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【发明授权】一种受厚度调控的肖特基结无机窄带光电探测器及其制备方法_合肥工业大学_201910742815.X 

申请/专利权人:合肥工业大学

申请日:2019-08-13

公开(公告)日:2021-11-19

公开(公告)号:CN111063752B

主分类号:H01L31/0352(20060101)

分类号:H01L31/0352(20060101);H01L31/108(20060101);H01L31/18(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.11.19#授权;2020.05.19#实质审查的生效;2020.04.24#公开

摘要:本发明公开了一种受厚度调控的肖特基结无机窄带光电探测器及其制备方法,是以无机半导体衬底作为感光层,在其下表面设置有开设透光孔的底电极、上表面设置有与其呈肖特基接触的顶电极。本发明的无机窄带光电探测器,通过调控无机半导体衬底的厚度,可以调控探测波长的范围;通过选择具有不同禁带宽度的半导体材料,可以实现对于不同波长的窄带探测,抗环境噪声能力强。

主权项:1.一种受厚度调控的肖特基结无机窄带光电探测器,其特征在于:所述无机窄带光电探测器是以无机半导体衬底2作为感光层,在所述无机半导体衬底2的下表面设置有底电极1、上表面设置有顶电极3;所述底电极1与所述无机半导体衬底2呈欧姆接触,在所述底电极1上开设有透光孔1A;所述顶电极3与所述无机半导体衬底2形成肖特基接触;所述无机窄带光电探测器在进行光电探测时,是以无机半导体衬底的下表面作为迎光面,通过调控所述无机半导体衬底的厚度,调控探测波长的范围。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 合肥工业大学 一种受厚度调控的肖特基结无机窄带光电探测器及其制备方法

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