的中心侧的位置。因此,能够通过清洗液可靠地清洁第一药液在晶圆W的上表面流过的区域。[0103]说明步骤S203中的朝向晶圆W喷出第二药液HF的第二药液处理。_4]如图9的⑹所示,使晶圆响与第一旋转方向R1相反的第二旋转方向R2旋转。转速例如为2000rpm〜3000rpm,从药液喷嘴254向晶圆W的上表面的周缘部供给第二药液。如图示那样,用标记904表示存在于附于晶圆W的上表面的第二药液,被供给到到达区域9〇5的第二药液示出与步骤S201中的第一药液的动作相同的动作。在步骤S204中,清洗喷嘴255和被喷出而到达晶圆W上的清洗处理液也与清洗喷嘴252同样地动作。[0105]如以上那样,通过在步骤S201及S202和步骤S203及S204中使晶圆W向相反方向旋转,能够调整存在于晶圆W的上表面的第一药液901和第二药液904的区域、所有的药液被甩出的位置903和906。在此,设连结处理液供给部250A和处理液供给部250B与晶圆W的中心而成的角度为“0x”度、设连结到达区域9〇2和位置903与晶圆W的中心而成的角度为“心”、设连结到达区域905和位置906与晶圆W的中心而成的角度为“%”(参照图9的(b。)。此时,作为各角度的关系式,设为9x+9A+eB[0161]作为上述实施方式的变形例1,说明两个关于焦点调节的系统结构例。[0162]首先,说明通过操作图5所示的拍摄装置270的调整构件505进行的焦点调节。使用者一边实时地通过拍摄图像来确认对晶圆W对焦到了什么程度一边竺行操作,这f阮够使由使用者进行的焦点调节作业迅速地进行。在本实施方式中,使显示装置609显不拍摄图像。[0163]具体地说,在进行焦点调节作业的期间,拍摄控制部515也使拍摄传感器503动作,例如以5fps的帧速率连续地取入晶圆W的图像,并将该图像发送到测定处理装置6〇1。测定处理装置601对所接收到的连续的图像进行加工以使得该图像能够在显不装置609中显不,并向控制装置4发送加工后的图像。控制装置4例如使上述的图17所示的第一图像窗口1703或第二图像窗口1704显示所接收到的拍摄图像。在该情况下,无需事先将显不装置609与基板处理系统1的壳体一体化,提高了便利性,因此也可以构成为通过有线方式或无线方式与基板处理系统1连接的可移动的终端装置。[0164]以上为以手动方式进行的焦点调节作业,但该焦点调节是在测定实际的切除宽度之前使用样本晶圆来进行的,无法在对处理对象的晶圆W实际执行测定处理时进行。[0165]作为第二例,说明拍摄装置27〇构成为具备自动对焦功能使得该焦点调整能够非手动地自动进行的情况。[0166]在本变形例中,图5所示的拍摄光学机构504内置有用于使透镜组自动运动的未图示的致动器。拍摄控制部515构成为能够进行基于对比度方式的自动对焦AF控制,将基于由拍摄传感器503得到的拍摄图像而决定的控制信号发送到致动器。[0167]具体地说,拍摄控制部515对拍摄传感器503设定动作模式使之能够进行例如5fps的速率的动画拍摄,从拍摄图像中的图10所示的五个裁切区域获取表示图像的模糊程度的AF评价值。然后,基于AF评价值使拍摄光学机构504的透镜组向模糊程度变小的方向运动。对连续的帧重复进行该控制,在根据AF评价值能够判断为模糊程度最小后,判断为合焦状〇[0168]使用图12的b来说明本实施方式的测定处理。对进行与已经说明过的图12的a的流程图相同的处理的步骤标注相同标记,在此省略说明。[0169]在本实施方式中,在晶圆W的360处的各个位置中,进行AF动作来对准焦点后进行拍摄。[0170]在步骤S311中,进行上述的基于对比度方式的AF控制。然后,在步骤S312中,存储焦点对准的位置处的a致动器的驱动信息、⑹透镜位置信息、(c从AF控制开始起至到达合焦状态为止所经过的时间等。之后,转到已经说明过的步骤S302的拍摄动作。[0171]通过进行以上的控制,能够在所有的拍摄位置处在良好地进行了焦点调节的基础上得到拍摄图像,从而能够高精度地进行测定处理。并且,通过分析步骤S312中的AF信息a⑹(c,还能够获知晶圆W的特征。例如,在上述AF信息与图16中所示的切除宽度的例子同样地发生了与角度相应的周期性的变动的情况下,存在晶圆ff与拍摄装置270之间的距离周期性地变动的可能性。距离周期性地变动表示晶圆W发生翘曲(形变的可能性高,在该情况下,也可以进行控制使得通过显示装置609对使用者进行提醒注意。[0172]〈第一实施方式的变形例2[0173]作为上述实施方式的变形例2,说明追加地执行图7的整体流程中的测定处理或晶圆处理的例子。作为图7的步骤S103中的测定结果,存在如下情况:切除宽度不描绘出图16那样的平滑的曲线,而是例如包括多个以几度为单位出现的小的凹凸(未图示)。尤其在处理膜边界1109在径向上不固定时发生这样的现象,因此意味着处理膜在周向上未以相同的宽度被去除,发生了局部的膜残留。局部的膜残留不是由于喷嘴位置设定的精度不足而引起的而是由于药液处理的执行时间不足而引起的可能性高。因而,在切除宽度的测定结果中产生了小的凹凸的情况下,进行再一次重复相同的药液处理的控制。由此,向残留的膜上再次供给足够的量的药液,因此也能够容易地去除膜残留,从而作为测定对象的晶圆W自身也能够得到良好的处理结果。[0174]具体地说,在图7的整体流程的步骤S103中的测定处理之后,测定处理装置601的控制部603进行图16所示的切除宽度的曲线图化来自动识别有无凹凸。接着,在判断为产生了凹凸即存在膜残留后将该意思通知给控制部18。然后,控制部18控制处理单元16来再次执行步骤S102的晶圆处理。[0175]另外,也可以与以上的晶圆处理一并执行步骤S103的测定处理,或者单独地例如在步骤S102的晶圆处理中的第一清洗处理步骤S202与第二药液处理(步骤S203之间追加地执行该步骤S103的测定处理。由此,能够个别地确认基于第一药液处理步骤S201的切除宽度,能够根据该结果来调整之后的喷嘴位置。或者,也可以进行上述那样的第一药液处理的追加处理来去除膜残留。[0176]〈第二实施方式〉[0177]在第一实施方式中,能够使用拍摄装置270测量偏心量TO,但也可以基于该偏心量WD自动调整晶圆W的保持位置。在本实施方式中,说明将保持位置调整机构设置在处理单元16的内部的情况下的动作。[0178]图18是用于说明本实施方式的处理单元16所具备的保持位置调整机构的图。该机构例如能够设置在图2中所示的处理单元16的外壳260的内部且图3的处理液供给部250A、250B的下方的空间。[0179]图18的a是从上方观察到的保持位置调整机构1800的图。为了方便,以虚线记载了晶圆W,但晶圆W位于比保持位置调整机构1800靠上方的位置。[0180]保持位置调整机构1800具有手部1801、臂部1802以及支承旋转部1803。手部1801为圆弧形的支承构件,具有包围保持部210的程度的大小的圆弧形状。而且,在该手部1801的表面具备三个用于与晶圆W的背面直接接触的突起构件1804。手部1801并不限于圆弧形状,只要为从保持部210外侧包围保持部210的大小的弧形状也包括有棱角的3字形状即可。[0181]臂部1802在一端与手部1801连接,用于使手部1801沿一个轴线水平地移动。支承旋转部1803与臂部1802的另一端部连接,支承臂部1802并且驱动未图示的电动机来使手部18〇1与臂部1802—体地向箭头1805的方向旋转。由此,手部1801能够在包围保持部210的位置在图18的a中由点划线所示的状态和退避位置在图18的a中由实线所示的状态)之间移动。另外,也能够使手部1801与臂部1802—体地升降。在图18的a中,两点划线表示X轴的方向,拍摄装置270也位于该直线上,但没有进行图示。[0182]图18的⑹为从横向观察保持位置调整机构1801的侧视图。通过使突起部1804上升到比保持部210的上表面高的位置,能够与晶圆接触来将晶圆抬起,通过下降到比保持部210的高度低的位置,能够将晶圆交接给保持部210。另外,如箭头所示的那样,使臂部1802沿X轴方向前后地直线移动,能够使臂部1802的位置前后直线地变更。[0183]接着,使用图19和图2〇所示的流程图来说明本实施方式所涉及的保持位置调整处理。[0184]如图19的整体流程所示的那样,在第一实施方式中所说明的图7的整体流程中,在步骤S101的晶圆输入处理之后追加地进行本实施方式的保持位置调整处理。在图19中,除步骤S111的保持位置调整处理以外的处理与图7中所说明的处理相同,因此在此省略说明。下面,使用图20的流程图来说明步骤S111的详情。[0185]在图20中,作为拍摄装置270的拍摄条件而设定第一拍摄条件步骤S401,按照预先设定的拍摄次数重复进行晶圆W的第一拍摄条件下的拍摄步骤S402、拍摄次数的判定S403、晶圆W的旋转S404。该处理与图12所示的步骤S301〜步骤S305的重复处理中的除了基于第二拍摄条件的拍摄步骤S303以外的处理为相同的处理,因此省略详细的说明。如第一实施方式所述的那样,为了获知偏心量WD,只要能够获知晶圆周缘端1111的位置即可,因此只进行了第一拍摄条件下的拍摄。[0186]结束以上的动作后步骤S403:“是”),转到步骤S405,使用360组第一拍摄图像进行图像解析处理S405。然后,确定偏心量WD来作为该测定的结果步骤S406。用于求出偏心量WD的图像解析处理的详情己经在第一实施方式中使用图15进行了叙述,因此在此省略。但是,在此,事先也一并存储在第几次的拍摄时晶圆周缘端1111取得了最大值和最小值。例如,当在第60次取得最大值、在第240次取得最小值时,在将晶圆置于保持部210时,偏心量WD的向量、即偏移的方向朝向从步骤S401时的旋转的初始位置旋转-60度后的方向。[0187]接着,开始基于偏心量WD对晶圆ff的位置进行调整校正)的步骤。此后还参照图21来说明保持位置调整机构1800的动作。[0188]首先,进行使晶圆W的偏心的相位对齐的动作(S407。如果从步骤S403中结束了360次的拍摄时起没有进行保持部210的旋转动作,则保持部210处于步骤S401时的旋转的初始位置。在该步骤中,使晶圆W旋转周缘端1111取最大值的旋转角度。当为上述的例子时,使晶圆W从旋转的初始位置起旋转60度。由此,偏心量WD的向量的方向与X轴的朝向一致,保持位置调整机构1800只通过使晶圆W沿X轴方向平行移动偏心量WD这种简单的控制动作就能够将晶圆W调整到恰当的位置。[0189]接着,使处于图21的a的状态下的罩构件230拍摄装置270通过升降机构240而位于退避位置(比图2中的位置靠上方的位置),并且通过杯升降机构的升降机243使杯体220下降步骤S408。在此,保持部210还对晶圆W进行吸附保持(向下的无色箭头)。[0190]接着,如图21的⑹所示,使保持位置调整机构1801工作,使臂部1802—边旋转一边进入到晶圆W与杯体220之间,使手部1801位于晶圆W的下面S409。然后,之后停止保持部210的吸附(S410。[0191]然后,基于在步骤S406中确定出的偏心量WD来进行晶圆W的位置调整(S411。在此,首先如图21的c所示,支承旋转部1803使臂部1802上升来使手部1801的突起部1804与晶圆W的背面接触。此时,手部1801如图18所示的那样支承晶圆W的下表面中的比与保持部210之间的接触区域靠外侧的区域。并且,如图21的⑻所示,使手部丨8〇1和臂部18〇2上升来使保持部210与晶圆W为非接触的状态。然后,如图21的(e所示,使臂部18〇2移动相当于偏心量WD的量。[0192]之后,使臂部1802下降,如图21的(f那样使晶圆W与保持部21〇接触,再次开始吸附S412,并且如图21的g所示那样使臂部1802进一步下降,使臂部1802与晶圆W不接触。[0193]然后,如图21的⑹所示,使臂部1802退避S413,最后通过升降机构240使罩构件230下降,并且通过杯升降机构的升降机243使杯体220向上方移动而返回到图2所示的位置,由此结束一系列的处理步骤S414。[0194]如以上所说明的那样,根据本实施方式,设置保持位置调整机构1800来对晶圆W从下表面进行支承并且调整晶圆W的保持位置,该保持位置调整机构1800根据基于由拍摄装置270拍摄到的图像而确定的晶圆W的偏心量来调整晶圆W相对于保持部210的中心的保持位置。保持位置调整机构1800潜入晶圆W的下方进行位置调整,因此相比于从外周端部的横向夹持晶圆W来进行位置调整的以往的方法,能够削减将保持位置调整机构设置在外壳内所占的空间。因而,能够不招致装置的占用空间的增大地进行良好的调整。另外,通过手部1801的突起构件1804从下方保持晶圆W,因此能够不损伤晶圆W的外周端部地稳定且恰当地进行位置调整。并且,支承晶圆W的比晶圆W与保持部210之间的接触区域靠外侧的区域的下表面来进行调整,因此向上方的抬起量也是相对于保持部210稍微浮起的程度即可,在处理单元16的构造上无需为了位置调整而确保Z轴垂直方向上的空间。另外,预先使晶圆W旋转来确定偏心的朝向,在使晶圆W进行旋转以使得该朝向与臂部1802的直线移动的方向(X轴方向)一致的基础上进行位置调整,因此能够使保持位置调整机构的控制简单且精密。[0195]〈第三实施方式〉[0196]在上述实施方式中,测定处理装置601在开始测定处理之前首先进行拍摄装置270的拍摄设定,但也可以构成为能够根据测定对象的晶圆、处理的内容来变更该设定。[0197]作为测定处理的对象的晶圆具有各种种类。例如为形成有水溶性膜、钛、铝、钨之类的金属膜的晶圆等。这些膜具有固有的折射率、衰减率等,因此光的反射特性互不相同,因此即使通过拍摄装置以相同的拍摄条件进行了拍摄,出现在拍摄图像中的边缘的亮度水平也不同。[0198]在第一实施方式中,在图11所示的膜构造中,作为第二拍摄条件,设定了重视中间照度的反射光水平的拍摄条件,使得能够准确地确定出处理膜边界1109的位置。[0199]但是,如上述那样,根据膜的种类而光的反射特性不同,因此即使为中间照度的反射光水平,也存在如下情况:对相对地靠低照度侧的中间照度分配宽的色阶范围能够进行高精度的边缘检测的情况;反之对偏高照度的中间照度分配宽的色阶范围能够进行高精度的边缘检测的情况。[0200]另外,晶圆W的倒角是从基底开始形成的,如果原本晶圆的材质本身就不同,则光的反射特性也变化,因此存在第一拍摄条件也根据膜的种类而改变的话能够进行良好的检测的情况。[0201]并且,也存在即使膜的种类相同也根据所设定的切除宽度的大小来改变拍摄条件的话较好的情况。[0202]在本实施方式中,将包括拍摄条件等的测定用的设定定义为“图像处理制程”,根据处理对象晶圆的膜的种类来选择图像处理制程。下面,使用图22来说明本实施方式中的图像处理制程。[0203]图22的a为表示膜种类与图像处理制程的对应关系的测定用设定的表2201。与膜的种类2203及切除宽度2204对应地分别设置图像处理制程2202。该列表预先存储在信息处理装置602的存储部607中。[0204]在本实施方式中,图像处理制程中包含的拍摄条件为反映到拍摄图像的明度中的条件,该拍摄条件具有CCD的感光度的设定、曝光的设定等。另外,如果由于所设定的切除宽度的大小、拍摄条件改变而图像的明暗的精细度也变化,则边缘检测处理的算法也与其对应地变更会比较好。因而,在本实施方式中,使得检测处理的边缘检测方法、用于检测的相关处理色阶转换等的方法也能够变更。[0205]图22的(b表示本实施方式的图像处理制程的列表,该图像处理制程的列表2205预先存储在测定处理装置601的存储部604中。[0206]图像处理制程A是与以宽度3mm去除水溶性膜晶圆的周缘部的处理对应地设置的,使用第一拍摄条件作为用于拍摄倒角区域的条件2206,使用第二拍摄条件作为用于拍摄处理膜边界的条件2207。另外,设为进行检测处理A来作为边缘检测处理2208。[0207]在以宽度2mm去除水溶性膜晶圆的周缘部的处理中,为了检测狭窄的切除宽度而选择最佳的第三拍摄条件和检测处理B。另外,在为铝、钛的情况下,与水溶性膜晶圆相比基底和膜针对光的特性均不同,因此设定为能够进行最佳的拍摄条件、图像处理、检测处理。另外,为了进行膜种类未知的晶圆的处理时还准备了标准的图像处理制程E。例如,第八拍摄条件设为包括第一拍摄条件和第四拍摄条件的中间的设定值的条件,第九拍摄条件设为包括将第二拍摄条件、第三拍摄条件、第五拍摄条件、第六拍摄条件平均化所得到的设定值的条件。[0208]本实施方式的处理能够应用在如图12所示的流程图的步骤S301中进行的拍摄设定中。接着,使用图23所示的流程图来说明本实施方式中的拍摄设定的详情。[0209]首先,在控制装置4中,根据来自外部装置的接收或来自操作装置601的操作输入来确定晶圆处理制程,从控制装置4向信息处理装置602发送晶圆处理制程。在信息处理装置602中,控制部606获取晶圆处理制程S501。[0210]接着,读取所获取到的晶圆处理制程的内容,确定处理对象的晶圆W的膜种类的信息和应该蚀刻的切除宽度S502。[0211]控制部605从存储部606中存储的图22的a的选择表中检索在步骤S502中确定出的膜种类和切除宽度。此次具有该膜种类和切除宽度的组,因此选择所对应的制程AS503。[0212]然后,信息处理装置602将设定指示信息发送到测定处理装置601使得使用所选择的制程A。测定处理装置601的控制部603使用所接收到的设定指示信息从存储部604读出制程A,将拍摄条件发送到拍摄控制部515。拍摄控制部515设定所接收到的拍摄条件来用于之后的拍摄。另外,控制部603进行进行测定处理时的检测处理的设定S504。[0213]以上是本实施方式的一例,但在步骤S501的晶圆处理制程中没有记载膜种类的信息的情况下,也可以在步骤S5〇2中通过不同的方法获取膜种类的信息。例如,也可以事先在外壳260内设置通过照射光并接收其反射光来判定膜种类的未图示的传感器,控制部603直接检查被输入的晶圆W来确定晶圆W的膜的种类。[0214]如以上所说明的那样,根据本实施方式,获取关于晶圆W的膜的种类的信息,从预先存储在存储部607中的多个测定用设定之中选择与所获取到的膜的种类对应的测定用设定,拍摄装置270使用所选择的测定用设定来拍摄晶圆W的周缘部。由此,使用者不用花费工夫调整拍摄条件等的测定用设定,能够恰当且迅速地进行测定处理。[0215]〈第四实施方式〉[0216]在本实施方式中,说明对信息处理装置601中蓄积的测定处理结果的信息进行分析处理并利用于装置的维护、管理的方法。[0217]图24表示信息处理装置601的存储部607中存储的测定处理结果的管理列表2400。[0218]该管理列表2400的信息包括处理制程信息2401以及在通过测定处理装置601进行测量时确定出的测定处理结果信息2402,该处理制程信息2401是能够从应该对处理对象的晶圆W实施的处理的制程的记载内容确定出的信息。[0219]作为处理制程信息2401,具有作为晶圆W的识别信息的批次ID2403、晶圆ID2404。另外,具有具体的处理所涉及的膜种类2405、设定的切除宽度2406。[0220]测定处理结果信息2402包括第三实施方式中所说明的图像处理制程2407、基于图像处理制程进行了测定处理的日期2408、时刻2409。另外,作为进行测定处理的结果,具有关于360处的切除宽度的结果的最大值“Max”2410、最小值“Min”2411、平均值“Ave”2412。此夕卜,也可以不仅存储最大值和最小值,而存储360处所有的测量值。[0221]信息处理装置601在存储部607中设置有用于按一张晶圆的测定处理来记录拍摄图像的文件夹以及用于记录该拍摄时所使用的拍摄装置270的焦点调整信息等拍摄设定的文件夹。还存储拍摄图像文件夹的链接2413和拍摄设定信息的链接2414来作为测定处理结果信息2402。[0222]接着,在以下说明使用以上的测定处理结果的信息列表进行的具体的分析处理和维护管理方法。[0223]首先,关于批次ID“3342”,使用相同的晶圆处理制程和图像处理制程A对25张相同种类的晶圆W连续进行测定处理。由此,例如能够确认对于1个批次的晶圆组是否无偏差地进行了切除处理。[0224]批次ID“3:342”和批次“ID3S42”使用相同的晶圆处理制程和图像处理制程A对相同种类的晶圆W进行了处理,但在不同日期进行了测定处理。使用图25来说明该事例的详情。[0225]图邪的a是纵轴为偏心量(最大值“Max”-最小值“Min”)2、横轴为进行测定处理的日期和时刻)的曲线图,信息处理装置602的控制部606能够基于管理列表2400来制作该曲线图。[0226]通过该曲线图能够获知偏心量的经时变化,在图25的a的经时变化2501的例子中,表示了随着时间的经过而偏心量变大的情形。由于构成基板输送装置17的构件的磨耗而无法准确地输送晶圆W等可以说是其原因之一。[0227]信息处理装置601的控制部606制作经时变化2501的曲线图,并将该曲线图发送到控制装置4,控制装置4能够根据使用者的要求或自动地使该曲线图显示在第一实施方式中所说明的图17的显示画面1700的曲线图窗口1705中。[0228]另外,例如也可以预先通过实验将装置的运用上能够容许的偏心量决定为第一阈值,如果出现表示持续接近第一阈值的结果,则向使用者自动通知该意思。在图25的a的例子中,构成为在偏心量超过了比第一阈值小的第二阈值的时间点,在显示画面1700上对使用者进行基板输送装置I7的确认、更换等的提醒注意。此外,不仅将是否超过了第二阈值作为提醒注意的判断条件,还可以提取多个达到第二阈值之前的偏心量的测定结果来将该多个值是否具有增加的趋势追加为提醒注意的判断条件。[0229]另外,在如经时变化2502那样偏心量突然超过了第一阈值的情况下,发生了装置异常的可能性高,因此在显示画面1700上进行警告、装置停止等通知。[0230]图25的⑹中是纵轴为表示实质上的切除宽度的平均值“Ave”与切除宽度的设定值的差的绝对值、横轴为进行测定处理的日期和时刻的曲线图。[0231]通过该曲线图能够获知处理液供给部250A、250B喷出液体的液体喷出位置的精度的经时变化,在图25的(b的经时变化2503的例子中,表示随着时间的经过而液喷出位置的精度下降的情形。由于构成处理液供给部250A、250B的构件的磨耗而无法准确地控制液喷出的位置等可以说是其原因之一。在该情况下,也与图25的a同样,能够根据使用者的要求或自动地在显示画面1700的曲线图窗口1705中显示经时变化2403的曲线图。另外,能够在超过了第二阈值时进行提醒注意。此外,与图25的(a的例子同样,也可以追加多个差的绝对值是否具有增加的趋势来作为提醒注意的判断条件。[0232]另外,在如经时变化2504那样突然超过了第一阈值的情况下,发生了装置异常的可能性高,因此在显示画面1700上进行警告、装置停止等通知。[0233]下面,在图26中示出本实施方式的系统中的整体流程。如图示那样,是对图7的流程图追加了步骤S131的结果分析处理。因而,在此省略步骤S101〜S104的处理的说明。[0234]下面,使用图27的流程图来说明步骤S131的结果分析处理的详情。[0235]首先,信息处理装置602从测定处理装置601获取测定结果信息(S601。在此获取的信息为图24中所示的测定处理结果信息2402。[0236]接着,将步骤S601中所获取到的信息存储到存储部607中来制作图24所示的管理列表2400S602。在此,已经在测定处理前完成处理制程信息2401的获取,因此进行该处理制程信息2401与测定处理结果信息2402的关联。如果已经制作了列表,则通过对此次的测定结果信息进行追加更新来制作管理列表2400。[0237]然后,作为分析晶圆W的处理状态的处理,关于此次的测定结果的一张晶圆W确认偏心量是否超过了预先决定的第一阈值S603。在此,如果判定为超过了第一阈值S604:“否”),则进行警告通知S605,进行装置停止等控制来作为异常时应对。[0238]另外,同样地,作为分析晶圆W的处理状态的处理,确认实际的切除宽度与设定值的差是否超过了第一阈值S603,在此,如果判断为超过了第一阈值S604:“否”),则进行警告通知S605,进行装置停止等控制来作为异常时应对。[0239]另一方面,在判断为没有超过第一阈值的情况下,接着进行经时变化的分析来作为分析晶圆W的处理状态的处理S606。在此,如上述的那样,判断偏心量、切除宽度是否超过了第二阈值,在判断为超过了的情况下S607:“否”),借助显示画面1700进行提醒注意等通知S608。[0240]如果没有特别的异常,则在显示画面1700的曲线图窗口17〇5显示所制作的曲线图来作为分析结果的通知S609。此外,也可以与步骤S605和S608的警告或注意的通知一起进行曲线图的显示。[0241]如以上所说明的那样,根据本实施方式,信息处理装置602制作包括处理制程信息2401和测定处理结果信息2402的管理列表2400。而且,基于该管理列表2400来分析基板处理的状态,根据分析结果对使用者进行规定的通知。像这样,通过管理关于晶圆W的周缘部H、J脫太=的1目:,够长期稳定地运用处理单元比。特别是能够根据切除宽度、偏心量来获知处理液供给部250、基板输送装置17的故障、磨耗、劣化状况,从而能够在恰当的时机进行维护、构件的更换等。[0242]〈第五实施方式[0243]在第一实施方式〜第四实施方式中,设为为了获取晶圆处理的结果或偏心量而在进行药液处理之前或进行了处理之后进行测定处理。[0244]另一方面,存在想要确认在实际供给液体时的晶圆等的状态的要求。如果能够评价液体供给中的状态,则也能够反映到处理液的供给量、喷嘴位置等的调整作业中。在本实施方式中,说明在进行药液处理、清洗处理时进行测定处理的例子。[0245]图28中表示本实施方式中的处理单元16的俯视图。在上述第一实施方式〜第四实施方式中,在两个处理液供给部之间设置拍摄装置270,进行晶圆W上不存在药液的区域的拍摄。在本实施方式中,如图28所示那样设置拍摄装置270A和拍摄装置270B,拍摄装置270A设置于在晶圆W的旋转方向R1上比处理液供给部25〇A靠前的位置,能够拍摄正在供给处理液的状态。同样,拍摄装置27〇B设置于在晶圆W的旋转方向R2上比处理液供给部250B靠前的位置,能够拍摄正在供给处理液的状态。此外,本实施方式作为上述实施方式所述的图7、图19的整体流程的一部分来实施,因此拍摄装置27〇A和拍摄装置27〇B中的至少一个还使用于切除宽度和偏心量等的测量处理等中。另外,在本实施方式中,设为在第一实施方式中所述的由于对拍摄装置的液体附着而对拍摄产生的影响小到能够忽略的程度。[0246]在本实施方式中,使用图29来说明如图28那样配置了拍摄装置的情况下的拍摄装置270A、270B的拍摄范围、晶圆W以及晶圆W上的液体的位置关系。[0247]在图29中,区域2901表示拍摄装置270A的拍摄范围,区域2902表示拍摄装置270B的拍摄范围。[0248]图30是说明区域2901或区域2902中的拍摄装置270、处理单元16及晶圆W的配置关系以及药液或清洗液的液体附着状态的图。[0249]图30表示刚开始药液处理后的状态,表示处理膜尚未被去除且药液3001附在处理膜和倒角区域之上的状态。另外,以到达区域902905为视角中心进行拍摄,理论上晶圆处理制程中的切除宽度与图30的液体附着宽度应该相同,本实施方式中的一个目的在于确认这两者的一致程度。为此,需要恰当地拍摄液体附着的内端边界3002的位置及其状态的变化。[0250]例如,能够预测出当进行药液处理而处理膜被去除时内端边界3002的位置、厚度发生变化。因而,在本实施方式中,并不进行静止图像的拍摄,而进行动画拍摄,由此能够确认从液体处理的开始起至结束为止的液体附着状况。[0251]此外,根据转速、处理液的性质不同而液体的附着方式不同,因此设为动画拍摄的条件在第一药液的情况和第二药液的情况下不同。与上述实施方式同样,设在处理膜与液体附着的场所之间能够进行良好的边缘检测来作为拍摄条件。[0252]接着,使用图31的流程图来说明本实施方式中的伴随拍摄进行的药液处理。此外,在该图中,关于S201〜S205,与第一实施方式中所说明的图8的流程图所示的步骤相同,因此省略说明。[0253]首先,在开始液体的供给之前,以第一动画拍摄条件开始拍摄晶圆WS701。此处的拍摄条件为对于第一药液处理所用的药液和第一清洗处理所用的清洗液而言最佳的拍摄条件。[0254]接着,开始第一药液处理S2〇l和第一清洗处理S2〇2。在进行步骤S201和步骤S202的期间,拍摄装置270继续基于第一动画拍摄条件的拍摄。其间,测定处理装置6〇1将所拍摄到的运动图像实时地发送到控制装置4,控制装置4例如在显示画面17〇〇的第一图像窗口1703中显示运动图像。[0255]接着,暂时停止拍摄装置27〇的动画拍摄,将通过拍摄而得到的运动图像发送到信息处理装置602,信息处理装置602进行运动图像的记录处理S702。在后面叙述记录处理的详情。[0256]接着,拍摄装置270将拍摄条件变更为第二拍摄条件来开始拍摄S703。[0257]接着,开始第二药液处理S203和第二清洗处理S204。在进行步骤S2〇3和步骤S204的期间,拍摄装置270继续基于第二动画拍摄条件的拍摄。其间,将所拍摄到的运动图像实时发送到控制装置4,控制装置4在显示画面1700的第二图像窗口1704中显示运动图像。[0258]接着,暂时停止拍摄装置270的动画拍摄,将通过拍摄而得到的运动图像发送到信息处理装置602,信息处理装置602进行运动图像的记录处理S704。在后面叙述记录处理的详情。[0259]最后,进行干燥处理S205,结束一系列的药液处理。[0260]以上为本实施方式的药液处理,但在步骤S201的药液处理中,晶圆W高速旋转,在以3000rpm旋转的情况下,计算为1秒旋转50圈。药液、清洗液的到达区域902905在理论上相对于拍摄视角不发生变动。在晶圆W发生了如图15所说明的那样的偏心的情况下,晶圆W的晶圆周缘端1111的位置在图30所示的“变动宽度”之间重复进行高速地变动的动作。一般的动画拍摄的帧速率为30fps左右,因此难以进行准确的液体附着宽度的拍摄和观察。为了预防该问题的发生,优选的是,执行图19的步骤S111所示的保持位置调整处理,设为消除了偏心的状态,来执行步骤S201的药液处理。此外,保持位置调整处理并不限定为第二实施方式所说明的方法。[0261]接着,说明步骤S702和S704的记录处理。关于处理中的液体附着宽度,不仅能够通过使用者观察拍摄动画来确认,如果能够反馈到之后的药液处理的设定和控制中,则更为优选。[0262]在本实施方式中,将拍摄动画记录在存储部607中,并且在图24的测定处理结果的管理列表2400的测定处理结果信息2402中追加内端边界3002。由此,能够按每个晶圆进行所设定的切除宽度2406、实质的测量切除宽度即平均值“Ave”2412、内端边界3002之间的对比。而且,能够进行根据对比结果来决定之后的处理中的处理液供给部250A、250B的各喷嘴的偏移值等之类的反馈设定。[0263]关于内端边界3002的计算方法,如果处理膜区域1101与药液3001的反射光的照度水平充分地不同,则在运动图像的各帧中求出两者之间的亮度边缘即可。另外,如图30那样,在药液3001所附的区域中产生箭头所示的向外的液流,因此也可以对连续的多个帧取帧间差,将差的变动量的绝对值的大小、运动方向大幅变化的径向上的位置估计为内端边界3002。[0264]在此,说明关于本实施方式的液体附着状态的信息的反馈的一例。[0265]设在步骤S201的第一药液处理中切除宽度为3mm、液供给时间为30秒。在该情况下,设为喷嘴位置配置在与切除宽度3mm相应的位置处,以预先决定的第一流量开始第一药液的供给,但之后参照管理列表2400时,平均值“Ave”为3.1mm,产生了偏差。[0266]在本实施方式中,将液体供给时间即30秒期间的运动图像与该信息相关联地进行了记录,因此能够获知实际在晶圆W上发生了什么样的现象。[0267]例如,当观察运动图像时,使用者能够获知如下现象:随着处理的进行,晶圆w上的处理膜被去除而变薄,在经过了20秒时第一药液侵入到3.lmm的区域。[0268]使用者接受该现象,例如能够以在经过了20秒时使喷嘴位置向外侧移动〇.lmm、或者在经过了2〇秒时减少第一药液的液量的方式重新制作制程。由此,能够防止过度地去除处理膜,从而得到遵循制程的结果、即平均值“Ave”为3.0mm这样的结果。[0269]不仅能够通过使用者进行设定,还能够通过控制装置4进行自动控制。设为在液体供给时间为3〇秒的期间、内端边界3002例如也持续地按每秒被记录。信息处理装置6〇2分析管理列表2400,如果判断为在经过了2〇秒时内端边界3〇〇2与至此为止的记录信息相比较偏移了0.1mm,则将该内容通知给控制装置4。控制装置4在下一次的晶圆W的处理中对处理单元16发出指不,使之以如下方式自动控制喷嘴位置、液量:在经过了2〇秒时使喷嘴位置向外侧移动O.lram、或在经过了20秒时减少第一药液的液量的方式。此外,控制装置4可以采取与上述使用者的例子同样地变更制程本身、或者经由显示装置609催促使用者来变更制程等应对。[0270]如以上所说明的那样,根据本实施方式,在正在供给处麵的期间,能够获知晶圆W的周缘部的液体的附着状态。尤其是能够获知处理膜与液体所在的区域之间的边界,因此能够作为用于切除宽度、液量等的反馈设定的信息而有效地被利用[0271]社,了本发麵涉第-实施方式〜第五实施方式,讎酬子不仅应用于处理产品用的晶圆时,也能够应用在系统的起动、维护模式等特殊的状况中。另外统构造不-定酸在壳体上,例如也可_成为軸祕顯装置来作为治具等,各装置、根据应用上需要的时机相对于系统进行连接和卸下。另外,各实施方式能够以第—实式中公_系统结构中的必要的部分作为前提来个别地实施,也能够与其它实施=刑勺结构并存。即,为了达成多重目的,第-实施方式〜第五实施方式能够适当地来实施。n

权利要求:1.一种基板处理装置的控制方法,该基板处理装置具备:旋转保持部,其保持基板并使该基板旋转;处理液供给部,其供给用于去除基板的周缘部的膜的处理液;以及拍摄部,其拍摄所述基板的周缘部,该基板处理装置的控制方法的特征在于,具备以下工序:获取工序,获取与所述基板的膜的种类有关的信息;选择工序,从预先存储于存储部的测定用设定的表中选择与所获取到的所述膜的种类对应的测定用设定;以及控制工序,进行控制使得所述拍摄部使用在所述选择工序中选择出的测定用设定来拍摄所述基板的周缘部。2.根据权利要求1所述的基板处理装置的控制方法,其特征在于,在所述存储部中存储有与明度有关的多个拍摄条件来作为所述测定用设定,在所述选择工序中,选择适于所获取到的所述膜的种类的拍摄条件。3.根据权利要求2所述的基板处理装置的控制方法,其特征在于,在所述选择工序中,选择适于所获取到的所述膜的种类的、明度不同的多个拍摄条件,在所述控制工序中,使所述拍摄部使用所述明度不同的多个拍摄条件来对基板进行多次拍摄。4.根据权利要求1〜3中的任一项所述的基板处理装置的控制方法,其特征在于,在所述获取工序中,还获取所述基板的周缘部的膜的去除宽度的设定信息,在所述选择工序中,选择与所述膜的种类及所述去除宽度的设定信息对应的测定用设定。5.根据权利要求1〜4中的任一项所述的基板处理装置的控制方法,其特征在于,在所述获取工序中,从使用所述基板处理装置的基板处理制程的记载来获取所述基板上的膜的种类的信息。6.—种基板处理装置,进行去除基板的周缘部的膜的处理,该基板处理装置的特征在于,具备:旋转保持部,其从所述基板的下表面吸附保持该基板并使该基板旋转;处理液供给部,其在通过所述旋转保持部而基板正在旋转时,向所述基板的周缘部供给用于去除所述膜的处理液;以及拍摄部,其拍摄所述基板的周缘部,其中,所述拍摄部能够选择性地设定不同的多个拍摄条件,使用根据所述基板的膜的种类而选择出的拍摄条件来拍摄所述基板的周缘部。7.—种基板处理系统,包括进行去除基板的周缘部的膜的处理的基板处理装置、进行基于拍摄图像的测定处理的测定处理装置以及对与测定处理有关的信息进行管理的信息处理装置,该基板处理系统的特征在于,所述基板处理装置具备:旋转保持部,其从所述基板的下表面吸附保持该基板并使该基板旋转;处理液供给部,其在通过所述旋转保持部而基板正在旋转时,向所述基板的周缘部供给用于去除所述膜的处理液;以及拍摄部,其拍摄所述基板的周缘部,所述信息处理装置具备控制部,该控制部获取与所述基板的膜的种类有关的信息,从多个测定用设定中选择与所获取到的所述膜的种类对应的测定用设定,所述测定处理装置具备控制部,该控制部进行控制使得所述拍摄部使用在信息处理装置中选择出的测定用设定来拍摄所述基板的周缘部。

百度查询: 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理装置的控制方法和基板处理系统

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。