申请/专利权人：奇跃公司

申请日：2018-11-06

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN111566544B

主分类号：G02B27/44(20060101)

分类号：G02B27/44(20060101);G02B5/18(20060101)

优先权：["20171106 US 62/582,082"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.11.19#授权;2020.09.15#实质审查的生效;2020.08.21#公开

摘要：一种制造具有变化的衍射元件深度的衍射结构的方法包括提供阴影掩模，该阴影掩模具有第一区域和第二区域，第一区域具有第一孔径尺寸与孔径周期比，第二区域具有小于第一孔径尺寸与孔径周期比的第二孔径尺寸与孔径周期比。该方法还包括邻近基板定位该阴影掩模。基板包括对应于衍射结构的蚀刻掩模。该方法进一步包括：将基板暴露于蚀刻剂；蚀刻基板以形成邻近第一区域的具有第一深度的衍射元件；以及蚀刻基板以形成邻近第二区域的具有小于第一深度的第二深度的衍射元件。

主权项：1.一种制造具有变化的衍射元件深度的衍射结构的方法，所述方法包括：提供阴影掩模，所述阴影掩模具有第一区域和第二区域，所述第一区域具有第一孔径尺寸与孔径周期比，所述第二区域具有小于所述第一孔径尺寸与孔径周期比的第二孔径尺寸与孔径周期比；邻近基板定位所述阴影掩模，其中所述基板包括对应于所述衍射结构的蚀刻掩模；以及将所述基板暴露于蚀刻剂；蚀刻所述基板以形成邻近所述第一区域的具有第一深度的衍射元件；以及蚀刻所述基板以形成邻近所述第二区域的具有小于所述第一深度的第二深度的衍射元件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 奇跃公司 利用阴影掩模实现可调梯度图案化的方法和系统

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